膜致介面粗糙化及其制造方法

膜致介面粗糙化及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种膜致介面粗糙化及其制造方法，各种实施例提供用于粗糙化MEMS装置的表面或CMOS表面的表面的方法。第一材料在由第二材料作成的表面上沉积形成薄层。加热后，该第一和第二材料可以部分熔化和相互扩散，形成合金。然后，移除该第一材料，并且该合金同时被移除。由于该第一和第二材料的相互扩散，因此，该第二材料被留下的该表面已经被粗糙化。
【专利说明】
膜致介面粗糙化及其制造方法
技术领域
[0001 ] 本发明涉及微机电系统(MEMS，microelectromechanical system)，更具体地，涉 及MEMS装置的部分表面粗糙化。
【背景技术】
[0002] 整合MEMS结构与电子功能的制作平台，可利用晶圆至晶圆(wafer-to-wafer)接合 制程，直接在晶圆等级将预制MEMS晶圆整合至现成的CMOS晶圆。该MEMS装置和结构具有可 运动部件，可以整合至MEMS装置的性能和功能。如果这些部件的移动受到防止或抑制，则该 MEMS装置的功能可能会受到影响。
[0003] 静摩擦（St i ct ion)是不期望的情况，它于表面附着力（surf ace adhesion forces)高于MEMS结构的机械回复力(mechanical restoring force)时产生。公认静摩擦 经常发生的情况是面积非常接近的两个表面发生接触。不论是巨观(macroscopic)或微观 (microscopic)角度，接触面积越大，则静摩擦的风险增加。因此，增加表面的粗糙度，静摩 擦力就可以减少。

【发明内容】

[0004] 以下为本说明书的简要概述，对本说明书提供一些基本了解。该概述不是本说明 书的详尽的概述。它既不旨在标识说明书的关键或重要元素，也不描绘特定的规范，或在权 利要求的任何范围中的任何实施例的任何范围。其唯一目的在于以简化形式呈现本说明书 的一些概念，作为序言呈现层次的更详细描述。
[0005] 在一个非限制性实例中，一种方法可包括将第一材料层迭在第二材料的表面上， 其中，该第一材料和该第二材料是不同的材料。该方法还可以包括在预定的温度相互扩散 该第一材料和该第二材料的一部分。该方法还可以包括移除该第一材料，其中，该第二材料 的表面被粗糙化，以回应移除该第一材料。
[0006] 在另一个非限制性实例中，一种方法可包括，沉积锗膜在硅表面上方，并加热该锗 和该硅表面至预定的温度，其中，该锗与硅在该膜与该硅表面之间的边界层的一部分在该 预定的温度熔化。该方法还可以包括将该锗和该硅表面加热到预定的温度，其中，锗的一部 分和硅的一部分相互扩散，形成锗/硅合金。该方法还可以包括移除该锗膜。
[0007] 在另一个非限制性实例中，一种方法可包括沉积铝膜在硅表面并加热该铝和该硅 表面至预定的温度，其中，该铝与硅在该膜与该硅表面之间的边界层的一部分在该预定的 温度熔化。该方法还可以包括，将锗的该部分和硅的该部分退火(annealing)，其中，铝的该 部分和硅的该部分相互扩散，形成锗/硅合金，以及移除该铝膜，其中，该铝/硅合金与该铝 月旲一起移除。
[0008] 在另一个非限制性实例中，一种方法可以包括沉积铝膜在锗表面上方。该方法也 可包含加热该铝和该锗表面至预定的温度，其中，该铝和锗在该膜与该锗表面之间的边界 层的部分在该预定的温度熔化，其中，铝的该部分和锗的该部分结合，形成铝/锗合金。该方 法还可以包括移除该铝膜。
[0009] 以下描述与附图包含本说明书的某些说明性层面。这些层面表示，然而，本说明书 的原理被采用于各种方法的一小部分。当在结合附图考虑时，从说明书的详细描述中，其它 优点和说明书的新颖特征将变得显而易见。
【附图说明】
[0010] 参考以下详细描述并结合附图，本发明的许多层面、实施方案、目的和优点将是显 而易见，其中，相同的参考字元指相同的部分，且其中：
[0011]图1描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面与沈 积膜示意图；
