一种ic封装载带及其制备方法
【专利摘要】一种IC封装载带及其制备方法，属于IC卡用封装载带【技术领域】。本发明的IC封装载带接触面采用全新的半光亮镍加预镀金的镀层结构来代替传统镀层结构，该镀层结构不电镀保护用硬金/软金，在有效降低成本的同时，可保证其具备较好的耐腐能力和耐磨能力，减少贵重金属的使用。本发明的IC封装载带的制备方法由1）除油；2）活化；3）镀半光亮镍；4）预镀金；5）镀软金；6）烘干的步骤组成，明显缩短简化了工序，有效提高了IC封装载带的生产效率。
【专利说明】-种1C封装载带及其制备方法
【技术领域】
[0001] 一种1C封装载带及其制备方法，属于1C卡用封装载带【技术领域】。
【背景技术】
[0002] 1C卡封装载带指的是用于集成电路卡模块封装用的一种关键专用基础材料，主要 起到保护巧片并作为集成电路巧片和外界接口的作用，其形式为带状，通常为金黄色。具体 的使用过程如下；首先通过全自动贴片机将集成电路卡巧片贴在1C卡封装载带上面，然后 用焊线机将集成电路巧片上面的触点和1C卡封装载带上面的节点连接起来实现电路的联 通，最后使用封装材料将集成电路巧片保护起来形成集成电路卡模块，便于后道应用；简介 现有1C封装载带的结构设计中为了保护1C封装载带的接触面，增强接触面的耐磨性与防 腐能力，会在接触面锻上一层保护用硬金/软金。若所用工艺为硬金工艺时，会不可避免 的锻上没有实际用途的压焊面硬金层，造成浪费。使得生产成本提高。在科技飞速发展的 今天，为了增强1C封装载带在国际上的竞争力，我们一直在不断研究，寻找降低生产成本 的办法。
[0003] 现有1C封装载带的电锻工艺流程为：除油、活化、锻打底镶、锻磯镶、预锻金、锻保 护用硬金/软金、锻焊接用软金、烘干。为了保护载带表面，增强载带接触面的耐磨，防腐 和防氧化能力，载带接触面采用先锻打底镶，再锻磯镶，然后锻预锻金，最后锻保护用硬金/ 软金的锻层结构。该结构的锻层虽然具有良好的耐磨，防腐和防氧化的特性，但结构中的磯 镶工艺具有稳定性较差，控制及维护费用高难度大等特点。另外，该锻层结构中含有金层， 金是贵重金属价格昂贵，从而使得该结构的成本较高，不利于推广利用。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是；克服现有技术的不足，提供一种1C封装载带及其制 备方法，该1C封装载带可有效减少贵重金属的使用、降低成本，同时具备较好的耐腐能力 和耐磨能力，该制备方法工序简单，缩短了生产用时，有效提高了 1C封装载带的生产效率。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该1C封装载带，包括基材，其特征 在于；基材上方按由下到上依次附着有铜巧层、接触面半光亮镶层、接触面预锻金层；基材 上开有焊接用焊接孔，焊接孔中按由下到上依次填充有压焊面半光亮镶层、压焊面预锻金 层、焊接用软金层。
[0006] 所述的基材采用环氧树脂布材质，接触面预锻金层和压焊面预锻金层采用预锻金 材质；接触面半光亮镶层和压焊面半光亮镶层采用半光亮镶材质。
[0007] 该1C封装载带的制备方法，其特征在于，由1)除油；2)活化；3)锻半光亮镶；4) 预锻金；5)锻软金；6)烘干的步骤组成； 1)除油：W蚀刻成型的铜巧层为电锻底材，采用了超声振荡W及电解除油的工艺对铜 巧层除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为60?80g/L的水溶液，电解除油电流 密度为6?12ASD，浸溃时间为9?27秒； 2) 活化；在18?29°C温度下使用活化液浸溃铜巧层，浸溃时间6?18秒； 3) 锻半光亮镶；电锻过程中采用4个子槽使用锻半光亮镶药水进行锻半光亮镶，电锻 药水温度为40?65°C，浸溃时间24s?72s，电流密度10?30ASD ;电锻结束在铜巧层的接触面 电锻形成1. 0 y m?4 y m厚的接触面半光亮镶层，在铜巧层的压焊面电锻形成2 y m?9 y m的 压焊面半光亮镶层；使用的添加不含硫光亮剂10?15ml/L的水溶液浸溃处理电锻形成的接 触面半光亮镶层和压焊面半光亮镶层； 4) 预锻金：使用预锻金药水，分别在接触面半光亮镶层外部电锻0. 0005?0. 01 ym厚的 接触面预锻金层、在压焊面半光亮镶层外部电锻0. 0005?0. 01 ym厚的压焊面预锻金层，药 水浸溃时间5?15s，电流密度0. 1?0. 8ASD ; 5) 锻软金：使用锻软金药水，在压焊面预锻金层外电锻厚度为0. 1?0. 5 ym的焊接用软 金层，药水浸溃时间6?18s，电流密度为1?5ASD，即得1C封装载带。
