涉及例如薄片顶表面面积中的三阱梳状蜿蜒结构的离子注入。可选择地，可集成STI蜿蜒结构。例如，具有阱贯穿测量的平面二极管可用于裂缝检测。例如，可使用栅多晶硅乃至W/0栅多晶下方的FG梳状蜿蜒。例如，可使用FG栅多晶泄漏/贯穿结构。例如，梳状电阻或(梳状-蜿蜒)贯穿电压的检测可导致薄片(膜结构)中的裂缝检测。
[0084]上述实施例可能例如在具有例如碳牺牲层的FEOL (前端制程)/BEOL (后端制程)之间的薄的薄片变体的情况下。例如可使用在多晶片之间具有介电隔离的双薄片。然而，在薄的多晶薄片中实现裂缝检测结构伴随成本增加者(adder)发生。检测上部和下部多晶片之间的漏电流可用于薄片(膜结构)的裂缝检测。关于实施例，多晶薄片可具有例如300nm的整体厚度。
[0085]当在计算机或处理器上执行计算机程序时，实施例还可提供具有用于执行上述方法之一的程序代码的计算机程序。本领域技术人员会容易意识到各种上述方法的动作可通过编程的计算机来执行。因此，一些实施例还意图覆盖程序存储设备，例如数字数据存储介质，其是指令的机器或计算机可读的并且编码机器可执行的或计算机可执行的程序，其中指令执行上述方法的动作中的一些或全部。程序存储设备例如可以是数字存储器、例如磁盘和磁带的磁存储介质、硬盘或可选可读的数字数据存储介质。实施例还意图覆盖编程以执行上述方法的动作的计算机，或者编程以执行上述方法的动作的(现场)可编程的逻辑阵列((F)PLA)或(现场)可编程门阵列((F) PGA)。
[0086]描述和附图仅示出了本公开的原理。由此应该理解本领域技术人员将能够想出个种布置，尽管没有在这里明确描述或示出，这些布置体现了本公开的原理并被包括在其精神和范围内。而且，在这里引用的所有示例主要意图明白地仅用于教育目的以帮助读者理解由一个或多个发明人贡献的本公开和概念的原理来促进本领域，并被解释为不具有对这样具体叙述的示例和条件的限制。而且，在这里叙述本公开的原理、方面和实施例，以及其具体的示例的所有的陈述意图包括其等效形式。
[0087]表示为“用于......的装置”(执行特定的功能)的功能块应该被理解为功能块包括配置成分别执行特定功能的电路。因此“用于某事物的装置”还可被理解为“配置成或适于某事物的装置”。因此配置成执行特定功能的装置不暗示这样的装置有必要正执行该功能(在给定的时刻处)。
[0088]图中示出的各种元件的功能(包括标记为“装置”、“用于提供传感器信号的装置”、“用于生成传输信号的装置”等的任何功能块)可通过使用专用硬件以及能够执行与适合软件相关联的软件的硬件来提供，所述专用硬件例如是“信号提供者”、“信号处理单元”、“处理器”、“控制器”等。而且，在这里描述为“装置”的任何实体可对应于或作为“一个或多个模块”、“一个或多个器件”、“一个或多个单元”等实现。当通过处理器提供时，功能可通过单个专用处理器，通过单个共享处理器或通过多个单独处理器(其中的一些处理器可被共享)来提供。而且，术语“处理器”或“控制器”的明确使用不应该被解释为排他地指代能够执行软件的硬件，而可暗中包括但不限于数字信号处理器(DSP)硬件、网络处理器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、用于存储软件的只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、以及非易失性存储设备。还可包括其他的硬件，常规的和/或定制的。
[0089]本领域技术人员应该理解在这里的任何框图表示体现本公开的原理的例证电路的概念上的视图。类似地，应该理解任何流程表，流程图，状态传输图，伪码等表示可基本上在计算机可读介质中表示并由计算机或处理器执行的各种过程，无论是否明确示出这样的计算机或处理器。
[0090]而且，下面的权利要求在此并入到详细的描述中，其中每个权利要求可作为分开的实施例独立存在。虽然每个权利要求可作为分开的实施例独立存在，但是应该注意尽管从属权利要求可在权利要求中指代一个或多个其他权利要求的特定组合，其他实施例还可包括具有彼此从属或独立的权利要求的主题的从属权利要求的组合。在这里提出这样的组合除非说明了特定组合不是意图的。而且，意图还包括权利要求对任何其它独立权利要求的特征，即使该权利要求不直接从属于该独立权利要求。
