磁性检测装置的制作方法

专利名称：磁性检测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有磁阻效应元件的磁性检测装置，尤其涉及作为双极检 测对应的磁性检测^ff与现有相比可减少元件数并且能够使电路结构简 单的磁性检测装置。
背景技术：
图17是现有磁性检测装置的电路结构图。磁性检测装置由传感器部S 和集成电路(IC)1构成。图17所示的磁性检测装置是双极检测对应型传感 器。上述传感器部S具有第1桥式电路BC1，其具备电阻值相对于正方向 外部磁场进行变化的GMR元件等第1磁阻效应元件2;第2桥式电路BC2， 其具备电阻值相对于负方向外部磁场进行变化的GMR元件等第2磁阻效应 元件3。所谓"正方向外部磁场"是指任意一个方向的外部磁场，不过在 图20的形态中是指第1磁阻效应元件2的电阻值变动、第2磁阻效应元件3的 电阻值不变动(即，作为固定电阻发挥作用)的方向的外部磁场；所谓"负 方向的外部磁场"是与上述正方向外部磁场相反方向的外部磁场，在图20 的形态中是指第2磁阻效应元件3的电阻值变动、第1磁阻效应元件2的电阻 值不变动(即，作为固定电阻发挥作用)的方向的外部磁场。
如图17所示，各第1磁阻效应元件2分别由固定电阻元件4和串联电路 构成，并联连接各串联电路，构成第1桥式电路BC1。构成上述第l桥式电 路BC1的两条串联电路的各输出取出部与第1差动放大器6连接。另外如图 17所示，各第2磁阻效应元件3分别由固定电阻元件5和串联电路构成，并 联连接各串联电路，构成第2桥式电路BC2。构成上述第2桥式电路BC2的 两条串联电路的各输出取出部与第2差动放大器7连接。
在上述集成电路1内除了差动放大器6、 7之外，还设有施密特触发器 (Schmidttrigger)型的比较器12、 13及锁存器电路8、 9等，从外部输出端 子IO、 ll取出外部磁场检测信号。在图17所示的磁性检测装置中，当正方向外部磁场作用时，构成第l 桥式电路BC1的第1磁阻效应元件2的电阻值变动，因此利用上述第1差动放
大器6对输出进行差动放大，由此来生成检测信号，并将上述检测信号从 第1外部输出端子10输出。另一方面，在磁性检测装置中，当负方向外部 磁场作用时，构成第2桥式电路BC2的第2磁阻效应元件3的电阻值变动，因 此利用上述第2差动放大器7对输出进行差动放大，由此来生成检测信号， 并将上述检测信号从第2外部输出端子11输出。
如上所述，图17所示的磁性检测装置为对正方向以及负方向的哪个方 向的外部磁场都能检知的双极检测对应型传感器。
专利文献l:日本特开2004-77374号公报
专利文献2:日本特开2004-180286号公报
专利文献3:日本特开2005-214900号公报
专利文献4:日本特开2003-14833号公报
专利文献5:日本特开2003-14834号公报
专利文献6:日本特开2003-121268号公报
专利文献7:日本特开2004-304052号公报 但是，在图17所示的现有磁性检测装置中，需要构成传感器部S的元 件数较多。即，因为选择了双极检测对应型传感器，所以需要两个桥式电 路BC1、 BC2，元件数一共需要8个。
另外，由于设有两个桥式电路BC1 、BC2，所以针对各个桥式电路BC1 、 BC2需要差动放大器6、 7、比较器12、 13、信号线等，因此存在电路结 构复杂化、且还给集成电路l的小型化带来阻碍这样的问题。

发明内容
因此，本发明用于解决上述现有的问题，其目的是提供可减少元件数、 并且能够使电路结构简单的双极检测对应型的磁性检测装置。
本发明中的磁性检测装置的特征是，具有第1串联电路、第2串联电
路和第3串联电路，在构成上述第l串联电路的多个电阻元件的至少任意一
个中包含第l磁阻效应元件，该第l磁阻效应元件利用了相对于某一个方向
的外部磁场电阻发生变化的磁阻效应，在构成上述第2串联电路的多个电
5阻元件的至少任意一个中包含第2磁阻效应元件，该第2磁阻效应元件利用 了相对于与上述一个方向相反方向的外部磁场电阻发生变化的第2磁阻效 应，构成上述第3串联电路的多个电阻元件是与构成上述第1串联电路的电
阻元件、以及构成上述第2串联电路的电阻元件分别桥式连接的共用的电 阻元件，上述第1串联电路的第1输出取出部和上述第2串联电路的第2输出 取出部能够逐个经由第l连接切换部，与上述第3串联电路的第3输出取出 部一同连接在共用的差动输出部上，