[000引步骤1)中所述的碱性除油粉为Technic 200碱性除油粉。所述Technic 200碱 性除油粉中含有质量百分比大于50%的化OH。
[0009] 步骤2)中所述的活化液为ZA-200微蚀剂50?150g/L、体积浓度0. 5?5%的硫酸和 水的混合物；或者所述的活化液为浓度为40?80g/L的ACT9600活化盐水溶液。
[0010] 步骤3)所述锻半光亮镶药水成分为氨基横酸镶80?120g/l，氯化镶1?12g/l，棚酸 40?60g/L ;电锻药水化为3?4. 5。
[0011] 步骤3)所述不含硫光亮剂为1，4 - 了诀二醇、締丙基横酸钢和香豆 素-7, 8-2-化喃酬的混合物。
[001引步骤4)所述预锻金药水成分为氯化金钟1. 0?3. 5g/L，比重6?12,化为3. 5?4. 5， 温度40?50 °C。
[0013] 步骤5)所述锻软金药水化5. 5?6. 5,锻软金药水成分为氯化金钟7?lOg/L，比重 10?18,质量百分比99%比重为2. 1的草酸钟30g/L，质量百分比小于1%醋酸铅水溶液2ml/ L，质量百分比小于1%己氧基环了烧二醇水溶液2?5ml/L。
[0014] 所述的步骤6)烘干的具体操作为；烘干除去1C封装载带表面残留的清洗用去离 子水，使1C封装载带保持干燥，烘烤温度80?120°C，烘烤时间8?25秒(简写S)。
[0015] 本发明1C封装载带说明如下；基材的作用是；支撑基材铜巧，使1C封装载带不至 于太软，保护巧片。接触面预锻金层的作用是：确保金层的结合力，防止金药水被污染，增 强耐磨性与防腐能力。接触面半光亮镶层的作用是；作为铜层和金层之间的阻隔层，防止金 铜互相扩散，增强耐磨性与防腐能力；所用材质半光亮镶具有工艺成分简单，电流效率高， 锻层结晶细致、初性好，有良好的耐腐蚀性和耐磨性。铜巧层的作用是；导电材料，电锻底 材；与集成电路巧片相连，作为巧片与外界的接口；同时有保护巧片的作用。压焊面接触面 半光亮镶层的作用是：作为铜层和金层之间的阻隔层，防止金铜互相扩散，保证1C封装载 带的焊接能力；所用材质半光亮镶具有工艺成分简单，电流效率高，锻层结晶细致、初性好， 有良好的耐腐蚀性和耐磨性。压焊面预锻金层的作用是；确保金层的结合力，防止金药水被 污染。焊接用软金层的作用是；提高1C封装载带的焊接金线能力。
[0016] 申请人:设计；所述的基材、铜巧层、接触面半光亮镶层、接触面预锻金层、压焊 面半亮镶层、压焊面预锻金层和焊接用软金层的厚度比值为20000?23000 ;6100?6500 ; 250?350 ;1?3 ;550?650 ;1?4 ;30?50。优选的，所述的基材、铜巧层、接触面半光亮镶层、接 触面预锻金层、压焊面半亮镶层、压焊面预锻金层和焊接用软金层的厚度比值为22000 ; 6400 ；300 ；1 ；600 ；2 ；40〇
[0017] 本发明制备方法说明如下；步骤1)除油的作用是去除铜巧层表面的油脂，从而保 证锻层的结合力。步骤2)活化的作用是去除铜巧层表面的氧化物，激活铜巧层表面，增加锻 层的结合力。步骤3)锻半光亮镶的作用是在已经激活后的铜巧表面上电锻接触面半光亮 镶层；电锻接触面半光亮镶层，可W有效的保护1C封装载带表面，提高耐腐蚀性与耐磨性。 步骤4)预锻金的作用是在接触面半光亮镶层的表面电锻预锻金层，W确保后续软金层的结 合力，防止后面软金药水被污染。步骤5 )锻软金的作用是在焊接孔内的预锻金表面电锻焊 接用软金层，W提高1C封装载带的焊接金线能力。步骤6)烘干的作用是烘干1C封装载带 表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持干燥。
