技术特征：
1.一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用自组装法制备得到六方密排的单层聚苯乙烯微球阵列；(2)利用离子束刻蚀技术对所得到的单层聚苯乙烯微球阵列进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，自组装法具体步骤为：将聚苯乙烯小球和无水乙醇混合、均匀分散，得聚苯乙烯小球分散液；将聚苯乙烯小球分散液滴在亲水性硅片上，使聚苯乙烯小球分散液均匀分布在亲水性硅片上后，将亲水性硅片缓慢、倾斜地滑入液面平稳的去离子水中，使聚苯乙烯小球在水面上形成密排的单层聚苯乙烯小球阵列；用清洗后的硅片将浮在水面上的单层聚苯乙烯小球阵列缓慢捞起，吸水干燥后备用。3.根据权利要求2所述的一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，聚苯乙烯小球直径为500nm。4.根据权利要求2所述的一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述聚苯乙烯小球和无水乙醇混合按体积比1:1混合。5.根据权利要求2所述的一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，分散采用超声分散。6.根据权利要求2所述的一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，清洗后的硅片通过以下方法制得：将硅片并放入烧杯中，在烧杯中分别加入体积比为1:2:6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中；再将烧杯放在烤焦台上加热至沸腾，并保持煮沸10～20min，冷却后将液体倒出，依次用去离子水，无水乙醇反复超声10～15min。7.根据权利要求1所述的一种周期性纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，离子束刻蚀的工艺参数为：刻蚀时间为15min，刻蚀气体为ar，刻蚀时真空度为5
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pa，放电电压为60～70v，灯丝电流为5～8a，加速电压为200～300v，束流30～50ma，束流与样品所成角度为0
°
～90
°
。
技术总结
本发明公开了一种周期性纳米阵列的制备方法，包括以下步骤：(1)采用自组装法制备得到六方密排的单层聚苯乙烯微球阵列；(2)利用离子束刻蚀技术对所得到的单层聚苯乙烯微球阵列进行刻蚀。本发明以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，利用离子束刻蚀对对纳米球阵列的形貌可控的进行轰击，由于刻蚀角度不同，阴影效应略有不同，进而使得所形成的沟道大小不同，使得整个纳米结构方向性也略有不同，该结构良好的周期性及方向性对于新型纳米结构的制备会具有较大的应用。有较大的应用。
技术研发人员：张永军 唐秀霞 赵晓宇 温嘉红 王雅新 张鉴 钟家松 孔哲
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2021.10.20
技术公布日：2022/1/28