在经由上述第l连接切换部连接了上述第l输出取出部和上述差动输 出部时，切换为并联连接上述第1串联电路和上述第3串联电路、将上述一 个方向的外部磁场检测用的第l桥式电路与上述差动输出部连接的状态， 在经由上述第1连接切换部连接了上述第2输出取出部和上述差动输出部 时，切换为并联连接上述第2串联电路和上述第3串联电路、将上述相反方 向的外部磁场检测用的第2桥式电路与上述差动输出部连接的状态。
根据本发明，在双极检测对应型的磁性检测装置中，利用上述结构可 减少与现有相比的元件数，并且能够使电路结构简单。即，在本发明中， 通过将第3串联电路作为第1桥式电路以及第2桥式电路的共用布线，与现
有的相比能够减少形成两个桥式电路所需的元件数。而且，在本发明中， 设有第l连接切换部，来切换向第1输出取出部以及第2输出取出部的差动 输出部的连接，由此可利用简单的电路结构取得使第l桥式电路与差动输 出部连接的状态和使第2桥式电路与差动输出部连接的状态这两个状态。
另外在本发明中优选，上述第l串联电路中，经由上述第l输出取出部 串联连接第1电阻元件和第2电阻元件，利用上述第l磁阻效应元件来形成 上述第l电阻元件，上述第2串联电路中，经由上述第2输出取出部串联连 接第3电阻元件和第4电阻元件，利用上述第2磁阻效应元件来形成上述第3 电阻元件，上述第3串联电路中，经由上述第3输出取出部串联连接第5电 阻元件和第6电阻元件，并联连接上述第1电阻元件和上述第6电阻元件， 并且并联连接上述第2电阻元件和上述第5电阻元件，来构成上述第l桥式 电路，并联连接上述第3电阻元件和上述第5电阻元件，并且并联连接上述 第4电阻元件和上述第6电阻元件，来构成上述第2桥式电路。
另外在本发明中优选，所述磁性检测装置具有第l外部输出端子、第2外部输出端子以及第2连接切换部，该第2连接切换部用于切换上述差 动输出部和上述第l外部输出端子之间的连接、以及上述差动输出部和上
述第2外部输出端子之间的连接，在利用上述第l连接切换部连接了上述第 l输出取出部和上述差动输出部之间时，利用上述第2连接切换部来连接上 述差动输出部和上述第l外部输出端子之间，在利用上述第l连接切换部连 接了上述第2输出取出部和上述差动输出部之间时，利用上述第2连接切换 部来连接上述差动输出部和上述第2外部输出端子之间。
在本发明中，可利用简单的电路结构，来构成还能够检知外部磁场方 向的两个输出的双极检测对应型传感器。
另外在本发明中优选，所述磁性检测装置具有第3连接切换部，其用 于切换输入端子以及接地端子的至少任意一方的端子和上述第l串联电路 之间的连接、以及上述一方的端子和上述第2串联电路之间的连接，在利 用上述第l连接切换部连接了上述第l输出取出部和上述差动输出部之间 时，利用上述第3连接切换部来连接上述第1串联电路和上述一方的端子之 间，在利用上述第1连接切换部连接了上述第2输出取出部和上述差动输出 部之间时，利用上述第3连接切换部来连接上述第2串联电路和上述一方的 端子之间。由此，电流没有流过第1串联电路以及第2串联电路中的与差动 输出部未连接的一侧的串联电路，这样能够实现消耗电流的降低，且能够 提高检测灵敏度。 (发明效果)
根据本发明，在双极检测对应型的磁性检测装置中，与现有相比可减 少元件数，并且能够使电路结构简单。而且能够降低消耗电流。


图l是表示本实施方式的磁性检测装置正方向的外部磁场检测电路状 态的电路结构图，
图2是表示本实施方式的磁性检测装置负方向的外部磁场检测电路状 态的电路构成图，
图3是用于说明第1磁阻效应元件的磁滞特性的曲线图(R - H曲线)， 图4是用于说明第2磁阻效应元件的磁滞特性的曲线图(R-H曲线)，图6是根据图5所示的A-A线在厚度方向上切断上述磁性检测装置、并 沿箭头方向观察的上述磁性检测装置的部分剖视图，
图7是表示第1磁阻效应元件以及第2磁阻效应元件的层构造的部分剖 视图，
图8是主要用于说明固定电阻元件的层构造的部分剖视图， 图9是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上
述磁性检测装置的翻盖式移动电话的部分示意图，表示关闭上述电话的状