[0012]图2描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，与 沈积膜的表面材料相互扩散示意图；
[0013]图3描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，移 除沉积膜与混合合金示意图；
[0014]图4描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，在 硅表面上沉积锗膜示意图；
[0015]图5描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，移 除部分地沉积锗膜和混合锗-硅合金示意图；
[0016]图6描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，在 硅表面上沉积铝膜示意图；
[0017]图7描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，移 除沉积铝膜和混合铝-硅合金示意图；
[0018]图8描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，具 有粗糙的硅层及图案化的沉积锗层示意图；
[0019]图9描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，在 硅基板上沉积锗膜示意图；
[0020] 图10描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，在 先前沉积的锗膜上沉积的铝膜示意图；
[0021] 图11描绘了非限制性的范例，根据本发明公开的各种非限制性层面，MEMS表面，锗 接触表面粗糙化示意图；
[0022] 图12描绘了非限制性的方法，根据本发明公开的各种非限制性层面，与表面粗糙 化有关流程图；
[0023] 图13描绘了非限制性的方法，根据本发明公开的各种非限制性层面，与硅表面粗 糙化有关流程图；
[0024] 图14描绘了非限制性的方法，根据本发明公开的各种非限制性层面，与硅表面粗 糙化有关流程图；以及
[0025] 图15描绘了非限制性的方法，根据本发明公开的各种非限制性层面，与锗表面粗 糙化有关流程图。
[0026] 符号说明：
[0027] 100 MEMS
[0028] 102第一材料、沉积膜、薄膜
[0029] 104第二材料、表面
[0030] 200 图
[0031] 202薄膜/沉积材料、材料
[0032] 204相互扩散层、合金
[0033] 206表面材料、材料
[0034] 300 图
[0035] 302表面、粗糙表面
[0036] 304 材料
[0037] 400 图
[0038] 402 锗、锗层
[0039] 404 晶圆
[0040] 406互连点 [0041 ] 408硅基板
[0042] 410 腔体
[0043] 500 图
[0044] 502硅基板表面
[0045] 504 晶圆
[0046] 506 锗
[0047] 508互连点、支座锚
[0048] 600示意图
[0049] 602 铝
[0050] 604 晶圆
[0051 ] 606互连点
[0052] 608硅基板
[0053] 610 腔体
[0054] 700示意图
[0055] 702硅基板
[0056] 704互连点
[0057] 800示意图
[0058] 802硅基板
[0059] 804 晶圆
[0060] 806 锗
[0061] 900示意图
[0062] 902 锗层
[0063] 904 晶圆
[0064] 906互连点
[0065] 908硅基板
[0066] 910 腔体
[0067] 1000 示意图
[0068] 1002 铝
[0069] 1100 示意图
[0070] 1102 锗表面。
【具体实施方式】