[0018] 申请人:设计；活化液制备方法中的ZA-200微蚀剂的主要成分为复合过氧化物、酸 式盐，ZA-200微蚀剂的辅助成分为增效剂和稳定剂，优选昆山轩亨贸易有限公司购买。活 化液制备方法中的ACT9600活化盐中含有质量百分比为15%的过硫酸钢，优选在得力（中 国-香港）有限公司购买。
[0019] 与现有技术相比，本发明的一种1C封装载带及其制备方法所具有的有益效果是： 1、与现有技术相比，本发明的1C封装载带采用全新的半光亮镶加预锻金的锻层结构 来代替传统锻层结构，去除了现有技术中"接触面保护用硬金/软金层和压焊面保护用硬 金/软金层"的设计。采用新的"接触面半光亮镶层+预锻金层"的锻层结构来代替传统的 "打底镶层+磯镶层+预锻金层+保护用硬金/软金层"的锻层结构。在减少了成本和不必 要的金浪费的同时依然可W保证1C封装载带的耐腐蚀性与耐磨性符合1C封装载带的质量 需求。
[0020] 2、本发明的制备方法采用除油、活化、锻半光亮镶、预锻金、锻焊接用软金、烘干的 步骤。制备方法在电锻时去除高成本的锻保护用硬金/软金工艺，同时保证1C封装载带可 W达到合格的耐腐能力与耐磨能力。制备方法在现有工艺基础上去除了"锻保护用硬金/ 软金工艺"，为了保证1C封装载带的耐腐蚀性与耐磨性，改良了传统工艺中的锻镶工艺，由 "锻打底镶一〉锻磯镶"两层镶工艺改良为"半光亮镶"层镶工艺。
【专利附图】
【附图说明】
[0021] 图1为1C封装载带的结构示意图。
[0022] 其中；1、基材；101、焊接孔；2、接触面预锻金层；3、接触面半光亮镶层； 4、铜巧层；5、压焊面半光亮镶层；6、压焊面预锻金层；7、焊接用软金层。
【具体实施方式】
[0023] 参照附图1，1C封装载带包括基材1，基材1上方按由下到上依次附着有铜巧层 4、接触面半光亮镶层3、接触面预锻金层2 ;基材1上开有焊接用焊接孔101，焊接孔101中 按由下到上依次填充有压焊面半光亮镶层5、压焊面预锻金层6、焊接用软金层7。所述的基 材1采用环氧树脂布材质，接触面预锻金层2采用预锻金材质；接触面半光亮镶层3采用半 光亮镶材质；铜巧层4采用电锻铜材质；压焊面半光亮镶层5采用半光亮镶材质；压焊面预 锻金层6采用预锻金材质；焊接用软金层7采用纯金材质。
[0024] 所述的基材1、铜巧层4、接触面半光亮镶层3、接触面预锻金层2、压焊面半亮镶层 5、压焊面预锻金层6和焊接用软金层7的厚度比值为20000?23000 ;6100?6500 ;250?350 ; 1?3 ; 550?650 ;1?4 ; 30?50。
[0025] 实施例1?5是本发明的一种1C封装载带制备制备方法的【具体实施方式】，其中实施 例1为最优实施例。
[0026] 实施例1 本实施例的制备方法，包括W下步骤： 1) 除油：W蚀刻成型的铜巧层4为电锻底材，采用了超声振荡W及电解除油的工艺对 铜巧层4除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为70g/L的水溶液，电解除油电流 密度为9ASD，浸溃时间为18s ; 2) 活化；在24°C温度下使用ACT9600活化盐制备的浓度为60g/L活化液浸溃铜巧层4， 浸溃时间12s ; 3) 锻半光亮镶；在铜巧层4的接触面电锻2. 5 ym厚的接触面半光亮镶层3,压焊面电 锻5. 5 y m的接触面半光亮镶层5 ;电锻过程采用了 4个子槽进行锻半光亮镶；所用电锻药 水成分为氨基横酸镶lOOg/l，氯化镶6g/L，棚酸50g/l，化为3. 7,温度为52°C，浸溃时间 48s电流密度为20ASD，使用的是不含硫的次级光亮剂10?15ml/L ;不含硫的次级光亮剂为 由1，4 - 了诀二醇、締丙基横酸钢和香豆素-7, 8-2-化喃酬的混合物； 4) 预锻金；在接触面半光亮镶层外电锻0.005 ym厚的预锻金层；药水成分为氯化金钟 2. 3g/L，比重9,化为4,温度45°C ;浸溃时间10s，电流密度0. 4ASD ; 5) 锻软金：在压焊面预锻金层外电锻厚度为0. 3 ym的软金层；药水成分氯化金钟 8. 5g/l，比重14,99%的草酸钟（比重2. 1) 30g/L，质量百分比小于1%醋酸铅2ml/L，质量百 分比小于1%己氧基环了烧二醇水溶液3. 5ml/L ;化为6,温度为60°C，浸溃时间12s，电流 密度为3ASD ; 6) 烘干；烘干1C封装载带表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持干燥；烘烤 温度80?120°C，烘烤时间16s。
