技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于在硅衬底内构造空腔的方法，其中，硅衬底的表面相对于硅衬底的第一平面具有倾斜角，其中，第一平面为硅衬底的{111}平面，并且在硅衬底的表面上布置蚀刻掩模。蚀刻掩模具有伸进掩模开口内的第一前置结构。蚀刻掩模还具有第一蚀刻开端区域。掩模开口在第一蚀刻开端区域以外的所有其他棱边布置为基本上平行于硅衬底的{111}平面。所述方法包括在一个确定的蚀刻持续时间期间的各向异性地蚀刻硅衬底作为另一步骤。在此，朝向硅衬底的<111>方向的蚀刻速率小于朝向其他空间方向的蚀刻速率，并且第一前置结构从第一蚀刻开端区域出发朝向第一侧蚀方向地侧蚀。蚀刻持续时间这样确定，使得通过各向异性蚀刻在硅衬底内构造空腔，空腔在硅衬底的表面上具有开口。蚀刻持续时间这样确定，使得在经过该蚀刻持续时间之后，硅衬底的第一平面基本上露出并且构成空腔的底面。
技术研发人员：B·施托伊尔;J·托马斯科;S·平特;D·哈贝雷尔;S·安布鲁斯特
受保护的技术使用者：罗伯特·博世有限公司
技术研发日：2015.05.29
技术公布日：2017.08.18