圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法
【专利摘要】圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，它涉及一种抗过载结构微压传感器的制造方法。本发明为了解决现有的方法得到应力匀散结构具有加工复杂的技术问题。本方法如下：一、一次氧化；二、注硼；三、光刻；四、刻蚀高掺杂硅；五、二次氧化；六、正面光刻；七、正面干法刻蚀；八、蒸铝；九、背面光刻；十、背面干法刻蚀；十一、静电封接；十二、分离。本发明采用交替刻蚀、钝化的干法刻蚀工艺，在应力集中的角区制作出圆弧结构，降低角区应力。该方法具有节省图形面积、加工简单、传感器量程容易调整、可以加工任意形状膜的特点。本发明属于抗过载微压传感器的制造领域。
【专利说明】圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种抗过载结构微压传感器的制造方法。
【背景技术】
[0002]现有的硅微压传感器主要采用通过各向异性腐蚀的方法加工压力敏感结构，由于微压传感器需要考虑输出线性和灵敏度的要求，需要设计梁-膜-岛结构以使应力集中，并且需要感压膜很薄以敏感微小压力的变化获得较高的灵敏度，这就带来了微压传感器抗过载能力不行的问题。根据力学原理，在角区存在应力集中效应，使硅膜在正面或背面受压以后，角区会具有应力的极值，因此破裂首先从该处发生。引入应力匀散结构以后，使角区变成具有一定曲率的圆角区，使该区的应力极值下降。在硅膜与边框或背岛的交界处要形成有一定曲率半经的缓变结构，采用一般的常规各向异性湿法腐蚀是无法实现的。为此，采用了掩模-无掩模各向异性湿法腐蚀技术，其结构为两段斜坡的应力匀散结构，采用掩膜-无掩膜各向异性腐蚀技术，存在着加工复杂，传感器量程不易调整的缺点。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了解决现有的方法得到应力匀散结构具有加工复杂不易调整的技术问题，提供了一种圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法。
[0004]圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下:
[0005]一、将SOI晶片放入氧化炉进行氧化，在SOI晶片表面形成氧化层；
[0006]二、将经过步骤一处理的SOI晶片放入离子注入机，在SOI晶片的一面注入浓度为2 X IO2W,能量为80kev的浓硼；
[0007]三、光刻:在SOI晶片注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0008]四、刻蚀高掺杂硅:采用刻蚀机对经过步骤三处理的SOI晶片注入浓硼的一面进行刻蚀；
[0009]五、二次氧化:将经过步骤五处理的SOI晶片放入氧化炉进行氧化；
[0010]六、正面光刻:将SOI晶片未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0011]七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的SOI晶片注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去SOI晶片未注入浓硼的
一面的氧化层；
[0012]八、蒸铝:使用蒸发台在SOI晶片未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝；
[0013]九、背面光刻:将光刻胶涂在SOI晶片注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在SOI晶片未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；
[0014]十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400sCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的SOI晶片未注入浓硼的一面；
[0015]十一、静电封接:采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的SOI晶片在键合温度为360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片;
[0016]十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
[0017]圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下:
[0018]一、将单晶硅放入氧化炉进行氧化，在单晶硅表面形成氧化层；
[0019]二、将经过步骤一处理的单晶硅放入离子注入机，在单晶硅的一面注入浓度为2 X IO2W,能量为80kev的浓硼；
[0020]三、光刻:在单晶硅注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0021]四、刻蚀高掺杂硅:采用刻蚀机对经过步骤三处理的单晶硅注入浓硼的一面进行刻蚀；
[0022]五、二次氧化:将经过步骤五处理的单晶硅放入氧化炉进行氧化；
[0023]六、正面光刻:将单晶硅未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0024]七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的单晶硅注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去单晶硅未注入浓硼的一面的氧化层；
[0025]八、蒸铝:使用蒸发台在单晶硅未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝；
[0026]九、背面光刻:将光刻胶涂在单晶硅注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在单晶硅未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；
[0027]十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400sCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的单晶硅未注入浓硼的一面；
[0028]十一、静电封接:采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的单晶硅在键合温度为360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片;
