一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置的制作方法

文档序号:35810183发布日期:2023-10-22 04:47阅读:31来源:国知局
一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置的制作方法

本技术涉及多晶硅生产设备,尤其涉及一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置。


背景技术:

1、在西门子法生产多晶硅的工艺中,为保证产品的质量,每炉次都需要对还原炉钟罩进行清洗。由于在生产过程中,还原炉钟罩的内壁上会附着大量的硅粉和硅烷类物料,被清洗下来的硅粉粒度很细,会随着水流进入后端,造成环境污染和后端设备磨损;硅烷类物料容易与水反应生成氢气等可燃气体,极易造成沉降池起火燃烧的安全风险。现阶段采用的沉降池为普通池体,沉降效率低,而且需要通过人工对沉降池进行清理,作业效率低,劳动强度大,并且具有安全风险。


技术实现思路

1、有鉴于此,本实用新型提供一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,主要目的在于提升硅粉沉降和清理效率,降低安全风险。

2、为达到上述目的,本实用新型主要提供如下技术方案:

3、本实用新型的实施例提供一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,包括:池体、螺旋输送器、喷淋机构和抽吸机构;

4、所述池体为上端开口的槽状结构;所述池体的一端具有进水口;所述池体的另一端具有出水口;所述出水口的高度较所述进水口的高度低;

5、所述池体的底部为圆弧形的导流槽;所述导流槽的一端的高度较另一端的高度低;

6、所述池体的顶部固定地设置有上折流板;所述上折流板为多个;多个所述上折流板沿所述池体的流通方向间隔设置;所述上折流板的下端较所述出水口的高度低;

7、所述池体的下部固定地设置有下折流板;所述下折流板为多个;多个所述下折流板沿所述池体的流通方向间隔设置;所述下折流板与所述上折流板依次交替设置;所述下折流板的上端位于所述上折流板的高度的1/3~2/3处;

8、所述螺旋输送器设置在所述导流槽内,用于推动所述导流槽内的物料向下流动;

9、所述抽吸机构包括:抽吸壳体和抽吸风机;

10、所述抽吸壳体固定地设置在所述池体的上方;

11、所述抽吸风机通过管道与所述抽吸壳体连通,用于通过所述抽吸壳体抽吸所述池体内物料释放的气体;

12、所述喷淋机构包括:喷淋头和喷淋泵;

13、所述喷淋头固定地设置在所述抽吸壳体的下方;

14、所述喷淋泵通过水管与所述喷淋头连通,用于通过所述喷淋头向所述池体内喷射冷却液体。

15、进一步地,所述下折流板的上端位于所述上折流板的高度的1/2处。

16、进一步地,所述池体的上部的宽度较下部的宽度大。

17、进一步地,所述出水口上设置有闸门。

18、进一步地,所述池体的一侧固定地设置有扶梯。

19、进一步地,所述导流槽的直径不大于所述下折流板的高度的1/2。

20、进一步地,所述下折流板的高度与所述上折流板的高度相同。

21、借由上述技术方案,本实用新型还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置至少具有下列优点:

22、能够提升硅粉沉降和清理效率,降低安全风险。

23、上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。



技术特征:

1.一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,包括:池体、螺旋输送器、喷淋机构和抽吸机构;

2.根据权利要求1所述的还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,所述池体的上部的宽度较下部的宽度大。

4.根据权利要求1所述的还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,所述出水口上设置有闸门。

5.根据权利要求1所述的还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,所述池体的一侧固定地设置有扶梯。

6.根据权利要求1所述的还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,所述导流槽的直径不大于所述下折流板的高度的1/2。

7.根据权利要求6所述的还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其特征在于,所述下折流板的高度与所述上折流板的高度相同。


技术总结
本技术涉及多晶硅生产设备技术领域,尤其涉及一种还原炉钟罩清洗液中硅粉沉降装置,其包括:池体、螺旋输送器、喷淋机构和抽吸机构;池体为上端开口的槽状结构;池体的一端具有进水口,另一端具有出水口;池体的底部为圆弧形的导流槽;导流槽的一端的高度较另一端的高度低;池体的顶部设置有上折流板;池体的下部设置有下折流板;螺旋输送器设置在导流槽内;抽吸机构包括:抽吸壳体和抽吸风机;抽吸壳体固定地设置在池体的上方;抽吸风机通过管道与抽吸壳体连通;喷淋机构包括:喷淋头和喷淋泵;喷淋头固定地设置在抽吸壳体的下方;喷淋泵通过水管与喷淋头连通。采用本技术能够提升硅粉沉降和清理效率,降低安全风险。

技术研发人员:张华
受保护的技术使用者:新疆大全新能源股份有限公司
技术研发日:20230526
技术公布日:2024/1/15
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