[0071] 一个简要概述，本发明的某些层面的描述或本文描述是为了说明而不是限制的目 的。因此，所公开的实施例的建议与披露的设备、系统和方法为本文所公开的主题的范围内 所涵盖。例如，本发明公开的各个实施例中的装置，技术和方法，在MEMS感测器（sensor)的 上下文中进行了描述。然而，如下面进一步详述，各种示例性实施方式可以应用到其它领域 的特定用途积体电路板，用于执行类比到数位（analog to digital)和数位到类比 (digital to analog)的低振幅信号模拟转换等，而不偏离本文所描述的主旨。
[0072] 如本文所使用的，术语MEMS感测器（sensor)、MEMS加速度计（accelerometer)、 MEMS陀螺仪（gyroscope)、MEMS惯性感测器（inertial sensor)、MEMS声学(acoustic)感测 器、MEMS音频感测器等可互换使用，除非上下文之间有一个特别区分条款。例如，该术语可 以指MEMS装置或部件，可以测量加速度、旋转、接近的速率、确定声学特性、产生声学信号、 或类似物。
[0073] 此外，术语如"在同一时间"、"共同的时间"、"同步"、"同时"、"同时"、"基本上同 时"、"立即"等可以互换使用，除非上下文的条款中特别区分。应当理解，这样的术语可以指 相对于彼此的时间，而可能不是指恰好同时动作。例如，系统的限制(例如，下载速度，处理 器速度，记忆体存取速度等)会造成延迟或不同步操作。在其它实施方案中，这些术语可以 指一个周期不超过时间的定义门槛内发生的行为或动作。
[0074]各种实施例提供用于粗糙化MEMS装置的表面或CMOS表面的表面的方法。第一材料 在第二材料作成的表面上沉积形成薄层。加热后，第一和第二材料可以部分熔化和相互扩 散，形成合金。之后，移除第一材料，并且该合金也同时被移除。由于第一和第二材料相互扩 散，因此第二材料被留下的表面已经被粗糙化。可替代地，如果该合金被确定为具有更粗糙 的表面，则可以选择性地移除第一材料，而留下合金。
[0075]在一个实施方案中，材料可以加热到预定的温度形成共晶（eutectic)系统，其中， 键结(bonding)温度比第一和第二材料的熔点低。在各种不同的实施方案中，第一和第二材 料可以分别是锗和硅、或是铝和硅、或甚至是铝和锗。
[0076] MEMS装置和CMOS晶圆的表面的粗糙化可以降低静摩擦力，也就是需要克服静摩擦 力，以使静止的接触物体能相对运动。在干燥环境中，表面相互作用的力是以凡德瓦力(van der Waals force)占主导地位，是分子或与另一个带静电分子、中性分子或带电分子之间 的相互作用的吸引力或排斥力的总和。凡德瓦力可通过以下等式来表示：F1v(uv=A^5 其中，EtvdW是相互作用能量，A为接触面积，A'是哈梅克常数(Hamaker constant)，d是表面 之间的距离。在潮湿的环境中，占主导地位的力是毛细管（capillary)力，其通过等式来表 示Fc = -Apla A，其中，Aplf^拉普拉斯压力(Laplace pressure)，A是接触面积。在这两种 情况下，当A减少，静摩擦力也因此而降低。表面变粗糙实际接触面积也减小，所以表面粗糙 可减少静摩擦力。
[0077] 各种其它配置或布置在本文中描述。值得注意的是，各种实施方式可包括其它部 件及/或功能性。还应当指出的是，各种实施例可以被包括在较大的系统，包括，智慧型电 视，智慧型电话或其它手机，穿戴式装置(例如，手表、耳机等），平板电脑，电子阅读器设备 (也就是，e-readers)，笔记型电脑，桌上型电脑，显示器，数字记录装置，家用电器，家用电 子产品，手持游戏设备，遥控器(例如，视频游戏控制器，电视控制器等），汽车设备，个人电 子设备，医疗设备，工业系统，照相机和各种其它设备或领域。
【具体实施方式】
[0078]
[0079] 本发明公开的各种层面或特征，参照附图描述，其中，相同参考数字用以指相同元 件。在本说明书中，阐述许多具体的细节，以便提供彻底理解本发明的主题。但是应当理解， 本发明的某些层面可以在没有这些具体细节的情况下实践，或利用其它方法，部件，参数 等。在其它实例中，公知的结构和设备示于方框图的形式，以促进各种实施例的描述和说 明。