态)，
图10是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的部分示意图，表示打开上述电话的状 态)，
图ll是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的部分示意图，使磁铁的配置与图9所 示的相反，表示关闭上述电话的状态)，
图12是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的部分示意图，使磁铁的配置与图10所 示的相反，表示打开上述电话的状态)，
图13是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的部分示意图，表示打开上述电话的状 态)，
图14是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的部分示意图，表示翻转第l部件的状 态)，
图15是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的图13的部分俯视图)，
图16是用于说明本实施方式的磁性检测装置用途的一例(是内置有上 述磁性检测装置的翻盖式移动电话的图15的部分俯视图)，
图17是现有磁性检测装置的电路结构图。
8符号说明
20磁性检测装置；21传感器部；22集成电路(IC); 23第1磁阻效应 元件(第1电阻元件)；24固定电阻元件(第2电阻元件)；25第1输出取出 部；26第1串联电路；27第2磁阻效应元件(第3电阻元件)；28固定电
阻元件(第4电阻元件)；29第2输出取出部；30第2串联电路；31固定
电阻元件(第5电阻元件)；32固定电阻元件(第6电阻元件)；33第3输出
取出部；34第3串联电路；35差动放大器；36第1开关电路(第1连接切 换部)；38比较器；39输入端子；40第1外部输出端子；41第2外部输出
端子；42接地端子；43第2开关电路；46、 47锁存器电路；48第3开关
电路；53时钟电路；62反铁磁性层；63固定磁层(第1磁层)；64非磁性
中间层；65、 67自由磁层(第2磁层)；78、 80绝缘层；81铸型(mold) 树脂；90、 IOO翻盖式移动电话；91、 102第1部件；92第2部件；94、 101磁铁。
具体实施例方式
图l、图2是本实施方式的磁性检测装置20的电路结构图，图3是用于 说明第1磁阻效应元件的磁滞特性的曲线图(R - H曲线)，图4是用于说明第 2磁阻效应元件的磁滞特性的曲线图(R-H曲线)，图5是表示本实施方式的 磁性检测装置20的传感器部的电阻元件形状的磁性检测装置20的部分放 大斜视图，图6是根据图5所示的A-A线在厚度方向上切断上述磁性检测装 置、并沿箭头方向观察的上述磁性检测装置的部分剖视图，图7是表示第1 磁阻效应元件以及第2磁阻效应元件的层构造的部分剖视图，图8是主要用 于说明固定电阻元件的层构造的部分剖视图，图9 图16是用于说明本实 施方式的磁性检测装置用途的一例，是内置有上述磁性检测装置的翻盖式 移动电话的部分示意图及部分俯视图。
图1所示的本实施方式的磁性检测装置20的结构为具有传感器部21和 集成电路(IQ22。
在上述传感器部21中设有第1串联电路26，其经由第1输出取出部(连接 部)25串联连接第1电阻元件(第1磁阻效应元件)23和第2电阻元件(在本实施方式中为固定电阻元件)24;第2串联电路30，其经由第2输出取出部(连接 部)29串联连接第3电阻元件(第2磁阻效应元件)27和第4电阻元件(在本实施 方式中为固定电阻元件)28;以及第3串联电路34，其经由第3输出取出部33 串联连接第5电阻元件(在本实施方式中是固定电阻元件)31和第6电阻元件 (在本实施方式中是固定电阻元件)32 。
此外如上所述，"电阻元件"的表述为第1 第6的通用编号。另外以 下，将各电阻元件主要表述为"磁阻效应元件"以及"固定电阻元件"， 关于不需要区别为"磁阻效应元件"以及"固定电阻元件"的说明之处使 用"电阻元件"的表述。