[0029]十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
[0030]所述的SOI晶片或单晶硅为P型硅。
[0031]所述的光刻胶型号为光刻胶AZ1500。
[0032]步骤七中除去铝的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝；步骤七中除去光刻胶的方法如下:在丙酮内溶解光刻胶。
[0033]步骤九中除去剩余的铝层的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝层。
[0034]干法工艺加工圆弧形应力匀散结构的原理:在硅衬底上进行的微压传感器深刻蚀使用干法刻蚀工艺，它是由一系列交替的蚀刻和沉积步骤所组成。工艺气体SF6被用来实现硅的高速蚀刻以及掩膜的高选择比，但具有各向同性蚀刻的特性。在沉积步骤中，工艺气体C4F8被用来在所有暴露表面下沉积抗刻蚀的聚合物，各向性沉积形成钝化层。在下一步刻蚀步骤之前，聚合物从深结构底部被各向异性地去除(侧壁仍有聚合物保护)，这样以便在结构刻蚀过程中，侧壁可以防止横向蚀刻而受到保护。如此，通过一系列各向同性的蚀刻和沉积得到近似垂直的蚀刻剖面。
[0035]在高深宽比硅刻蚀过程中，离子是主要的刻蚀剂，它们的运动方向决定了被刻蚀结构的型貌，当刻蚀结构达到一定深度后，由微结构形成的局部电场就会对离子的运动轨迹产生影响，使靠近微结构侧壁的离子偏离了在偏压电场中的运动方向，被偏转到结构的侧壁，不能直接到达槽底。对于刻蚀面积较大的结构来说，虽然侧壁附近的离子运动轨迹发生了偏离，但大多数离子仍然能够到达槽底，不会影响宽槽底面的刻蚀速率。通过调整工艺条件中的偏压功率、反应压力这些影响离子运动的参数，使靠近侧壁的离子在期望的位置偏转，加工出圆弧状的抗过载结构，远离侧壁的离子不受影响，加工出微压传感器的敏感梁膜结构。
[0036]由力学分析表明，在尖锐的角区存在应力集中效应,应力的集中程度与角区的曲率半径有关，曲率半径的增大会使应力极值下降，从而使器件的耐压程度迅速提高。在应力集中的角区制作制作出圆弧结构，可以降低角区应力，通过有限元软件ANSYS进行仿真，本发明方法可以降低约60%的应力极值，对于5kPa量程的微压传感器芯片，可以将过载能力从目前的5倍提高到20倍(即IOOkPa)。
[0037]采用干法刻蚀的方法，可以加工出具有高抗过载圆弧形应力匀散结构的微压传感器，其优点是应力匀散过载结构可通过调整工艺参数来实现，传感器的量程可以在加工过程中通过改变感压膜厚度进行调整，同时该方法可以加工任意形状的背面参考腔，不局限于圆形、矩形等规则形状(采用湿法腐蚀等传统工艺必须采用的结构)，使设计多样化，该方法不用考虑湿法腐蚀斜坡占用图形面积和凸角补偿的问题，进而减小了传感器芯片尺寸，简化了设计流程。
[0038]本发明采用交替刻蚀、钝化的干法刻蚀工艺，在应力集中的角区制作出圆弧结构，降低角区应力。该方法具有节省图形面积、加工简单、传感器量程容易调整、可以加工任意形状膜的特点。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]图1是湿法腐蚀工艺加工的抗过载结构示意图，图中a表示应力匀散结构；
[0040]图2是本发明方法圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的抗过载结构示意图，图中b表示应力匀散结构；
[0041]图3是实验一中制备圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0042]本发明技术方案不局限于以下所列举【具体实施方式】，还包括各【具体实施方式】间的任意组合。
[0043]【具体实施方式】一:本实施方式圆弧应力勻散结构抗过载微压传感器的制造方法如下:
[0044]—、将SOI晶片放入氧化炉进行氧化，在SOI晶片表面形成氧化层；[0045]二、将经过步骤一处理的SOI晶片放入离子注入机，在SOI晶片的一面注入浓度为2 X IO2W,能量为80kev的浓硼；
[0046]三、光刻:在SOI晶片注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0047]四、刻蚀高掺杂硅:采用刻蚀机对经过步骤三处理的SOI晶片注入浓硼的一面进行刻蚀；
[0048]五、二次氧化:将经过步骤五处理的SOI晶片放入氧化炉进行氧化；
[0049]六、正面光刻:将SOI晶片未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0050]七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的SOI晶片注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去SOI晶片未注入浓硼的
一面的氧化层；
[0051]八、蒸铝:使用蒸发台在SOI晶片未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝；
[0052]九、背面光刻:将光刻胶涂在SOI晶片注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在SOI晶片未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；
[0053]十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的SOI晶片未注入浓硼的一面；
[0054]十一、静电封接:采用键合机将玻璃片`与经过步骤十处理的SOI晶片在键合温度为360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片;
[0055]十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
[0056]【具体实施方式】二:本实施方式与【具体实施方式】一不同的是步骤一中所述的SOI晶片为P型娃。其它与【具体实施方式】一相同。
[0057]【具体实施方式】三:本实施方式与【具体实施方式】一或二之一不同的是步骤三、步骤六、步骤七、步骤九及步骤十中所述的光刻胶型号为光刻胶AZ1500。其它与【具体实施方式】一或二之一不相同。
[0058]【具体实施方式】四:本实施方式与【具体实施方式】一至三之一不同的是步骤七中除去铝的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝；步骤七中除去光刻胶的方法如下:在丙酮内溶解光刻胶。其它与【具体实施方式】一至三之一相同。
[0059]【具体实施方式】五:本实施方式与【具体实施方式】一至四之一不同的是步骤九中除去剩余的铝层的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝层。其它与【具体实施方式】一至四之一相同。
[0060]【具体实施方式】六:本实施方式圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下:
