一种高密度单晶炉用环锻法兰的制作方法

本实用新型涉及一种高密度单晶炉用环锻法兰。

背景技术：

环锻法兰是在经由环形设备使坯料塑性变形以获得一定环形尺寸的锻造的法兰。如图1所示，包括环形盘1、位于所述环形盘1中间的通孔11，环形盘1的边缘设有环形的凸缘2，凸缘2围成一个止口21。

环锻法兰在使用过程中，会收到接管的挤压，环形盘1承受挤压力容易发生形变。尤其用在单晶炉上时，需要更大尺寸的法兰，使得法兰更易发生形变。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种高密度单晶炉用环锻法兰，增加了法兰和接管的接触面积，发生挤压时起到缓冲作用，不易发生扭曲形变，更适合单晶炉使用。

为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种高密度单晶炉用环锻法兰，包括环形盘、位于环形盘中间的通孔、突出环形盘的凸缘、以及凸缘的内壁围成的止口，止口内壁突出有缓冲环，缓冲环、环形盘以及止口的内壁围成第二槽口。

技术效果：在接管发生挤压时，缓冲环更易发生形变，通过缓冲环的形变起到缓冲作用，减小环形盘的形变程度。

本实用新型进一步限定的技术方案是：缓冲环背向第二槽口的一侧突出有凸环，凸环和缓冲环之间的高度差形成第三槽口。

进一步的，凸环与通孔、第二槽口共用同一中心轴。

进一步的，通孔的内壁开有第一槽口，第一槽口为环形。

进一步的，所述第一槽口与所述通孔共用同一中心轴。

本实用新型的有益效果是：

当法兰受到接管的挤压时槽口先发生挤压，通过槽口微变化来缓解冲击应力，从而达到解决法兰周体的扭曲变形的问题。

附图说明

图1为背景技术示意图；

图2为本实用新型结构的示意图；

其中：1、环形盘；11、通孔；2、凸缘；21、止口；3、第一槽口；4、缓冲环；5、第二槽口；6、凸环；7、第三槽口。

具体实施方式

本实施例提供的一种高密度单晶炉用环锻法兰，结构如图1-2所示。

该种高密度单晶炉用环锻法兰，包括环形盘1、位于环形盘1中间的通孔11、突出环形盘1的凸缘2、以及凸缘2的内壁围成的止口21，止口21内壁突出有缓冲环4，缓冲环4、环形盘1以及止口21的内壁围成第二槽口5。

其中，在接管发生挤压时，缓冲环4更易发生形变，通过缓冲环4的形变起到缓冲作用，减小环形盘1的形变程度。

其中，缓冲环4背向第二槽口5的一侧突出有凸环6，凸环6和缓冲环4之间的高度差形成第三槽口7。凸环6与通孔11、第二槽口5共用同一中心轴。

其中，通孔11的内壁开有第一槽口3，第一槽口3为环形。第一槽口3与所述通孔11共用同一中心轴。

其中，当法兰受到接管的挤压时槽口先发生挤压，通过槽口微变化来缓解冲击应力，从而达到解决法兰周体的扭曲变形的问题。

除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式；凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。