专利名称：一种具有调整阀门运动速度的气压驱动装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具调整阀门运动速度的气压驱动装置，且特别是应用于半导体工艺设用来开关反应室的阀门。
造成良好率下跌的主因之一是无法有效控制微粒(Particle)附着在芯片上的数目，因为微粒是芯片缺陷元凶之一。微粒可能会使芯片结构破坏、漏电甚至短路导致组件无法使用。就因为微粒的控制如此的重要，半导体的设备会依工艺的需求放置在不同洁净度的的无尘室中如Class 1或Class 10k。除此之外，在工艺设备的反应室中减少微粒的数目更直接影响到良好率。
半导体厂中具有许多低压高真空反应室的设备。反应室(ProcessChamber)的芯片传输出入口(Wafer Port)应用气压驱动装置(Cylinder)来开关阀门(Door)。应用此气压驱动装置常发生阀门速度过快导致本身损坏进而产生微粒，以及阀门速度过快造成的阀门内外瞬间压力梯度，反应室内气体对流加速，而带起附着反应室内壁的微粒。以上所述情形均会造成反应室内微粒的数量而造成良好率下跌。
本发明的优点就是可以减少反应室内微粒的数量，进而使良好率的提高。
根据本发明的上述目的，提出一种气压驱动装置，包含一种容器主体，内部空间由一种活塞区隔为两个气体容纳空间，且两个气体容纳空间分别具有开口供气体导管装设。另包含一种调压阀，装设于气体导管上，用来调整进入该容器主体的气体压力。又包含一种阀门，藉由一长轴经过气体容纳空间的开口与活塞连接，此阀门利用调压阀调整进入该容器主体的气体压力，控制活塞的运动速度，经由连接的长轴，达成调整阀门运动速度。
本发明的另一目的是提供一种具有减少微粒的方法，将气压驱动装置应用于半导体工艺设备作为开关反应室的阀门，减低开关反应室的阀门的速度，减少反应室内微粒的扬起。
根据本发明上述的另一目的，提出一种气压驱动装置，包含一种容器主体，内部由一活塞区隔为两个气体容纳空间，且两个气体容纳空间分别具有开口供气体导管装设，另包含一种调压阀，装设于气体导管上，用来调整进入该容器主体的气体压力。又包含一种阀门，藉由一长轴经过气体容纳空间的开口与活塞连接，此阀门利用调压阀减少进入该容器主体的气体压力，减低活塞的运动速度，经由连接的长轴，减低阀门运动速度。通过减低该阀门运动速度，减低反应室内压力梯度，进而减少反应室内微粒的扬起。
上述两个目的都可以减少反应室内微粒的数量，进而提高良好率。
图1为依照本发明一较佳实施例的一种气压驱动装置图；以及图2为图1气压驱动装置的放大图。图号说明10反应室 20芯片传输出入口30容器主体35活塞40阀门45长轴50/60气体导管 70/80调压阀90电磁阀 A/B气体容纳空间具体实施方式
请参照图1，其为依照本发明一较佳实施例的一种装置图。图中反应室(Process Chamber)10的芯片传输出入口(Wafer Port)20应用气压驱动装置来开关阀门(Door)40。图2为图1气压驱动装置的放大图，上述气压驱动装置包括一个容器主体30，内有一个活塞35区隔为气体容纳空间A和气体容纳空间B，活塞35藉由一长轴45经过气体容纳空间A的开口与阀门40连接。二个气体容纳空间各具有一个开口连接，气体容纳空间A与气体导管60连接，气体容纳空间B与气体导管50连接。气体导管50和气体导管60均与电磁阀90连接，且在容器主体30和电磁阀90之间各装设一个调压阀。调压阀70装设于气体导管50，调压阀80装设于气体导管60。
参照图2，当要打开阀门40时，电磁阀90会让厂务供应的气体进入气体导管60，气体导管50则不注入气体。此时气体容纳空间A的压力因为气体导入，就会大于气体容纳空间B的压力，造成活塞35往右移动，经由长轴45打开阀门40。
参照图2，当要关闭阀门40时，电磁阀90会让厂务供应的气体进入气体导管50，气体导管60则不注入气体。此时气体容纳空间B的压力因为气体导入，就会大于气体容纳空间A的压力，造成活塞35往左移动，经由长轴45关闭阀门40。