[0027] 实施例2 本实施例的制备方法，包括W下步骤： 1) 除油：W蚀刻成型的铜巧层4为电锻底材，采用了超声振荡W及电解除油的工艺对 铜巧层4除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为60g/L的水溶液，电解除油电流 密度为6ASD ;浸溃时间为27s ; 2) 活化；在29°C温度下使用ACT9600活化盐制备的浓度为40g/L活化液浸溃铜巧层4， 浸溃时间18s ; 3) 锻半光亮镶；在铜巧层4的接触面电锻1. 6 ym厚的接触面半光亮镶层，压焊面电锻 4 y m的接触面半光亮镶层。采用了 4个子槽进行锻半光亮镶，电锻药水成分为氨基横酸镶 80g/l，氯化镶Ig/l，棚酸40g/L ;化为3,温度为65°C，浸溃时间72s电流密度控制在10ASD， 使用的是不含硫的次级光亮剂10?15ml/L;不含硫的次级光亮剂为由1，4 - 了诀二醇、締 丙基横酸钢和香豆素-7, 8-2-化喃酬的混合物； 4) 预锻金；在接触面半光亮镶层外电锻0. 0015 ym厚的预锻金层；药水成分为氯化金 钟1. Og/L，比重6,化为3. 5,温度50°C ;浸溃时间15s，电流密度0. 1ASD ; 5) 锻软金：在压焊面预锻金层外电锻厚度为0. 14ym的软金层；药水成分氯化金钟7g/ L，比重10,质量百分比99%比重为2. 1的草酸钟30g/L，质量百分比小于1%醋酸铅2ml/L， 质量百分比小于1%己氧基环了烧二醇水溶液2ml/L ;化为5. 5,温度为65°C，浸溃时间18s， 电流密度为1ASD ; 6) 烘干；烘干1C封装载带表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持干燥；烘烤 温度80°C，烘烤时间25s。
[002引实施例3 本实施例的制备方法，包括W下步骤： 1) 除油：W蚀刻成型的铜巧层4为电锻底材，采用了超声振荡W及电解除油的工艺对 铜巧层4除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为80g/L的水溶液，电解除油电流 密度为12ASD;浸溃时间为9s; 2) 活化；在18°C温度下使用ACT9600活化盐制备的浓度为80g/L活化液浸溃铜巧层4， 浸溃时间6s ; 3) 锻半光亮镶；在铜巧层4的接触面电锻2 ym厚的接触面半光亮镶层，压焊面电锻 4. 2 y m的压焊面半光亮镶层5 ;采用了 4个子槽进行锻半光亮镶，电锻药水成分为氨基横酸 镶120g/l，氯化镶12g/L，棚酸60g/L ;化为4. 5,温度为40°C，浸溃时间24s电流密度控制 在30ASD，使用的是不含硫的次级光亮剂10?15ml/L;不含硫的次级光亮剂为由1，4 - 了 诀二醇、締丙基横酸钢和香豆素-7, 8-2-化喃酬的混合物； 4) 预锻金；在接触面半光亮镶层外电锻0.006 ym厚的预锻金层；药水成分为氯化金钟 3. 5g/L，比重12,化为4. 5,温度40°C ;浸溃时间5s，电流密度0. 8ASD ; 5) 锻软金：在压焊面预锻金层外电锻厚度为0. 27 ym的软金层；药水成分氯化金钟 lOg/L，比重18,质量百分比99%比重为2. 1的草酸钟30g/L，质量百分比小于1%醋酸铅2ml/ 以质量百分比小于1%己氧基环了烧二醇水溶液5ml/L ;化为6. 5,温度为55°C，浸溃时间 6s，电流密度为5ASD ; 6) 烘干；烘干1C封装载带表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持干燥；烘烤 温度120°C，烘烤时间8s。