[0080] 图1至图3显示了表面粗糙化处理的三个步骤。图1示出的非限制性的示例性MEMS 100的表面104,具有根据本发明公开的各种非限制性层面的沉积膜102示意图。在图1示出， 第一材料102以层或膜方式沉积在第二材料104的表面上。此表面104可以是MEMS装置或 CMOS晶圆的表面。在一些实施方案中，表面104可以是MEMS装置或CMOS晶圆的封端表面 (capped surf ace)。在一个实施例中，MEMS装置或CMOS晶圆的表面104，可以与MEMS装置或 晶圆的另一表面接触，当一个表面与其它表面接触时，粗糙的表面可以降低静摩擦力或静 摩擦的存在量。
[0081 ] 在一个实施方案中，表面104可以是娃表面，而在其它实施方案中，此表面可以是 锗。沉积在表面104上的薄膜102可以是锗或铝膜，视不同的实施方式及表面104的材料而定 [0082]在图2,图200示出了薄膜/沉积材料202和表面材料206被加热到预定的温度，其 中，部分的材料202和表面材料206熔融，相互扩散并形成合金204。此退火过程可在沉积的 材料202与表面材料206间形成共晶键结，可以使两种材料形成共晶系统及相互扩散。由于 共晶温度低于材料202和206任一的单独熔化温度，因此不会导致损坏MEMS装置或CMOS晶 圆。相互扩散层204由于相互扩散，因此可以使得该层的两侧边界不均匀，此特性有助于表 面层的粗糙化。
[0083]在图3,图300描绘了顶层（例如，102、202等）已被蚀刻掉，而相互扩散层（例如， 204)在蚀刻制程期间和顶层一并被移除，仅留下材料304。由于不均匀的相互扩散层，如图3 所示，因此留下被粗糙化的表面302。当表面302接触到另一MEMS装置或CMOS晶圆，真正接触 面积的减少可得到较小的毛细管力和凡德瓦力，进而降低静摩擦力。
[0084]应当理解，虽然相互扩散层及/或该沉积层的一小部分可以在某些地方被留下，一 般几乎全部被移除，留下具有粗糙表面302的材料304。
[0085]现在转向图4和图5,示出的是非限制性的示意图400和500,示例性的晶圆表面，在 硅表面沉积锗膜，而锗膜和混合的锗-硅合金，会根据本发明披露的各种非限制性的层面信 息，部分地移除。
[0086] 在图4，晶圆404可具有用于表面的娃基板408。晶圆404可以包括个多腔体（例 如，腔体410)，其中，MEMS装置或感测器或其它电子电路可以被置于或位于其中。互连 (interconnect)点406可以在基板的表面上形成，这些锚(anchors)或支座（standoff)用于 将晶圆404连接至CMOS晶圆。由于硅基板408将在与CMOS晶圆接触，理想化的粗糙基板表面， 将减少可能的静摩擦力。
[0087]为此目的，在支座蚀刻形成互连点406之后，一层薄的锗402可以被沉积在硅基板 408和互连点406之上。沉积之后，将锗402和硅基板408退火。在退火过程中，锗402和硅基板 408可以被加热到某一温度，令其中的锗402和硅基板408接触的部分彼此部分熔化和相互 扩散形成硅-锗合金。该材料加热温度可令锗和硅形成共晶键结，这是低于硅或锗的熔点温 度的较低温度。在一个实施方案中，锗和硅相互扩散并形成合金的共晶温度是摄氏700度左 右。硅和锗因此被加热到大约或至少摄氏700度，维持预定时间长度，让锗和硅充分相互扩 散和混合。
[0088] 在图5,除了已沉积在互连点508的锗506,锗层402已经由蚀刻移除。在退火过程中 形成的硅-锗合金也已移除，留下被粗糙化的硅基板表面502。然后在支座锚508上的锗506 为接合(bonded)被图案化(patterned)，使晶圆504可以被接合到另一芯片。
[0089] 现在转向图6至图8,示出的是非限制性的示意图600、700、和800,示例性的晶圆表 面，在硅表面上沈积铝膜，并移除该铝膜和混合的铝-硅合金，并根据本发明披露的各种非 限制性的层面信息，沉积锗膜并图案化。