参照图2，由上述的操作原理可以知道，阀门40的速度取决于气体容纳空间A与气体容纳空间B的压力差，压力差越大速度越快，调整压力差需利用调压阀调整进入气体容纳空间的压力。若要打开阀门40时，则需要调压阀80调整进入气体容纳空间A的压力。若要关闭阀门40时，则需要调压阀70调整进入气体容纳空间B的压力。
由上述本发明较佳实施例可知，应用本发明的气压驱动装置具有调整阀门运动速度的优点，可以防止阀门速度过快撞击芯片传输出入口，导致本身损坏进而产生微粒。除此之外，阀门速度的调整也可防止阀门速度过快造成的阀门内外瞬间压力梯度，反应室内气体对流加速，而带起附着反应室内壁的微粒。以上所述优点都可以减少反应室内微粒的数量，进而使良好率的提高。
虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的熟练技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种具调整阀门运动速度的气压驱动装置，应用于半导体工艺设备作为开关反应室的阀门，其特征在于该气压驱动装置具有一容器主体，该容器主体内由一活塞区隔为一第一气体容纳空间和一第二气体容纳空间，且该第一和第二气体容纳空间分别具有一第一开口和第二开口供气体导管装设，另有一第三开口位于该第一气体容纳空间上，该气压驱动装置至少包含一调压阀，装设于气体导管上；以及一阀门，藉由一长轴经过一第三开口与活塞连接，该阀门利用该调压阀调整进入该容器主体的气体压力，控制该活塞的运动速度，经由连接的该长轴，达成调整该阀门运动速度。
2.如权利要求1所述的气压驱动装置，其特征在于该调压阀可同时装置于两气体导管或用两个调压阀装置于两气体导管。
3.如权利要求2所述的气压驱动装置，其特征在于该调压阀需装置于于气体导管上，且位于该容器主体和电磁阀之间。
4.如权利要求1所述的气压驱动装置，其特征在于由该第一开口注入气体，该第二开口不注入气体，且该第一气体容纳空间的压力大于该第二气体容纳空间的压力，则打开反应室的阀门。
5.如权利要求4所述的气压驱动装置，其特征在于该第一气体容纳空间的压力大于该第二气体容纳空间的压力，则打开反应室的阀门，打开反应室的阀门的速度取决于两气体容纳空间的压力差，压力差越大速度越快。
6.如权利要求5所述的气压驱动装置，其特征在于打开反应室的阀门的速度取决于两气体容纳空间的压力差，压力差越大速度越快，压力差的调整需利用调压阀调整进入该第一气体容纳空间的压力。
7.如权利要求1所述的气压驱动装置，其特征在于由该第一开口不注入气体，该第二开口注入气体，且该第二气体容纳空间的压力大于该第一气体容纳空间的压力，则关闭反应室的阀门。
8.如权利要求6所述的气压驱动装置，其特征在于该第二气体容纳空间的压力大于该第一气体容纳空间的压力，则关闭反应室的阀门，关闭反应室的阀门的速度取决于两气体容纳空间的压力差，压力差越大速度越快。
9.如权利要求8所述的气压驱动装置，其特征在于关闭反应室的阀门的速度取决于两气体容纳空间的压力差，压力差越大速度越快，压力差的调整需利用调压阀调整进入该第二气体容纳空间的压力。
10.一种减少微粒的方法，将一气压驱动装置应用于半导体工艺设备作为开关反应室的阀门，其特征在于该气压驱动装置具有一容器主体，该容器主体内由一活塞区隔两气体容纳空间，且两气体容纳空间分别具有开口供气体导管装设，另具有一调压阀，装设于气体导管上，用来调整进入该容器主体的气体压力，该方法至少包含利用该调压阀调整进入该容器主体的气体压力，控制该活塞的运动速度，经由连接的长轴，达成调整一阀门运动速度；以及减低该阀门运动速度，减低反应室内压力梯度，进而减少反应室内微粒的扬起。
全文摘要
一种气压驱动装置，包含一种容器主体，内部空间由一种活塞区隔为两个气体容纳空间，且两个气体容纳空间分别具有开口供气体导管装设。另包含一种调压阀，装设于气体导管上，用来调整进入该容器主体的气体压力。又包含一种阀门，藉由一长轴经过气体容纳空间的开口与活塞连接，此阀门利用调压阀调整进入该容器主体的气体压力，控制活塞的运动速度，经由连接的长轴，达成调整阀门运动速度。
文档编号F16K31/122GK1472463SQ0212747
公开日2004年2月4日 申请日期2002年8月2日 优先权日2002年8月2日
发明者陈庆任, 吕水烟, 陈明元, 陈意壬 申请人:矽统科技股份有限公司