半导体封装装置和其制造方法与流程

文档序号:24642347发布日期:2021-04-13 13:43阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种电子模块,其包括:传感装置,其具有有源表面和与所述传感装置的所述有源表面相邻安置的传感区域;第一保护膜,其安置在所述传感装置的所述有源表面上且完全覆盖所述传感区域;和第二保护膜,其与所述第一保护膜和所述传感装置的所述有源表面接触。2.根据权利要求1所述的电子模块,其中所述第二保护膜与所述传感装置之间的接合强度大于所述第一保护膜与所述传感装置之间的接合强度。3.根据权利要求1所述的电子模块,其中所述第一保护膜和所述第二保护膜由不同材料形成。4.根据权利要求3所述的电子模块,其中所述第二保护膜由包含羟基的材料形成。5.根据权利要求3所述的电子模块,其中所述第一保护膜包含疏水性材料。6.根据权利要求1所述的电子模块,其中所述第二保护膜在所述传感装置的所述有源表面上的投影与所述传感区域间隔开。7.根据权利要求1所述的电子模块,其中所述第一保护膜包含一或多个开口以暴露所述传感装置的所述有源表面的一部分,且所述第二保护膜安置在所述开口内且与从所述第一保护膜暴露的所述有源表面的所述部分接触。8.根据权利要求7所述的电子模块,其中所述第一保护膜的所述开口彼此间隔开。9.根据权利要求7所述的电子模块,其中所述开口围绕所述传感装置的所述传感区域。10.一种半导体装置封装,其包括衬底;传感装置,其安置在所述衬底上,所述传感装置具有背对所述衬底的有源表面和与所述传感装置的所述有源表面相邻安置的传感区域;第一保护膜,其安置在所述传感装置的所述有源表面上且完全覆盖所述传感区域;和第二保护膜,其与所述第一保护膜和所述传感装置的所述有源表面接触。11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第二保护膜与所述传感装置之间的接合强度大于所述第一保护膜与所述传感装置之间的接合强度。12.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第一保护膜和所述第二保护膜由不同材料形成。13.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第二保护膜在所述传感装置的所述有源表面上的投影与所述传感区域间隔开。14.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第一保护膜包含一或多个开口以暴露所述传感装置的所述有源表面的一部分,且所述第二保护膜安置在所述开口内且与从所述第一保护膜暴露的所述有源表面的所述部分接触。15.根据权利要求14所述的半导体装置封装,其中所述第一保护膜的所述开口彼此间隔开。16.根据权利要求14所述的半导体装置封装,其中所述开口围绕所述传感装置的所述传感区域。17.根据权利要求14所述的半导体装置封装,其进一步包括:接合线,其将所述传感装置的所述有源表面上的导电衬垫连接到所述衬底;和封装主体,其安置在所述衬底上且覆盖从所述第一保护膜和所述第二保护膜暴露的所
述传感装置的所述有源表面的一部分。18.一种制造电子模块的方法,其包括:(a)提供传感装置,所述传感装置具有有源表面和与所述传感装置的所述有源表面相邻安置的传感区域;(b)在所述传感装置的所述有源表面上形成第一保护膜以完全覆盖所述传感装置的所述传感区域;以及(c)形成与所述第一保护膜的一部分和所述传感装置的所述有源表面接触的第二保护膜。19.根据权利要求18所述的方法,其中操作(b)进一步包括形成一或多个开口以穿透所述第一保护膜从而暴露所述传感装置的所述有源表面的一部分。20.根据权利要求19所述的方法,其中所述开口(c)进一步包括在所述开口内形成所述第二保护膜,且与从所述第一保护膜暴露的所述传感装置的所述有源表面的所述部分接触。21.根据权利要求19所述的方法,其中所述开口围绕所述传感装置的所述传感区域。22.根据权利要求18所述的方法,其中所述第二保护膜与所述传感装置之间的接合强度大于所述第一保护膜与所述传感装置之间的接合强度。
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