[0090] 在图6,晶圆604可具有用于表面的硅基板608。晶圆604可以包括一个多腔体（例 如，腔体610)，其中，MEMS装置或感测器可以被置于或位于其中。互连点606可以形成在基板 608的表面上，这些锚或支座用于将晶圆604连接至CMOS芯片。由于硅基板408将在与CMOS芯 片接触，理想化的粗糙基板表面，将减少可能的静摩擦力。
[0091] 为此目的，在支座蚀刻形成互连点606之后，一层薄的铝602可以被沉积在硅基板 608和互连点606之上。沉积之后，将铝602和硅基板608退火。在退火过程中，铝602和硅基板 608可以被加热到某一温度，令其中的铝602和硅基板608接触的部分彼此部分熔化和相互 扩散形成硅-铝合金。该材料加热温度可令铝和硅形成共晶键结，这是低于硅或铝的熔点温 度的较低温度。在一个实施方案中，铝和硅相互扩散并形成合金的共晶温度是摄氏600度左 右。硅和铝因此被加热到大约或至少摄氏600度，维持预定时间长度，让铝和硅充分相互扩 散和混合。
[0092] 在图7,铝层602已自硅基板702包括互连点704的整个表面上移除。退火过程中形 成的硅-铝合金也已移除，留下硅基板的粗糙化表面702。
[0093]在图8，晶圆804准备接合到另一晶圆，锗806可以在互连点上沉积并图案化，留下 裸露的硅基板802的其余部分。
[0094] 现在转向图9至图11，示出的是非限制性的示意图900、1000和1100,示例性的晶圆 表面，并根据本发明披露的各种非限制性的层面信息，在硅表面上沈积锗膜，再在锗膜的部 分区域沉积铝膜。
[0095]图9示出的是非限制性的示意图900,示例性的晶圆表面，并根据本发明披露的各 种非限制性的层面信息，在硅表面上沈积锗膜。沉积锗层902在晶圆904的硅基板908上。晶 圆904可以包括一个多腔体(例如，腔体910)，其中，感测器或其它电子电路可以被置于或位 于其中。互连点906可形成在基板908的表面上，这些锚或支座用于将芯片904连接至CMOS晶 圆。
[0096] 在支座蚀刻形成互连点906之后，一层薄的锗902可以沉积在硅基板908和互连点 906之上。沉积之后，如图10所示，在锗902的部分区域沉积铝层1002。同时，将铝1002和锗 902退火，加热到至少摄氏400度的预定温度，维持预定时间长度，使铝1002和锗902相互扩 散形成铝-锗合金。
[0097] 在图11中，铝1002和相互扩散的铝-锗合金已被移除，除了铝1002下方及互连点 906上方部分的锗902。粗糙化的锗表面1102被留下，然后图案化并准备接合到另一芯片。
[0098] 虽然提供了几个示例性实施例，应该注意的是本
【发明内容】
的各层面并不限于本实 施方式。因此，本文公开的各种实施例可以应用于多种应用。在示范性实施例中，本文描述 的系统和方法可以应用于智慧型手机，手持游戏装置，手持电子设备，笔记本电脑，桌上型 电脑等。这样的系统可以利用本文所公开层面以结合声学信号，如语音识别，压力检测等相 关联的特性。
[0099] 鉴于上文所述的主题，可以根据本发明公开实施方式，参考图12至图15的流程图 更好地理解。虽然为了使说明更简单，将方法示出和描述为一系列方框，但应理解和认识到 这些说明或相应的描述不被方框的顺序所限制，因为从所描绘和描述的一些方框与其它方 框可能发生不同及/或同时的顺序。任何非顺序或分支的流程示出通过的流程图应该被理 解为指示的各种其它分支，流程路径和方框次序，可以其实现相同或类似的结果来实现。此 外，并非所有示出的方框被要求实施下文描述的方法。
[0100] 示例性的方法
[0101]图12描绘与根据本发明的主题的各种非限制性层面中，表面粗糙化相关的非限制 性方法的示例性流程图。作为一个非限制性示例，示例性方法1200可促进芯片表面的粗糙 化(例如，图100、200和300等）。该方法1200可以在1202开始，其中，该方法包括:第一材料层 迭在第二材料表面上，其中，第一材料和第二材料是不同的材料。在第一实施例中，第一材 料可以是锗;第二材料可以是硅。在第二实施例中，第一材料可以是铝;第二材料可以是硅。 在第三个实施方案中，第一材料可以是铝;第二材料可以是锗。
