技术总结
本申请公开了MEMS器件。所述MEMS器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层和所述衬底上的结构层；以及位于所述结构层上的第一布线层，其中，位于所述第一绝缘层中的空腔，所述结构层的第一部分位于空腔上方从而形成可动结构，其中，所述MEMS器件还包括表面保护层，所述表面保护层位于所述可动结构和所述第一绝缘层至少之一在所述空腔内的暴露表面上。该MEMS器件利用表面保护层的疏水性和/或耐磨性能，减少微构件之间的粘附和磨损。
技术研发人员：季锋;闻永祥;刘琛;覃耀慰
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
文档号码：201621077853
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.05.31