技术特征：
1.制造纳米级沟道结构的方法，其包括以下步骤：a) 在基底(1)上沉积和构造第一牺牲层(2)，b) 在基底(1)上和第一牺牲层(2)上沉积第二牺牲层(3)，c) 在第二牺牲层(3)上沉积蚀刻掩模层(4)，d) 部分去除蚀刻掩模层(4)和第二牺牲层(3)，e) 去除第一牺牲层(2)并进一步部分去除第二牺牲层(3)，f) 在蚀刻掩模层(4)上和基底(1)上沉积壁层(5)，g) 构造通向第二牺牲层(3)的入口，以及h) 去除剩余的第二牺牲层(3)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二牺牲层(3)以小于100nm的厚度沉积。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层(2)和所述第二牺牲层(3)由相同的材料沉积。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述蚀刻掩模层(4)以比所述第一牺牲层(2)更小的厚度沉积。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，部分去除所述蚀刻掩模层(4)和所述第二牺牲层(3)以及去除所述第一牺牲层(2)和进一步部分去除所述第二牺牲层(3)是通过各向异性蚀刻来进行的。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述壁层(5)由与所述蚀刻掩模层(4)相同的材料沉积。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，去除剩余的第二牺牲层(3)是通过各向同性蚀刻来进行的。8.被设置为执行根据权利要求1至7中任一项所述的方法的每个步骤的计算机程序。9.存储有根据权利要求8所述的计算机程序的机器可读存储介质。10.被设置为通过权利要求1至7中任一项所述的方法制造纳米级沟道结构的电子控制器。
技术总结
本发明涉及制造纳米级沟道结构的方法。其包括在基底(1)上沉积和构造第一牺牲层(2)，在基底(1)上和第一牺牲层(2)上沉积第二牺牲层(3)，在第二牺牲层(3)上沉积蚀刻掩模层(4)，部分去除蚀刻掩模层(4)和第二牺牲层(3)，去除第一牺牲层(2)并进一步部分去除第二牺牲层(3)，在蚀刻掩模层(4)上和基底(1)上沉积壁层，构造通向第二牺牲层(3)的入口，以及去除剩余的第二牺牲层(3)。二牺牲层(3)。二牺牲层(3)。
技术研发人员：C
受保护的技术使用者：罗伯特
技术研发日：2021.02.15
技术公布日：2022/9/16