一种氯铱酸生产用结晶设备的制作方法

文档序号:36869142发布日期:2024-02-02 20:49阅读:41来源:国知局
一种氯铱酸生产用结晶设备的制作方法

本发明属于化学品成分分离,具体是指一种氯铱酸生产用结晶设备。


背景技术:

1、氯铱酸是一种无机化合物,一般含有结晶水,它可以形成氯铱酸钾等无机盐,黑棕色或黑色针状结晶、粒状或块状物,易潮解,热至90℃以上失去结晶水,热至150℃到180℃转化为三价铱化合物,溶于水、乙醇和乙醚。

2、目前现有的氯铱酸生产用结晶设备存在以下问题:

3、现有的氯铱酸生产用结晶设备,大多采用搅拌的方式搅拌使晶体与母液均匀接触,使晶体均匀的生长和长的更大,但当搅拌强度达到一定程度后,再提高搅拌速度,会使得晶体被打碎,因此,亟需一种能够保证结晶体颗粒完整性的结晶设备。


技术实现思路

1、针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本方案提供了一种能够增加氯铱酸液体在顺流时与倒锥形铜筒的接触压力,减缓氯铱酸液体的流动速度,使加热后的倒锥形铜筒可以充分的对氯铱酸液体进行加热处理,并且能够增大晶体颗粒体积,保证晶体颗粒整齐度的氯铱酸生产用结晶设备。

2、本方案采取的技术方案如下:本方案提出的一种氯铱酸生产用结晶设备,包括分离台、支撑柱、承载板、可视型双力成核机构和正反旋力型晶体成品机构,所述支撑柱设于分离台上壁,所述承载板设于支撑柱上壁,所述可视型双力成核机构设于支撑柱上,所述正反旋力型晶体成品机构设于可视型双力成核机构外侧,所述可视型双力成核机构包括锥度薄结机构、分流减薄机构和晶粒呈现机构,所述锥度薄结机构设于支撑柱外侧,所述分流减薄机构设于承载板上,所述晶粒呈现机构设于分离台上壁,所述正反旋力型晶体成品机构包括环抱式析出机构和辐射传递机构,所述环抱式析出机构设于锥度薄结机构外侧,所述辐射传递机构设于锥度薄结机构侧壁。

3、作为本案方案进一步的优选,所述锥度薄结机构包括上环板、下环板、倒锥形环架、驱动环板、从动齿条、驱动电机、主动齿轮、倒锥形铜筒和防腐涂层,所述上环板设于支撑柱靠近承载板的一端,所述下环板设于上环板下方的支撑柱外侧,所述倒锥形环架设于上环板与下环板之间,所述驱动环板分别设于上环板和下环板内壁,驱动环板转动设于上环板和下环板内壁,所述从动齿条设于驱动环板外侧,所述驱动电机设于上环板的底壁,所述主动齿轮设于驱动电机动力端,主动齿轮与从动齿条相啮合,所述倒锥形铜筒设于驱动环板之间,倒锥形铜筒为上下贯通设置,所述防腐涂层设于倒锥形铜筒的内壁;所述分流减薄机构包括氯铱酸存液筒、增压器、分流管、分流箱、喷洒管和液体泄压阀,所述氯铱酸存液筒设于承载板上壁,所述增压器设于氯铱酸存液筒上壁,增压器动力端贯穿设于氯铱酸存液筒内壁,所述分流管贯穿驱动环板连通设于倒锥形铜筒与氯铱酸存液筒之间,所述分流箱设于分流管远离氯铱酸存液筒的一侧,分流箱与分流管连通设置,分流箱设于倒锥形铜筒内部,多组所述喷洒管连通设于分流箱侧壁,所述液体泄压阀设于分流管外侧;所述晶粒呈现机构包括球座、分流容器、晶体收集筒、下晶电动阀、结晶管和脉冲发生器,所述球座设于分离台上壁,所述分流容器设于球座上壁,多组所述晶体收集筒设于分流容器外侧的分离台上壁,多组所述下晶电动阀贯穿倒锥形环架底部的驱动环板连通设于倒锥形铜筒与分流容器之间,下晶电动阀与倒锥形铜筒内壁锐角设置,所述结晶管连通设于分流容器与晶体收集筒之间,所述脉冲发生器设于晶体收集筒上壁,脉冲发生器动力端贯穿设于晶体收集筒内壁。