[0102] 在1204,该方法包括在预定的温度，该第一材料和第二材料的一部分相互扩散。在 共晶温度下，第一材料和该第二材料接触的部分，可以从固相到液体发生相变和相互扩散， 即使是预定的温度低于第一和第二材料两者的熔点。在第一实施例中的锗和硅，预定的温 度可以是摄氏700度或更高。在第二实施例的铝和硅，预定的温度可以是摄氏600度或更高。 在第三实施例的铝和锗，预定的温度可以是摄氏400度或更高。
[0103] 在1206,该方法包括移除第一材料，当移除第一材料时，第二材料的表面被粗糙 化。当第一材料被移除，由第一和第二材料的相互扩散所形成的合金也被移除，留下的是粗 糙的第二材料。在另一种方法中的相互扩散合金可以保持以形成粗糙表面。
[0104] 图13描绘与根据本发明的主题的各种非限制性层面中，硅表面粗糙化相关的非限 制性方法的示例性流程图。该方法可以开始于1302，其中，该方法包括:在硅表面上沉积锗 膜。在1304,该方法包括加热该锗和硅表面至预定的温度，其中，锗和硅的一部分相互扩散， 形成锗/硅合金。在1306,该方法包括移除锗膜。
[0105] 图14描绘与根据本发明的主题的各种非限制性层面中，硅表面粗糙化相关的非限 制性方法的示例性流程图。该方法可以开始于1402,其中，该方法包括:在硅表面上沉积铝 膜。在1404,该方法包括加热该铝和硅表面至预定的温度，其中，铝和硅位于铝膜与硅表面 之间的边界层的一部分在预定的温度熔化。在1406,该方法包括将铝和硅的部分退火，其 中，铝和硅的一部分相互扩散形成铝/硅合金，并在1408,该方法包括移除铝膜，其中，该铝/ 硅合金与铝膜一起移除。
[0106] 图15描绘与根据本发明的主题的各种非限制性层面中，粗糙化锗表面相关的非限 制性方法的示例性流程图。该方法可以开始于1502,其中，该方法包括在锗表面上沉积铝 膜。在1504,该方法包括加热该铝和锗表面到预定的温度，其中，铝和锗位于该膜与锗表面 之间的边界层的一部分在预定的温度熔化，此铝和硅的该部分结合形成铝/硅合金。在 1506，该方法包括移除铝膜。
[0107] 应当理解的是，本文描述的各种部件可以包括电路，其可以包括部件和尺寸合适 的电路元件，以执行本发明创新的各实施方式。此外，可以理解的是，各种部件可以在一个 或多个积体电路(1C)芯片来实现。例如，在一个实施例中，一组的部件可以在单个的1C芯片 来实现。在其它实施方案中，一个相应的一种或多种组分被制造或在单独的1C芯片实现的。
[0108] 以上所描述的内容包括本发明的实施例的实例。当然，不可能为了描述所要求保 护的主题而描述每个可想到的部件或方法的组合，但是它是应当认识到，许多进一步的组 合和本发明创新的排列是可能的。因此，所要求保护的主题旨在涵盖所有这些改变、修改和 变化落入所附权利要求书的精神和范围内的。此外，本发明公开在摘要中描述实施例的说 明，包括以上描述，并不意在穷举或限制本发明的实施例所公开的精确形式。虽然具体的实 施方案和实施例在本文中描述用于说明性目的，各种修改都是可能被这样的实施方案和实 施例的考虑范围之内，因为那些相关领域技术人员可以识别。此外，使用的术语"一个实施 例"或"一实施例"并不是旨在表示相同的实施例，除非特别说明如此。
[0109]特别地，在关于由上述部件、设备、电路、系统等各种执行功能，用于描述这些部件 的术语旨在对应，除非另有说明，其执行的任何部件所描述的部件(例如，功能上等效)的特 定功能，即使在结构上不等效于所公开的结构，它在所要求保护的主题的本文所示的示例 性的层面执行的功能。在这层面，可认识到，本发明包括系统以及计算机可读存储介质，其 具有可执行指令，用于执行所要求保护主题的种方法各动作及/或事件。
[0110] 上述的图/系统/电路/模组已经描述了关于交互若干部件/方框之间。可以理解， 这样的系统/电路和部件/模组可以包括那些部件或指定的子部件，某些指定的部件或子部 件、及/或附加的部件，并根据各种置换和上述物质的组合。子部件也可以被实现为通信耦 合至其它部件而非包括在父部件(分层）内的部件。另外，应注意的是，一个或多个部件可被 组合成单个部件提供聚合功能或分成若干单独的子部件，并且任何一个或多个中间层，例 如一个管理层，可以设置成通信耦合到这样的子部件以便提供集成功能。本文描述的任何 部件也可以与一个或多个本文未具体描述的其它部件由本领域的技术人员交互组合。