上述第3串联电路34作为共用电路与上述第1串联电路26以及上述第2 串联电路30分别构成桥式电路。以下，将并联连接上述第1串联电路26和 上述第3串联电路34的桥式电路称为第l桥式电路BC3 ，将并联连接上述第2 串联电路30和上述第3串联电路34的桥式电路称为第2桥式电路BC4如图1所示，在上述第1桥式电路BC3中，并联连接上述第1电阻元件23 和上述第6电阻元件32，并且并联连接上述第2电阻元件24和上述第5电阻 元件31。另外，在上述第2桥式电路BC4中并联连接上述第3电阻元件27和 上述第5电阻元件31，并且并联连接上述第4电阻元件28和上述第6电阻元 件32。
如图1所示，在上述集成电路22中设有输入端子(电源)39、接地端子42 以及两个外部输出端子40、 41。上述输入端子39、接地端子42以及外部输 出端子40、 41分别利用引线键合(wire bonding)或芯片键合(die bonding)
等与未图示的设备侧的端子部电连接。
与上述输入端子39连接的信号线50以及与上述接地端子42连接的信 号线51分别与设置在上述第1串联电路26、第2串联电路30以及第3串联电 路34的两侧端部上的电极连接。
如图1所示在集成电路22内设置有一个差动放大器(差动输出部)35， 在上述差动放大器35的正输入部、负输入部的某个上连接有上述第3串联 电路34的第3输出取出部33。此外，上述第3输出取出部33和上述差动放大 器35的连接与如下说明的上述第1串联电路26的第1输出取出部25以及第2 串联电路30的第2输出取出部29和差动放大器35之间的连接状态不同地进行固定(没有成为非连接状态)。
上述第1串联电路26的第1输出取出部25以及第2串联电路30的第2输 出取出部29分别与第1开关电路(第1连接切换部)36的输入部连接，上述第l 开关电路36的输出部与上述差动放大器35的负输入部、正输入部的某个(未 连接上述第3输出取出部33的一侧的输入部)连接。
如图1所示，上述差动放大器35的输出部与施密特触发器型的比较器 38连接，上述比较器38的输出部与第2开关电路(第2连接切换部)43的输入 部连接，而且上述第2开关电路43的输出部侧经由两个锁存器电路46、 47 以及FET电路54、 55与第1外部输出端子40以及第2外部输出端子41分别连 接。
此外如图l所示，在上述集成电路22内设置有第3开关电路48。上述第 3开关电路48的输出部连接与上述接地端子42连接的信号线51，在上述第3 开关电路48的输入部上连接有第1串联电路26以及第2串联电路30的一端 部。
另外如图l所示，在上述集成电路22内设置有间歇开关(interval switch)电路52以及时钟电路53。当断开上述间歇开关电路52的开关时， 停止向集成电路22内的通电。上述间歇开关电路52的开关的导通/断开与来 自上述时钟电路53的时钟信号联动，上述间歇开关电路52具有间歇地进行
通电状态的省电功能。
来自上述时钟电路53的时钟信号还输出到第1开关电路36、第2开关电 路43以及第3开关电路48。在上述第1开关电路36、第2开关电路43以及第3 开关电路48中当接收上述时钟信号时，分割该时钟信号并控制为以非常短 的周期进行开关动作。例如在l脉冲的时钟信号为数十msec时，按照数十 U msec进行开关动作。
上述第1磁阻效应元件23是根据正方向外部磁场(+H)的强度变化发挥 磁阻效应的磁阻效应元件，另一方面，上述第2磁阻效应元件27是根据与 上述正方向相反方向的负方向外部磁场(-H)的磁场强度变化发挥磁阻效
应的磁阻效应元件。
这里，正方向外部磁场(+H)表示某一个方向，在本实施方式中，是朝 着图示X1方向的方向。当该方向的外部磁场作用时，如图3、图4所说明的
ii那样，第1磁阻效应元件23的电阻值变动，第2磁阻效应元件27的电阻值不 变动(即作为固定电阻发挥作用)。
另一方面，负方向外部磁场(-H)是与上述正方向相反方向的外部磁 场，是朝着图示X2方向的方向。当该方向的外部磁场作用时，如图3、图4 所说明的那样，第2磁阻效应元件27的电阻值变动，第1磁阻效应元件23的 电阻值不变动(即，作为固定电阻发挥作用)。
以下，对上述第1磁阻效应元件23以及第2磁阻效应元件27的层构造以 及磁滞特性进行详细说明。