4、使用时,驱动电机通过动力端带动主动齿轮转动,主动齿轮与从动齿条相啮合,主动齿轮通过从动齿条带动驱动环板转动,驱动环板带动倒锥形铜筒旋转做离心运动,此时,增压器通过动力端向氯铱酸存液筒内部增压,当氯铱酸存液筒内部的压力达到液体泄压阀设置的泄压值时,分流管导通,氯铱酸存液筒内部的氯铱酸液体通过分流管流入到分流箱内部,分流箱通过喷洒管将氯铱酸液体喷出,氯铱酸液体喷洒到倒锥形铜筒侧壁,氯铱酸液体沿倒锥形铜筒侧壁向下流动,氯铱酸液体沿倒锥形铜筒侧壁向下流动的过程中的流动厚度被逐渐缩减,倒锥形铜筒远离下环板的一端开设有蒸汽口,便于氯铱酸液体在结晶时产生的蒸汽排出。

5、优选地,所述环抱式析出机构包括环抱弹簧、外挡磁板、导向口、导向柱、限位板、驱动电磁铁、传导架、导温铜块、半导体制冷组、温控铜柱和温度监测传感器,多组所述环抱弹簧设于倒锥形环架侧壁,所述外挡磁板设于环抱弹簧远离倒锥形环架的一侧,所述导向口对称设于外挡磁板侧壁,所述导向柱贯穿导向口设于倒锥形环架侧壁,所述限位板设于导向柱远离倒锥形环架的一侧,所述驱动电磁铁设于导向柱外侧的倒锥形环架侧壁,驱动电磁铁与外挡磁板异极设置,所述传导架对称设于外挡磁板两侧,所述导温铜块设于传导架远离外挡磁板的一端,所述半导体制冷组设于外挡磁板远离环抱弹簧的一侧,所述温控铜柱设于半导体制冷组制热端与导温铜块之间,所述温度监测传感器设于倒锥形铜筒靠近上环板的一端内壁,温度监测传感器的监测端与倒锥形铜筒内壁贴合设置;所述辐射传递机构包括导温铜弧板和温度辐射铜板,所述导温铜弧板设于倒锥形环架侧壁,所述温度辐射铜板设于导温铜弧板靠近倒锥形铜筒的一侧。

6、使用时,驱动电磁铁通电产生磁性,驱动电磁铁与外挡磁板异极设置,驱动电磁铁固定在倒锥形环架侧壁通过磁力吸附外挡磁板,外挡磁板在环抱弹簧的形变下沿导向柱滑动靠近倒锥形环架侧壁,外挡磁板带动传导架向倒锥形铜筒的一侧运动,传导架带动导温铜块靠近倒锥形铜筒侧壁半导体制冷组制热端通过温控铜柱对导温铜块加热,导温铜块通过温度辐射铜板对倒锥形铜筒加热,倒锥形铜筒温度升高后促使氯铱酸液体加热进行结晶作业,温度监测传感器对倒锥形铜筒的温度进行实时监测,当温度监测传感器监测倒锥形铜筒的温度下降时,驱动电磁铁磁力增大,驱动电磁铁通过磁力吸附外挡磁板,使得导温铜块与温度辐射铜板之间间距缩短,温度辐射铜板受到的热辐射温度升高,从而使倒锥形铜筒的温度升高到用户需要的温度,在倒锥形铜筒的旋转离心力下,使氯铱酸液体紧紧的贴合在倒锥形铜筒的侧壁,从而减缓氯铱酸液体向下的流动速度,使得加热倒锥形铜筒可以充分对氯铱酸液体进行加热结晶作业,氯铱酸液体结晶后产生的晶体下落到下环板的上壁放置。

7、具体地,所述晶体收集筒侧壁设有控制器。

8、其中,所述控制器分别与驱动电机、增压器、驱动电磁铁、下晶电动阀、脉冲发生器和半导体制冷组电性连接。

9、优选地,所述控制器的型号为syc89c52rc-401。

10、采用上述结构本方案取得的有益效果如下:

11、与现有技术相比,本方案采用双侧旋转力的方式,一方面,能够增加氯铱酸液体在顺流时与倒锥形铜筒的接触压力,减缓氯铱酸液体的流动速度,使加热后的倒锥形铜筒可以充分的对氯铱酸液体进行加热处理,并且,通过对氯铱酸液体的方向驱动,使得结晶后的氯铱酸液体能够进行降温析晶作业,进而提高晶体的颗粒体积和晶体颗粒的平整度,大大的提高了氯铱酸液体的结晶质量,驱动电磁铁固定在倒锥形环架侧壁通过磁力吸附外挡磁板,外挡磁板在环抱弹簧的形变下沿导向柱滑动靠近倒锥形环架侧壁,外挡磁板带动传导架向倒锥形铜筒的一侧运动,传导架带动导温铜块靠近倒锥形铜筒侧壁半导体制冷组制热端通过温控铜柱对导温铜块加热,导温铜块通过温度辐射铜板对倒锥形铜筒加热,倒锥形铜筒温度升高后促使氯铱酸液体加热进行结晶作业。

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