[0111] 此外，尽管本发明创新的一个特定特征可能已经公开，仅相对于若干实现中的一 个，这样的特征可以与其它实现的一个或多个其它特征组合，如可能是期望的和有利的为 任何给定或特定的应用程序。此外，就术语"包括"、"包括"、"具有"、"包含"、其变体、以及其 它类似的词语在详细描述或权利要求书中使用的程度上，这些术语意为包含性的中类似于 术语"包括"作为开放的过渡词，而不排除任何附加或其它元素的方式。
[0112] 如在本申请中，术语"部件"、"模组"、"系统"等一般旨在表示电脑相关的实体，其 可以是硬体(例如，电路）、硬体和软体的组合、软体、或与一种或多种特定的功能有关的操 作机器的实体。例如，部件可以是，但不限于是，在处理器运行的程序(例如，数位信号处理 器）、处理器、对象、可执行文件、执行的程序及/或电脑。通过说明的方式，同时运行的应用 程序上的控制器和控制器都可以是部件。一个或多个部件可以驻留在执行的进程及/或程 序内，并且部件可以位于一个电脑上及/或两个或更多计算机之间分布。另外，一个"装置" 可以指专门设计的硬体形式;广义硬体特指由软体在其上，使硬体来执行特定功能的执行； 软体存储在计算机可读介质;或它们的组合。
[0113] 此外，词语"示例"或"示例性"在本文中用于表示充当实例，例子或说明。本文中描 述为"示范性"的任何层面或设计并不一定要被解释为优于或胜过其它层面或设计。相反， 使用词语"示例"或"示例性"意在以具体方式呈现概念。如在本申请中，术语"或"意在表示 包含性"或"而不是排他性"或"。即，除非另有指定，或从上下文清楚可见，"X使用A或B"旨在 表示任何自然的包括性排列。也就是说，如果X使用A;X使用B;或者X使用A和B，然后在"X采 用A或B"在任何以上实例满足。此外，冠词"一"和"一个"用在本申请和所附权利要求书一般 应被解释为表示"一个或多个"，除非另有指定或从上下文清楚看出是针对单数形式。
【主权项】
1. 一种用于粗糙化表面的方法，包括： 将第一材料层迭在第二材料的表面上，其中，该第一材料和该第二材料是不同的材料； 在预定的温度，相互扩散该第一材料和该第二材料的一部分；以及 移除该第一材料，其中，该第二材料的该表面被粗糙化，以回应移除该第一材料。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，该第一材料是锗，而该第二材料是硅。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，该第一材料是铝，而该第二材料是硅。4. 根据权利要求1所述的方法，其中，该第一材料是铝，而该第二材料是锗。5. 根据权利要求2所述的方法，还包括： 将互连点上用于接合到晶圆的该锗图案化。6. 根据权利要求3所述的方法，还包括： 在该第二材料的该表面的互连点上沉积锗，并图案化该锗，以用于接合到晶圆。7. 根据权利要求4所述的方法，还包括： 在该第二材料的该表面的互连点上沉积锗，并图案化该锗，以用于接合到MEMS晶圆。8. 根据权利要求1所述的方法，还包括： 图案化该第二材料，其中，该第一材料在该第二材料的该图案化后层迭。9. 一种粗糙化表面的方法，包括： 在硅表面上方沉积锗膜； 加热该锗和该硅表面至预定的温度，其中，锗的一部分和硅的一部分相互扩散，形成 锗/硅合金；以及 移除该锗膜。10. 根据权利要求9所述的方法，其中，该锗和该硅表面被加热到至少700°C。
【文档编号】B81C1/00GK106006543SQ201610104620
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年2月25日
【发明人】F·刘, M·林, J·I·申, J·申
【申请人】因文森斯公司