专利名称：双光阻墙光罩的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光罩，尤其涉及一种可形成双光阻墙的光罩。
背景技术：
在硅穿孔(Through Silicon Via，简称TSV)晶圆封装领域，在光玻璃表面设计和制备光阻墙，通过涂布光刻胶、曝光、显影、烘烤等步骤在玻璃表面制备具有尺寸要求的光阻墙(Cavity Wall)形成格状凹槽，类似腔体。而目前针对光阻墙的设计和制备都是单层， 这就导致了在封装较大尺寸的芯片时，光阻墙(Cavity Wall)与晶圆(Wafer)的胶合力不够，从而在后续的制程中容易引起分层、Via孔渗液等封装异常；若只增加光阻墙的宽度会导致溢胶、胶泡等不良。
实用新型内容为了克服上述缺陷，本实用新型提供了一种双光阻墙光罩，利用该双光阻墙光罩制备的双光阻墙可有效增加与晶圆的胶合面积，并可减少溢胶及胶不均勻导致的气泡无胶风险。本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是一种双光阻墙光罩，所述双光阻墙光罩上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙、光罩单元外光阻墙和光罩单元切割道，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围，所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间。这样，对清洗干净并涂有光刻胶的玻璃表面，利用该双光阻墙的光罩以及特定的曝光参数进行曝光，最后经显影和烘烤，在玻璃表面形成双光阻墙。该双光阻墙相对于单光阻墙可增加光阻墙与晶圆的胶合面积，从而增加晶圆与光阻墙的结合力，减少空腔体积，减少在高温时气体膨胀导致分层的可能性；同时，双光阻墙增加了封装较大尺寸芯片的可靠性。另外，在两道光阻墙间留有空隙，可为多余的胶提供储存空间，减少溢胶及胶分布不均勻导致的气泡无胶风险。本实用新型的有益效果是清洗干净的玻璃涂布光刻胶后，通过该双光阻墙的光罩以及特定的曝光参数进行曝光，最后经显影和烘烤，在玻璃表面形成双光阻墙。该双光阻墙相对于单光阻墙可增加光阻墙与晶圆的胶合面积，从而增加晶圆与光阻墙的结合力，减少空腔体积，减少在高温时气体膨胀导致分层的可能性；同时，双光阻墙增加了封装较大尺寸芯片的可靠性。另外，在两道光阻墙间留有空隙，可为多余的胶提供储存空间，减少溢胶及胶分布不均勻导致的气泡无胶风险。
图1为本实用新型所述双光阻墙光罩结构示意图；图2为本实用新型所述双光阻墙光罩单元结构示意图。结合附图，作以下说明[0009]1——双光阻墙光罩单元11光罩单元内光阻墙12——光罩单元切割道13——光罩单元外光罩墙
具体实施方式
一种双光阻墙光罩，其上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元1，每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙11、光罩单元外光阻墙13和光罩单元切割道12，光罩单元外光阻墙设于光罩单元内光阻墙外围，光罩单元切割道设于光罩单元内光阻墙和光罩单元外光阻墙之间。这样，对清洗干净并涂有光刻胶的玻璃表面，利用该双光阻墙的光罩以及特定的曝光参数进行曝光，最后经显影和烘烤，在玻璃表面形成双光阻墙。该双光阻墙相对于单光阻墙可增加光阻墙与晶圆的胶合面积，从而增加晶圆与光阻墙的结合力，减少空腔体积， 减少在高温时气体膨胀导致分层的可能性；同时，双光阻墙增加了封装较大尺寸芯片的可靠性。另外，在两道光阻墙间留有空隙，可为多余的胶提供储存空间，减少溢胶及胶分布不均勻导致的气泡无胶风险。
权利要求1. 一种双光阻墙光罩，其特征在于所述双光阻墙光罩上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元(1)，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙(11)、光罩单元外光阻墙(13)和光罩单元切割道(12)，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围， 所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间。
专利摘要本实用新型公开了一种双光阻墙光罩，其上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙、光罩单元外光阻墙和光罩单元切割道，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围，所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间。利用该双光阻墙光罩制备的双光阻墙可有效增加与晶圆的胶合面积，并可减少溢胶及胶不均匀导致的气泡无胶风险。
文档编号B81C1/00GK201955617SQ20112000350
公开日2011年8月31日 申请日期2011年1月7日 优先权日2011年1月7日
发明者施林波, 王晔晔 申请人:昆山西钛微电子科技有限公司