[0061]一、将单晶硅放入氧化炉进行氧化，在单晶硅表面形成氧化层；
[0062]二、将经过步骤一处理的单晶硅放入离子注入机，在单晶硅的一面注入浓度为2 X IO2W,能量为80kev的浓硼；[0063]三、光刻:在单晶硅注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0064]四、刻蚀高掺杂硅:采用刻蚀机对经过步骤三处理的单晶硅注入浓硼的一面进行刻蚀；
[0065]五、二次氧化:将经过步骤五处理的单晶硅放入氧化炉进行氧化；
[0066]六、正面光刻:将单晶硅未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；
[0067]七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的单晶硅注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去单晶硅未注入浓硼的一面的氧化层；
[0068]八、蒸铝:使用蒸发台在单晶硅未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝；
[0069]九、背面光刻:将光刻胶涂在单晶硅注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在单晶硅未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；
[0070]十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的单晶硅未注入浓硼的一面；
[0071]十一、静电封接:采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的单晶硅在键合温度为360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片;
[0072]十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
[0073]【具体实施方式】七:本实施方式与【具体实施方式】六不同的是步骤一中所述的单晶硅为P型娃。其它与【具体实施方式】六相同。
[0074]【具体实施方式】八:本实施方式与【具体实施方式】六或七之一不同的是步骤三、步骤
六、步骤七、步骤九及步骤十中所述的光刻胶型号为光刻胶AZ1500。其它与【具体实施方式】六或七之一不相同。
[0075]【具体实施方式】九:本实施方式与【具体实施方式】六至八之一不同的是步骤七中除去铝的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝；步骤七中除去光刻胶的方法如下:在丙酮内溶解光刻胶。其它与【具体实施方式】六至八之一相同。
[0076]【具体实施方式】十:本实施方式与【具体实施方式】六至九之一不同的是步骤九中除去剩余的铝层的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝层。其它与【具体实施方式】六至九之一相同。
[0077]采用下述实验验证本发明效果:
[0078]实验一:
[0079]结合图3，圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下:
[0080]一、将单晶硅放入L4514-3/QXG型氧化炉进行氧化，氧化温度为1050°C，在单晶硅表面形成氧化层，氧化层厚度50nm ；
[0081]二、将经过步骤一处理的单晶硅放入离子注入机，在单晶硅的一面注入浓度为2 X IO2W,能量为80kev的浓硼；
[0082]三、光刻:在单晶硅注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用EVG-620光刻机进行光刻；[0083]四、刻蚀高掺杂硅(刻蚀中应保证将器件层高掺杂硅刻蚀透并不损伤下面的氧化层):采用PHANTOM II型刻蚀机对经过步骤三处理的单晶硅注入浓硼的一面进行刻蚀(工艺参数:SF6气体流量:50sccm，压力:5Pa，功率:100W，刻蚀时间lmin)，形成第一凹槽4、第二凹槽5 ;
[0084]五、二次氧化:将经过步骤五处理的单晶硅放入L4514-3/QXG型氧化炉进行氧化，氧化温度为1050°C,氧化层厚度为200nm~250nm ；
[0085]六、正面光刻:将单晶硅未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻形成第三凹槽3 ;
[0086]七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的单晶硅注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，用氢氟酸除去单晶硅未注入浓硼的一面的氧化层，形成深度10微米的第三凹槽3、第一敏感电阻2-1、第二敏感电阻2-2、第三敏感电阻2-3和第四敏感电阻2-4 ；
[0087]八、蒸铝:使用DM-450C蒸发台在单晶硅未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的招;
[0088]九、背面光刻:将光刻胶涂在单晶硅注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在单晶硅未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；
[0089]十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的单晶硅未注入浓硼的一面，形成第四凹槽6 (深度为370微米)、第五凹槽7 (深度为370微米)、第一圆弧应力匀散结构1-1、第二圆弧应力匀散结构1-2、第三圆弧应力匀散结构1-3和第四圆弧应力匀散结构1-4 ；
[0090]十一、静电封接:采用EVG-501键合机将玻璃片与经过步骤十处理的单晶硅在键合温度为360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片；
[0091]十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片用HP-602A划片机分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
【权利要求】