如图7所示，上述第1磁阻效应元件23以及第2磁阻效应元件27都从下 向上顺次层叠有基础层60、种子层61、反铁磁性层62、固定磁层63、非磁 性中间层64、自由磁层65、 67(设第2磁阻效应元件27的自由磁层为符号37) 以及保护层66。上述基础层60例如由Ta、 Hf、 Nb、 Zr、 Ti、 Mo、 W中的l 种或2种以上元素等的非磁性材料形成。上述种子层61由NiFeCr或Cr等形 成。上述反铁磁性层62由含有元素a(其中，a是Pt、 Pd、 Ir、 Rh、 Ru、 Os 中的l种或2种以上的元素)和Mn的反铁磁性材料、或者含有元素(x、元素 a'(其中，元素a'是Ne、 Ar、 Kr、 Xe、 Be、 B、 C、 N、 Mg、 Al、 Si、 P、 Ti、 V、 Cr、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、 Ga、 Ge、 Zr、 Nb、 Mo、 Ag、 Cd、 Sn、 Hf、 Ta、 W、 Re、 Au、 Pb以及稀土类元素中的l种或2种以上的元素)和Mn 的反铁磁性材料形成。例如，上述反铁磁性层62由IrMn及PtMn形成。上述 固定磁层63以及自由磁层65、 67由CoFe合金、NiFe合金、CoFeNi合金等磁 性材料形成。另外，上述非磁性中间层64由Cu等形成。上述保护层66由Ta 等形成。上述固定磁层63及自由磁层65、 67可以是层叠费里构造(是磁层/ 非磁层/磁层的层叠构造，即夹着非磁层的两个磁层的磁化方向为反平行的 构造)。另外，上述固定磁层63及自由磁层65、 67可以是材质不同的多个磁 层的层叠构造。
在上述第1磁阻效应元件23以及第2磁阻效应元件27中，为了形成上述 反铁磁性层62和上述固定磁层63连接而实施磁场中热处理，由此在上述反 铁磁性层62和上述固定磁层63的表面上产生交换结合磁场(Hex)，上述固定 磁层63的磁化方向固定为一个方向。在图5以及图7中，以箭头方向表示上 述固定磁层63的磁化方向63a。在第1磁阻效应元件23以及第2磁阻效应元
12件27中上述固定磁层63的磁化方向63a都是图示Xl方向(正方向)。
另一方面，上述自由磁层65、 67的磁化方向在第1磁阻效应元件23和 第2磁阻效应元件27中不同。如图7所示在上述第l磁阻效应元件23中上述 自由磁层65的磁化方向65a为图示X2方向(负方向)，与固定磁层63的磁化方 向63a是相同方向，不过在上述第2磁阻效应元件27中上述自由磁层67的磁 化方向67a为图示Xl方向(正方向)，与上述固定磁层63的磁化方向63a反平 行。
当正方向的外部磁场(+H)作用时，第2磁阻效应元件27的自由磁层67 的磁化67a不变动，第l磁阻效应元件23的自由磁层65的磁化65a变动，从 而上述第1磁阻效应元件23的电阻值发生变化。图3是表示第1磁阻效应元 件23的磁滞特性的R-H曲线。此外在图的曲线图中纵轴是电阻值R，不过 也可以是电阻变化率(％)。如图3所示，当外部磁场从无磁场状态(零)向正 方向缓缓增加时，自由磁层65的磁化65a和固定磁层63的磁化63a的平行状 态崩溃而接近于反平行状态，所以上述第1磁阻效应元件23的电阻值R在曲 线HR1上缓缓变大，当使正方向的外部磁场(+H)向零缓缓变小时，上述第l 磁阻效应元件23的电阻值R在曲线HR2上缓缓变小。
这样，在第1磁阻效应元件23中针对正方向外部磁场(+H)的磁场强度 变化，而形成以曲线HR1和曲线HR2围成的磁滞环HR。作为上述第l磁阻 效应元件23的最大电阻值和最低电阻值的中间值，上述磁滞环HR的宽幅 的中心值是磁滞环HR的"中点"。然后，根据从上述磁滞环HR的中点到 外部磁场f^0(Oe)线的磁场强度来确定第l层间结合磁场Hkil的大小。如图 3所示，在第1磁阻效应元件23中，上述第l层间结合磁场Hinl向正磁场方 向移动。
另一方面，当波及负方向外部磁场(-H)时，上述第1磁阻效应元件23 的自由磁层65的磁化65a不变动，第2磁阻效应元件27的自由磁层67的磁化 67a变动，从而上述第2磁阻效应元件27的电阻值发生变动。
图4是表示第2磁阻效应元件27的磁滞特性的R - H曲线。如图4所示， 当外部磁场从无磁场状态(零)向负方向缓缓增加时，自由磁层67的磁化67a 和固定磁层63的磁化63a的反平行状态崩溃而接近于平行状态，上述第2磁 阻效应元件27的电阻值R在曲线HR3上缓缓变小，另一方面，当使负方向外部磁场(-H)缓缓向零变化时，上述第2磁阻效应元件27的电阻值R在曲 线HR4上缓缓变大。