[0029] 实施例4 本实施例的制备方法，包括W下步骤： 1) 除油：W蚀刻成型的铜巧层4为电锻底材，采用了超声振荡W及电解除油的工艺对 铜巧层4除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为70g/L的水溶液，电解除油电流 密度为8ASD ;浸溃时间为9s ; 2) 活化；在24°C温度下使用ZA-200微蚀剂150g/L和体积浓度0. 5?5%的硫酸和水的 混合物作为活化液浸溃铜巧层4,浸溃时间6s ; 3) 锻半光亮镶；在铜巧层4的接触面电锻1. 0 ym厚的接触面半光亮镶层3,压焊面电 锻2 y m的压焊面半光亮镶层5 ;采用了 4个子槽进行锻半光亮镶，电锻药水成分为氨基横 酸镶lOOg/l，氯化镶6g/l，棚酸50g/L ;Ph为3. 7,温度为53°C，浸溃时间24s电流密度控制 在16ASD，使用的是不含硫的次级光亮剂10?15ml/L ;不含硫的次级光亮剂为由1，4 - 了 诀二醇、締丙基横酸钢和香豆素-7, 8-2-化喃酬的混合物； 4) 预锻金；在接触面半光亮镶层外电锻0. 0005 ym厚的预锻金层；药水成分为氯化金 钟2. 3g/l，比重9,化为4,温度45°C ;浸溃时间5s，电流密度0. lASD ; 5) 锻软金：在压焊面预锻金层外电锻厚度为0. 1 ym的软金层；药水成分氯化金钟 8. 5g/l，比重14,质量百分比99%比重为2. 1的草酸钟30g/l，质量百分比小于1%醋酸铅 2ml/l，质量百分比小于1%己氧基环了烧二醇水溶液3. 5ml/L ;化为6,温度为60°C，浸溃时 间6s，电流密度为2ASD ; 6) 烘干；烘干1C封装载带表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持干燥；烘烤 温度120°C，烘烤时间8s。
[0030] 实施例5 本实施例的制备方法，包括W下步骤： 1) 除油：W蚀刻成型的铜巧层4为电锻底材，采用了超声振荡W及电解除油的工艺对 铜巧层4除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为70g/L的水溶液，电解除油电流 密度为8ASD ;浸溃时间为27s ; 2) 活化；在24°C温度下使用ZA-200微蚀剂50g/L的水溶液作为活化液浸溃铜巧层4， 浸溃时间18s ; 3) 锻半光亮镶；在铜巧层4的接触面电锻4 ym厚的接触面半光亮镶层3,压焊面电锻 9 y m的压焊面半光亮镶层5 ;采用了 4个子槽进行锻半光亮镶，电锻药水成分为氨基横酸 镶lOOg/l，氯化镶6g/l，棚酸50g/L ;化为3. 7,温度为57°C，浸溃时间72s电流密度控制在 19ASD，使用的是不含硫的次级光亮剂10?15ml/L;不含硫的次级光亮剂为由1，4 - 了诀 二醇、締丙基横酸钢和香豆素-7, 8-2-化喃酬的混合物； 4) 预锻金；在接触面半光亮镶层外电锻0. 01 y m厚的预锻金层；药水成分为氯化金钟 2. 7g/L，比重9,化为4,温度45°C ;浸溃时间15s，电流密度0. 5ASD ; 5) 锻软金：在压焊面预锻金层外电锻厚度为0. 5 ym的软金层；药水成分氯化金钟 8. 5g/l，比重14,质量百分比99%比重为2. 1的草酸钟30g/l，质量百分比小于1%醋酸铅 2ml/l，质量百分比小于1%己氧基环了烧二醇水溶液3. 5ml/L ;化为6,温度为60°C，浸溃时 间18s，电流密度为3ASD ; 6) 烘干；烘干1C封装载带表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持干燥，烘烤 温度80°C，烘烤时间25s。
[0031] 性能测试 测试1 ;耐腐蚀能力测试： 将实施例]-5 按照国际标准 ISO 9227:2012《Corrosion tests in artificial atmospheres - Salt spray tests》进行了中性盐雾试验（NSS)，测试结果详见表1 ;
【权利要求】
1. 一种1C封装载带，包括基材（1)，其特征在于：基材（1)上方按由下到上依次附着 有铜箔层（4)、接触面半光亮镍层（3)、接触面预镀金层（2);基材（1)上开有焊接用焊接 孔（101)，焊接孔（101)中按由下到上依次填充有压焊面半光亮镍层（5)、压焊面预镀金层 (6)、焊接用软金层（7)。
2. 根据权利要求1所述的一种1C封装载带，其特征在于：所述的基材（1)采用环氧树 脂布材质，接触面预镀金层（2)和压焊面预镀金层（6)采用预镀金材质；接触面半光亮镍层 (3)和压焊面半光亮镍层（5)采用半光亮镍材质。