1.圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下: 一、将SOI晶片放入氧化炉进行氧化，在SOI晶片表面形成氧化层； 二、将经过步骤一处理的SOI晶片放入离子注入机，在SOI晶片的一面注入浓度为2 X IO2W,能量为80kev的浓硼； 三、光刻:在SOI晶片注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻； 四、刻蚀高掺杂硅:采用刻蚀机对经过步骤三处理的SOI晶片注入浓硼的一面进行刻蚀； 五、二次氧化:将经过步骤五处理的SOI晶片放入氧化炉进行氧化； 六、正面光刻:将SOI晶片未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻； 七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的SOI晶片注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去SOI晶片未注入浓硼的一面的氧化层； 八、蒸铝:使用蒸发台在SOI晶片未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝； 九、背面光刻:将光刻胶涂在SOI晶片注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在SOI晶片未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；` 十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400sCCm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的SOI晶片未注入浓硼的一面； 十一、静电封接:采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的SOI晶片在键合温度为360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片; 十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
2.根据权利要求1所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤一中所述的SOI晶片为P型硅。
3.根据权利要求1或2所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤三、步骤六、步骤七、步骤九及步骤十中所述的光刻胶型号为光刻胶AZ1500。
4.根据权利要求1或2所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤七中除去铝的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝；步骤七中除去光刻胶的方法如下:在丙酮内溶解光刻胶。
5.根据权利要求1或2所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤九中除去剩余的铝层的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝层。
6.圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下: 一、将单晶硅放入氧化炉进行氧化，在单晶硅表面形成氧化层； 二、将经过步骤一处理的单晶硅放入离子注入机，在单晶硅的一面注入浓度为.2 X IO2W,能量为80kev的浓硼； 三、光刻:在单晶硅注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻； 四、刻蚀高掺杂硅:采用刻蚀机对经过步骤三处理的单晶硅注入浓硼的一面进行刻蚀； 五、二次氧化:将经过步骤五处理的单晶硅放入氧化炉进行氧化； 六、正面光刻:将单晶硅未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻； 七、正面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300SCCm、C4F8流量为.150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的单晶硅注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去单晶硅未注入浓硼的一面的氧化层； 八、蒸铝:使用蒸发台在单晶硅未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝； 九、背面光刻:将光刻胶涂在单晶硅注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在单晶硅未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层； 十、背面干法刻蚀:采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400sCCm、C4F8流量为.150sccm、上电极功率为1500W、 下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的单晶硅未注入浓硼的一面； 十一、静电封接:采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的单晶硅在键合温度为.360°C、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片; 十二、分离:将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。
7.根据权利要求6所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤一中所述的单晶硅为P型硅。
8.根据权利要求6或7所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤三、步骤六、步骤七、步骤九及步骤十中所述的光刻胶型号为光刻胶AZ1500。
9.根据权利要求6或7所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤七中除去铝的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝；步骤七中除去光刻胶的方法如下:在丙酮内溶解光刻胶。
10.根据权利要求6或7所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤九中除去剩余的铝层的方法如下:在温度为80°C、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝层。
【文档编号】B81C1/00GK103693614SQ201310744570
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年12月30日 优先权日:2013年12月30日
【发明者】王永刚, 田雷, 金建东, 王明伟, 李海博, 刘智辉, 尹延昭, 王晓光, 李玉玲, 毛宏庆 申请人:中国电子科技集团公司第四十九研究所