晶圆电镀辅助阳极的制作方法

本实用新型涉及一种电镀领域，具体涉及一种晶圆电镀辅助阳极。

背景技术：

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。半导体集成电路和其它半导体集成器件的生成过程中需要在晶圆表面上制作多种金属层，从而达到电气互联的作用。电镀是制作这些金属层的关键工艺之一，晶圆电镀是将晶圆置于电镀液中，将电压负极施加到晶圆上预先制造好的薄金属层(种子层)，并将电压正极施加到可溶或不可溶的阳极上，通过电场作用使得镀液中的金属离子沉积到晶圆表面。然而，种子层厚度的增加，使得晶圆中心和晶圆边缘之间的电阻不断变化，最终使得晶圆中心和晶圆边缘的电镀层的厚度存在明显的差异。

技术实现要素：

本实用新型提供一种晶圆电镀辅助阳极，以解决现有技术存在的晶圆中心的电镀层厚度和晶圆边缘的电镀层厚度存在较大偏差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆电镀辅助阳极，包括六方体、电镀面、圆柱棒，所述六方体设计成空心结构。其中，所述圆柱棒焊接在所述六方体的上面，所述电镀面设置在所述六方体的前面、后面、左面或右面的任意一面上，所述电镀面呈圆形的薄片且所述电镀面的直径与晶圆直径相同并所述电镀面上设置有有规律排列的小孔。

所述小孔的直径为4mm。

许多所述小孔组成圆形孔簇，许多所述圆形孔簇以同心圆的形式分布在所述电镀面上。

所述电镀面的厚度为3mm。

所述圆柱棒是中空的。

本实用新型带来的有益效果：本实用新型提供的晶圆电镀辅助阳极通过设置六方体、电镀面、有规律排列的小孔，能够使电镀液从所述电镀面上的所述小孔均匀地流向晶圆表面，从而保证从所述电镀面上的所述小孔流出来的电镀液到达晶圆上的浓度是一样的，使晶圆表面镀上一层30um厚的银，而且能够使银膜厚度公差做到±2um之内，有效缩小了晶圆中心的电镀层厚度和晶圆边缘的电镀层厚度的偏差，提高晶圆上电镀层的均匀度，且提高了电镀工艺的稳定性，使得后续的其他工艺能够顺利进行。

附图说明

图1是根据本实用新型实施例的晶圆电镀辅助阳极的整体结构示意图。

图2是根据本实用新型实施例的晶圆电镀辅助阳极的主视图。

其中，1-六方体，2-圆柱棒，3-电镀面，4-小孔。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本实用新型作进一步地详细说明。

图1是根据本实用新型实施例的晶圆电镀辅助阳极的整体结构示意图。图2是根据本实用新型实施例的晶圆电镀辅助阳极的主视图。

如图1和图2所示，本实用新型提供的晶圆电镀辅助阳极包括六方体1、电镀面3、圆柱棒2。其中，所述六方体1设计成空心结构，以便所述六方体1里面有充足的电镀液。所述圆柱棒2焊接在所述六方体1的上面，所述圆柱棒2不仅便于接入外部电源，而且便于晶圆电镀辅助阳的移动和搬运。所述电镀面3设置在所述六方体1的前面、后面、左面或右面的任意一面上，所述电镀面3呈圆形的薄片且所述电镀面3的直径与晶圆直径相同并所述电镀面3上设置有有规律排列的小孔4，电镀液可以通过所述小孔4进出所述六方体1。

进一步来说，所述小孔4的直径为4mm，许多所述小孔4组成圆形孔簇，许多所述圆形孔簇以同心圆的形式分布在所述电镀面3上，从而形成有规律排列的所述小孔4，且每两个所述小孔4之间的间距是相同的，从而保证从所述电镀面3上的所述小孔4流出来的电镀液到达电镀件晶圆上的浓度是一样的，如此一来可以有效保证晶圆上的银膜厚度公差在±2um之内。此外，所述电镀面3的厚度为3mm，所述圆柱棒2是中空的。

在使用本实用新型提供的晶圆电镀辅助阳极时，晶圆在下面，晶圆电镀辅助阳极在上面且使电镀面3完全对准晶圆表面，接通电源，电镀液从所述电镀面3上的所述小孔4均匀地流向晶圆表面，使所述电镀面3上的所述小孔4流出来的电镀液到达晶圆上的浓度是一样的，使晶圆表面镀上一层30um厚的银，而且能够使银膜厚度公差做到±2um之内。

综上所述，本实用新型提供的晶圆电镀辅助阳极通过设置六方体、电镀面、有规律排列的小孔，能够使电镀液从所述电镀面上的所述小孔均匀地流向晶圆表面，从而保证从所述电镀面上的所述小孔流出来的电镀液到达晶圆上的浓度是一样的，使晶圆表面镀上一层30um厚的银，而且能够使银膜厚度公差做到±2um之内，有效缩小了晶圆中心的电镀层厚度和晶圆边缘的电镀层厚度的偏差，提高晶圆上电镀层的均匀度，且提高了电镀工艺的稳定性，使得后续的其他工艺能够顺利进行。

以上所述仅为本实用新型的实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。