技术特征：
技术总结
本发明公开了一种聚酰亚胺表面微结构制备方法，属于微纳制备应用领域，该方法在进行反应离子刻蚀时，先刻蚀时间为t1，刻蚀深度为h1，材料表面温度为T1；然后停止刻蚀自然冷却时间为t2，冷却后，材料表面温度降为室温；刻蚀/停止刻蚀自然冷却的循环。该制备方法是首次在PI薄膜表面制备较高深宽比的微结构。制备成本相对低廉，可获得图形可控的微结构，并与微电子、微机电工艺兼容，为深入研究几何形貌对润湿性能的影响提供了有力的手段。而且，通过这种周期性刻蚀—停止刻蚀自然冷却—刻蚀，刻蚀只沿着深度方向进行。
技术研发人员：苑伟政;何洋;吕湘连;卢江波;徐玉坤;王颖
受保护的技术使用者：西北工业大学
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.07.24