这样，在第2磁阻效应元件27中针对负方向外部磁场(-H)的磁场强度 变化，而形成以曲线HR3和曲线HR4围成的磁滞环HR。作为上述第2磁阻 效应元件27的最大电阻值和最低电阻值的中间值，上述磁滞环HR的宽幅 的中心值是磁滞环HR的"中点"。然后根据从上述磁滞环HR的中点到外 部磁场HN)(Oe)线的磁场强度来确定第2层间结合磁场Hin2的大小。如图4 所示，在第2磁阻效应元件27中，上述第2层间结合磁场Hin2向负磁场方向 移动。
这样，在本实施方式中，上述第1磁阻效应元件23的第1层间结合磁场 Hinl向正磁场方向移动，另一方面，上述第2磁阻效应元件27的第2层间结 合磁场Hin2向负磁场方向移动。
为了取得在图3、图4中说明的互逆符号的层间结合磁场Hinl、 Hin2， 例如，可适当调节对上述非磁性中间层64表面的等离子处理(PT)时的气体 流量(气压)及功率。根据气体流量(气压)的大小以及功率值的大小，可知层 间结合磁场Hin发生变化。随着上述气体流量(气压)及功率值变大，可使层 间结合磁场Hin从正值向负值变化。另外，上述层间结合磁场Hin的大小也 根据上述非磁性中间层64的膜厚而发生变化。或者，当从下向上以反铁磁 性层/固定磁层/非磁性中间层/自由磁层的顺序进行层叠时，通过改变上述 反铁磁性层的膜厚也能够调节上述层间结合磁场Hin的大小。
在第l磁阻效应元件23中第l上述层间结合磁场Hinl是正值，在此情况 下，在上述固定磁层63和上述自由磁层65之间发生使磁化相互平行的相互 作用。另外，在第2磁阻效应元件27中第2上述层间结合磁场Hin2是负值， 在此情况下，在上述固定磁层63和上述自由磁层67之间发生使磁化相互反 平行的相互作用。并且，在各磁阻效应元件23、 27的反铁磁性层62和固定 磁层63之间经由磁场中热处理而产生同一方向的交换结合磁场(Hex)，因此 各磁阻效应元件23、 27的固定磁层63的磁化63a可固定在同一方向上，另 外在固定磁层63和自由磁层65、 67之间发生上述的相互作用，成为图7的 磁化状态。
上述的第1磁阻效应元件23以及第2磁阻效应元件27利用了巨大磁阻
14效应(GMR效果)，不过除了GMR元件以外，还可以是利用了各向异性磁阻 效应(AMR)的AMR元件或利用了穿隧磁阻效应(TMR)的TMR元件。
另一方面，和第1磁阻效应元件23串联连接的固定电阻元件24与上述 第1磁阻效应元件23层叠顺序不同，而且由与上述第1磁阻效应元件23相同 的材料层来形成。即，如图8所示，上述固定电阻元件24从下向上按照基 础层60、种子层61、反铁磁性层62、第1磁层63、第2磁层65、非磁性中间 层64以及保护层66的顺序进行层叠。上述第1磁层63相当于构成第1磁阻效 应元件23的固定磁层63，上述第2磁层65相当于构成上述第l磁阻效应元件 23的自由磁层65。如图8所示，上述固定电阻元件23在上述反铁磁性层62 上连续地层叠第1磁层63以及第2磁层65，第1磁层63以及第2磁层65的磁化 都通过在反铁磁性层62之间产生的交换结合磁场(Hex)来固定，上述第2磁 层65如上述第1磁阻效应元件23的自由磁层65那样相对于外部磁场没有磁 化变动。
如图8所示，将上述固定电阻元件24的各层和与上述第1磁阻效应元件 23对应的各层以相同的材料来构成，因此可使上述第1磁阻效应元件23和 上述固定电阻元件24的元件电阻大致相同，另外，还能够抑制上述第l磁 阻效应元件23的温度系数(TCR)和上述固定电阻元件23的温度系数的偏 差，其结果是，即使针对温度变化也能够抑制上述中间电位的偏差，能够 提高动作稳定性。此外更理想的是不仅材料、与第1磁阻效应元件23对应 的各层的膜厚也和上述第1磁阻效应元件23的各层相等。
虽然未图示但与上述相同，和上述第2磁阻效应元件27串联连接的固 定电阻元件28与上述第2磁阻效应元件27层叠顺序不同，而且由与上述第2 磁阻效应元件27相同的材料层来形成。