3. 根据权利要求1所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于，由1)除油；2)活 化；3)镀半光亮镍；4)预镀金；5)镀软金；6)烘干的步骤组成； 1) 除油：以蚀刻成型的铜箔层（4)为电镀底材，采用了超声振荡以及电解除油的工艺 对铜箔层（4)除油；在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为60~80g/L的水溶液，电解 除油电流密度为6~12ASD，浸渍时间为9~27秒； 2) 活化：在18~29°C温度下使用活化液浸渍铜箔层（4)，浸渍时间6~18秒； 3) 镀半光亮镍：电镀过程中采用4个子槽使用镀半光亮镍药水进行镀半光亮镍，电镀 药水温度为40~65°C，浸渍时间24s~72s，电流密度10~30ASD ;电镀结束在铜箔层（4)的接 触面电镀形成1.0 um~4ym厚的接触面半光亮镍层（3)，在铜箔层（4)的压焊面电镀形成 2 y m~9 y m的压焊面半光亮镍层（5);使用的添加不含硫光亮剂10~15ml/L的水溶液浸渍处 理电镀形成的接触面半光亮镍层（3)和压焊面半光亮镍层（5); 4) 预镀金：使用预镀金药水，分别在接触面半光亮镍层（3)外部电镀0. 0005~0. 01 y m 厚的接触面预镀金层（2)、在压焊面半光亮镍层（5)外部电镀0. 0005~0. 01 ym厚的压焊面 预镀金层（6)，药水浸渍时间5~15s，电流密度0. 1~0. 8ASD ; 5) 镀软金：使用镀软金药水，在压焊面预镀金层（6)外电镀厚度为0. 1~0. 5 ym的焊接 用软金层（7)，药水浸渍时间6~18s，电流密度为1~5ASD，即得1C封装载带。
4. 根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述 的碱性除油粉为Technic 200碱性除油粉。
5. 根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述 的活化液为ZA-200微蚀剂50~150g/L、体积浓度0. 5~5%的硫酸和水的混合物；或者所述的 活化液为浓度为40~80g/L的ACT9600活化盐水溶液。
6. 根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：步骤3)所述镀 半光亮镍药水成分为氨基磺酸镍80~120g/L，氯化镍l~12g/L，硼酸40~60g/L ;电镀药水PH 为3?4. 5 〇
7. 根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：步骤3)所述不 含硫光亮剂为1，4 一丁炔二醇、烯丙基磺酸钠和香豆素-7, 8-2-吡喃酮的混合物。
8. 根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：步骤4)所述预 镀金药水成分为氰化金钾1. 〇~3. 5g/L，比重6~12, PH为3. 5~4. 5,温度40~50°C。
9. 根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：步骤5)所述镀软 金药水Ph5. 5~6. 5,镀软金药水成分为氰化金钾7~10g/L，比重10~18,质量百分比99%的比 重为2. 1的草酸钾30g/L，质量百分比小于1%醋酸铅水溶液2ml/L，质量百分比小于1%乙 氧基环丁烷二醇水溶液2~5ml/L。
10.根据权利要求3所述的一种1C封装载带的制备方法，其特征在于：所述的步骤6) 烘干的具体操作为：烘干除去1C封装载带表面残留的清洗用去离子水，使1C封装载带保持 干燥，烘烤温度80~120°C，烘烤时间8~25秒。
【文档编号】C25D3/48GK104485317SQ201410813824
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月24日 优先权日:2014年12月24日
【发明者】刘琪, 余庆华, 黄雄, 石颖慧 申请人:恒汇电子科技有限公司