专利名称：一种弱酸性镀锡溶液的制作方法
技术领域：
本发明涉及金属表面电镀技术领域，尤其涉及金属表面镀锡处理工艺技术领域， 特别涉及一种弱酸性镀锡溶液。
背景技术：
随着我国半导体电子工业的快速发展，微电子元器件的陶瓷、片状电容，片状电感，片状热敏电阻，多端子部件，复合片状部件等使用越来越多，由于微电子元器件的焊接要求，常需要在陶瓷、片状电容、热敏电阻等元件上电镀锡。由于元件组成的材料原因，在强酸、强碱或含氟离子的镀锡溶液中易腐蚀，影响元件产品质量。而且原强酸或强碱镀锡工艺的镀层孔隙大、有机添加剂夹带多、高温蒸汽老化易变色且易腐蚀电子元器件的缺点。因此这些对酸碱度敏感的元件用原来的强酸或强碱性镀锡工艺，显然已不能适应，。电子工业发达国家日本在弱酸性锡电镀工艺研发上起步早、在弱酸性镀锡工艺上处于领先，在国内市埸上日本的陶瓷、片状电容、热敏电阻等元件弱酸镀锡溶液占有很大市埸并且价格高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有原强酸或强碱镀锡工艺所存在的不足而提供一种弱酸性镀锡溶液，该弱酸性镀锡溶液克服了原强酸或强碱镀锡工艺的镀层孔隙大、有机添加剂夹带多、高温蒸汽老化易变色且易腐蚀电子元器件的缺点，且毒性低，对环境友好。本发明所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现一种弱酸性镀锡溶液，由含锡30%的甲基磺酸锡溶液、络合导电盐、PH稳定剂、抗氧化剂、添加剂配制而成，PH为4. 0-5.0 ；所述络合导电盐由含量70%的甲基磺酸钠、柠檬酸钠、硫酸铵配制而成，其中每升弱酸性镀锡溶液中含含锡30%的甲基磺酸锡25-70ml、 甲基磺酸钠100_200g、柠檬酸钠100_150g、硫酸铵40_60g、pH稳定剂30_40g、抗氧化剂 0. 5-lg、添加剂 0. 5-1. 5g。在本发明的一个优选实施例中，每升弱酸性镀锡溶液中含含锡30%的甲基磺酸锡溶液30-60ml、甲基磺酸钠100_180g、柠檬酸钠100_140g8硫酸铵40_50g、PH稳定剂 30_35g、抗氧化剂0. 5-1. 0g、添加剂0. 5-1. 0g。(该实施例各值范围比上面的小一点！)在本发明的一个优选实施例中，每升弱酸性镀锡溶液中含含锡30%的甲基磺酸锡50ml、甲基磺酸钠100g、柠檬酸钠100g、硫酸铵40g、PH稳定剂35g、抗氧化剂lg、添加剂 Ig0本发明的络合导电盐络合二价锡，降低槽电压，提出高电流效率、并抑制四价锡产生。本发明的添加剂为非离子表面活性剂聚氧乙烯烷基酚醚、聚乙二醇中的一种与阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵的混合。该添加剂提高镀液分散能力和电流效率，使镀层晶粒细化和防止高电流区域烧焦。所述PH稳定剂为硼酸，其防止镀锡过程中PH过高，导致二价锡沉淀。所述抗氧化剂选取对苯二酚、2-萘酚、抗坏血酸中的一种。本发明与强酸、强碱型镀锡液对比结构见表1表 权利要求
1.一种弱酸性镀锡溶液，其特征在于，由含锡30%的甲基磺酸锡溶液、络合导电盐、PH 稳定剂、抗氧化剂、添加剂配制而成，PH为4. 0-5.0 ；所述络合导电盐由含量70%的甲基磺酸钠、柠檬酸钠、硫酸铵配制而成，其中每升弱酸性镀锡溶液中含含锡30%的甲基磺酸锡 25-70ml、甲基磺酸钠100_200g、柠檬酸钠100_150g、硫酸铵40_60g、pH稳定剂30_40g、抗氧化剂0. 5-lg、添加剂0. 5-1. 5g。
2.如权利要求1所述的弱酸性镀锡溶液，其特征在于，每升弱酸性镀锡溶液中含含锡30%的甲基磺酸锡溶液30-60ml、甲基磺酸钠120_180g、柠檬酸钠100_140g、硫酸铵 40-50g、PH稳定剂35-40g、抗氧化剂0. 5_lg、添加剂0. 5_lg。(该实施例各值范围比上面的小一点！)
3.如权利要求1所述的弱酸性镀锡溶液，其特征在于，每升弱酸性镀锡溶液中含含锡 30%的甲基磺酸锡50ml、甲基磺酸钠120g、柠檬酸钠100g、硫酸铵40g、PH稳定剂35g、抗氧化剂lg、添加剂Ig0
4.如权利要求1至3任一项权利要求所述的弱酸性镀锡溶液，其特征在于，所述的添加剂为非离子表面活性剂聚氧乙烯烷基酚醚、聚乙二醇中的一种与阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵的混合。
5.如权利要求1至3任一项权利要求所述的弱酸性镀锡溶液，其特征在于，所述PH稳定剂为硼酸，其防止镀锡过程中PH过高，导致二价锡沉淀。
6.如权利要求1至3任一项权利要求所述的弱酸性镀锡溶液，其特征在于，所述抗氧化剂选取对苯二酚、2-萘酚、抗坏血酸中的一种。
全文摘要
本发明公开的一种弱酸性镀锡溶液，由含锡30％的甲基磺酸锡溶液、络合导电盐、PH稳定剂、抗氧化剂、添加剂配制而成，pH为4.0-5.0；所述络合导电盐由含量70％的甲基磺酸钠、柠檬酸钠、硫酸铵配制而成。本发明克服了原强酸或强碱镀锡工艺的镀层孔隙大、有机添加剂夹带多、高温蒸汽老化易变色且易腐蚀电子元器件的缺点，且毒性低，对环境友好。
文档编号C25D3/32GK102560569SQ201010584970
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月13日 优先权日2010年12月13日
发明者陈良杰 申请人:上海申和热磁电子有限公司