另外，只要构成第3串联电路34的固定电阻元件31、 32是由相互相同 的材料层形成的、元件电阻大致相同的电阻元件，对层构造就没有特别地 限定。即，固定电阻元件31、 32可由例如以片电阻高的电阻材料形成的单 层构造构成，不过在形成有构成第1串联电路26以及第2串联电路30的各固 定电阻元件24、 28的工序中，优选可同时简化形成固定电阻元件31、 32的 制造工序。由此，使上述固定电阻元件3K 32和第1串联电路26以及第2串 联电路30的固定电阻元件24、 28同样，仅与上述第1磁阻效应元件23或者第2磁阻效应元件27层叠顺序不同，而由与上述上述第1磁阻效应元件23或 者第2磁阻效应元件27相同的材料层来形成。 接着，对外部磁场的检测原理进行说明。
首先，对在本实施方式的磁性检测装置20中没有作用外部磁场的情况 进行说明。在此情况下，上述第1磁阻效应元件23以及第2磁阻效应元件27 的电阻值都没有变化。当第1开关电路36、第2开关电路43以及第3开关电 路48分别接收来自上述时钟电路53的时钟信号时，按照数十U sec切换正方 向外部磁场(+H)检测电路状态和负方向外部磁场(-H)检测电路状态，该正 方向外部磁场(+H)检测电路状态如图1所示，第1开关电路36连接在上述第 1串联电路26的第1输出取出部25和差动放大器35之间、第2开关电路43连 接在上述比较器38和第1外部输出端子40之间、以及第3开关电路48连接在 第1串联电路26和接地端子42之间，该负方向外部磁场(-H)检测电路状态 如图2所示，第1开关电路36连接在上述第2串联电路30的第2输出取出部29 和差动放大器35之间、第2开关电路43连接在上述比较器38和第2外部输出 端子41之间以及第3开关电路48连接在第2串联电路30和接地端子42之间。
当没有波及外部磁场时，在图1的正方向外部磁场(+H)检测电路状态 下第1桥式电路BC3的第1输出取出部25和第3输出取出部33之间的差动电 位、以及在图2的负方向外部磁场(-H)检测电路状态下第2桥式电路BC4 的第2输出取出部29和第3输出取出部33之间的差动电位都近似为0。当从 差动放大器35向比较器38输出差动电位为0的输出时，在上述比较器38中 通过施密特触发器输入控制为，经由上述锁存器电路46、 47、 FET电路54 从第1外部输出端子40以及第2外部输出端子41输出例如高电平信号。
接着，当在本实施方式的磁性检测装置20中没有波及正方向外部磁场 (+H)时，第1磁阻效应元件23的电阻值变动，上述第1串联电路26的第1输 出取出部25中的中点电位变动(在图1的电路结构中当具有图3所示的磁滞 特性时，具体地说电位变大)。
当前，在图1所示的正方向外部磁场(+H)检测电路状态下，将上述第3 串联电路34的第3输出取出部33的中间电位作为基准电位，利用上述差动 放大器35来生成由上述第1串联电路26和第3串联电路34构成的第1桥式电 路BC3的第1输出取出部25与第3输出取出部33的差动电位，并向比较器38输出。在上述比较器38中将上述差动电位利用施密特触发器输入来整形为
脉冲波形的信号，并经由锁存器电路46以及FET电路54从第1外部输出端子 40输出整形后的检测信号。此时，当正方向外部磁场(+H)为规定以上的大 小时，控制上述检测信号从上述第1外部输出端子40作为低电平信号输出。 此外，当上述正方向外部磁场(+H)的大小比某一固定值小时，在上述比较 器38中控制为生成高电平信号，与外部磁场没有作用的情况没有变化。
另一方面，在正方向外部磁场(+H)发生作用的情况下，即使切换为图 2的负方向外部磁场(-H)检测电路状态，第2磁阻效应元件27也不发生电 阻变化，所以与外部磁场没有作用的情况同样，控制为从上述第2外部输 出端子41输出高电平信号。
这样，在第1外部输出端子40中，当某一固定值以上的正方向外部磁 场(+H)作用时，信号电平从高电平信号向低电平信号(或者可以是其相反方 向)变化，所以根据该信号电平的变化，可以检知某一固定值以上的大小的 正方向外部磁场(+H)进行作用。
同样，当在本实施方式的磁性检测装置20中波及负方向外部磁场(-H)时，第2磁阻效应元件23的电阻值变动，上述第2串联电路30的第2输出 取出部29中的中点电位变动(在图1的电路结构中当具有图4所示的磁滞特 性时，具体地说电位变大)。
