技术特征：
技术总结
本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。
技术研发人员：张智杭;王乙翕;刘人豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.11.28
技术公布日：2019.06.25