[0091]还应该注意说明书或权利要求中公开的方法可通过具有用于执行这些方法的相应动作中的每一个的装置的器件来实现。
[0092]而且，应该理解说明书或权利要求中公开的多个动作或功能的公开内容可以不被解释为按照特定的次序。因此，多个动作或功能的公开内容将不将其限制到特别的次序，除非这些动作或功能因技术原因而不可相互交换。而且，在一些实施例中，单个的动作可包括或可被分解为多个子动作。这些子动作可被包括在该单个动作的公开内容中且可以是该单个动作的公开内容的部分。除非明确排除。
【主权项】
1.一种微机电器件，包括: 可移动结构，其中可移动结构包括测试结构，如果可移动结构被损坏，则测试结构改变电特性。2.根据权利要求1的微机电器件，其中可移动结构包括表示布置在可移动结构的微机电元件上方的并且与微机电元件电隔离的膜结构的测试结构的至少一部分的导电层。3.根据权利要求2的微机电器件，其中缺陷检测电路连接到微机电元件和导电层。4.根据权利要求3的微机电器件，其中缺陷检测电路检测导电层和微机电元件之间的漏电流的增加或贯穿电压的降低。5.根据权利要求2的微机电器件，其中导电层与半导体器件的晶体管的栅电极同时制造。6.根据权利要求2的微机电器件，其中导电层通过与微机电器件的晶体管的栅氧化物可同时制造的氧化物来与微机电元件隔离。7.根据权利要求1的微机电器件，其中可移动结构包括可移动结构的第一横向掺杂区域和可移动结构的第二横向掺杂区域之间的Pn结。8.根据权利要求6的微机电器件，其中缺陷检测电路连接到第一横向掺杂区域和第二横向掺杂区域。9.根据权利要求7的微机电器件，其中缺陷检测电路被配置成检测第一横向掺杂区域和第二横向掺杂区域之间的漏电流的增加或贯穿电压的降低。10.根据权利要求1的微机电器件，其中可移动结构包括浅沟槽隔离蜿蜒结构。11.根据权利要求10的微机电器件，其中可移动结构包括横向分离测试结构的两个导电梳状结构的浅沟槽隔离蜿蜒结构。12.根据权利要求1的微机电器件，其中可移动结构包括夹在上部膜层和下部膜层之间的介电隔离层。13.根据权利要求12的微机电器件，其中缺陷检测电路连接到上部膜层和下部膜层。14.根据权利要求13的微机电器件，其中缺陷检测电路被配置成检测上部膜层和下部膜层之间的漏电流的增加或贯穿电压的降低。15.根据权利要求1的微机电器件，包括连接到可移动结构的缺陷检测电路，其中缺陷检测电路被配置成独立于检测可移动结构的主要功能的感测电路而检测测试结构的电特性的改变。16.根据权利要求1的微机电器件， 其中测试结构包括与膜结构的膜层电绝缘的导电结构， 其中导电结构是到达遍及大于整个膜层的50 %的层，梳状结构或蜿蜒结构。17.根据权利要求1的微机电器件， 其中微机电器件包括布置在衬底的至少一部分和表不可移动结构的膜结构之间的腔， 其中膜结构包括如果膜结构被损坏则改变电特性的测试结构。18.根据权利要求1的微机电器件，包括配置成感测膜结构的扭曲的感测电路。19.一种包括根据权利要求1的微机电器件的压力传感器器件。20.一种检测微机电器件的损坏的方法，微机电器件包括可移动结构，其中可移动结构包括改变电特性的测试结构，该方法包括:检测可移动结构的电测试结构的电特性的改变；以及指示电特性从预先限定的容许的范围的偏离。
【专利摘要】本发明涉及半导体器件及检测半导体器件损坏的方法。一种包括可移动结构的微机电器件，其中该可移动结构包括测试结构，如果可移动结构被损坏，则测试结构改变电特性。
【IPC分类】B81B5/00, B81B7/02
【公开号】CN104891420
【申请号】CN201510187614
【发明人】D·梅因霍尔德
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年3月5日
【公告号】DE102015102734A1, US20150253375