当前，在图2所示的负方向外部磁场(-H)检测电路状态下，将上述第 3串联电路34的第3输出取出部33的中间电位作为基准电位，利用上述差动 放大器35生成由上述第2串联电路30和第3串联电路34构成的第2桥式电路 BC4的第2输出取出部29与第3输出取出部33之间的差动电位，并将该差动 电位向比较器38输出。在上述比较器38中，将上述差动电位通过施密特触 发器输入来整形为脉冲波形的信号，并经由锁存器电路46以及FET电路54 从第2外部输出端子41输出整形后的检测信号。此时，当负方向外部磁场(-H)为规定以上的大小时，控制上述检测信号从上述第2外部输出端子41作 为低电平信号输出。此外，当上述负方向外部磁场(-H)的大小比某一固 定值小时，在上述比较器38中控制为生成高电平信号，所以与外部磁场没 有作用的情况没有变化。
另一方面，在负方向外部磁场(-H)作用的情况下，即使切换为图l的正方向外部磁场(+H)检测电路状态，第1磁阻效应元件23也不发生电阻变 化，所以与外部磁场没有作用的情况同样，控制为从上述第l外部输出端
子40输出高电平信号。
这样，在第2外部输出端子41中，当某一固定值以上的负方向外部磁 场(-H)作用时，信号电平从高电平信号向低电平信号(或者可以是其相反 方向)变化，所以根据该信号电平的变化，能够检知某一固定值以上的大小 的负方向外部磁场进行作用。
此外，当上述负方向外部磁场(-H)的大小比某一固定值小时，在上 述比较器38中生成高电平信号，所以与外部磁场没有作用的情况没有变 化。
然后，利用未图示的设备侧的处理电路等，将从上述第l外部输出端 子40或者上述第2外部输出端子41输出的检测信号作为例如后述的翻盖式 移动电话的开闭检知信号进行使用。
接着，采用图6对本实施方式的磁性检测装置20的剖面形状进行说明。 如图6所示，上述磁性检测装置20例如在由硅(Si)形成的基板70上，以一定
的厚度来形成未图示的硅(Si02)的基础膜。
在上述基础膜上形成有构成集成电路22的差动放大器和比较器等能 动元件71 74、电阻器75、 76以及布线层(信号线)77等。上述布线层77 例如由铝(A1)形成。
如图6所示，在上述基板70上以及集成电路22上覆盖由阻抗层等构成 的绝缘层78。关于上述绝缘层78，在上述布线层77上的一部分中形成孔部 78b，从上述孔部78b中露出上述布线层78的上表面。
上述绝缘层78的表面78a由平坦化面形成，在己平坦化的上述绝缘层 78的表面78a上以图5所示的蛇曲(meander)形状来形成第l磁阻效应元件 23、第2磁阻效应元件27、各固定电阻元件24、 28、 31、 32。由此，可增 大各元件的元件电阻，使消耗电流降低。
如图5所示，在各元件的两侧端部形成有电极23a、 23b、 24a、 24b、 27a、 27b、 28a、 28b、 32a、 32b、 33a、 33b，上述第1磁阻效应元件23的电 极23b和上述固定电阻元件24的电极24b之间通过第l输出取出部25进行连 接，上述第1输出取出部25如图6所示在上述配线层77上电连接。同样，第2磁阻效应元件27的电极27b和固定电阻元件28的电极28b之间通过第2输 出取出部29进行连接，上述第2输出取出部29与未图示的配线层电连接， 固定电阻元件32的电极32b和固定电阻元件31的电极31b之间通过第3输出 取出部33进行连接，上述第3输出取出部33与未图示的配线层电连接。
如图6所示，在上述元件上、电极上以及输出取出部上覆盖例如以氧 化铝或硅石形成的绝缘层80。并且通过铸型树脂81来封装上述磁性检测装 置20。
对本实施方式的磁性检测装置20的特征部分进行说明。
本实施方式的磁性检测装置20是具有用于检测正方向外部磁场(+H) 的第1桥式电路BC3和用于检测负方向外部磁场(-H)的第2桥式电路BC4 的双极检测对应的磁性传感器。
在本实施方式中，将串联连接有固定电阻元件31、 32的第3串联电路 34的中间电位作为上述第1桥式电路BC3和上述第2桥式电路BC4的基准电 位共用，而且，在集成电路22内还设有第1开关电路36，该第1开关电路36 交互地切换构成上述第1桥式电路BC3的第1串联电路26的第1输出取出部 25和差动放大器35之间的连接、以及构成上述第2桥式电路BC4的第2串联 电路30的第2输出取出部29和差动放大器35之间的连接。
本实施方式的磁性检测装置20如上所述是双极检测对应的磁性检测 装置20，而且在上述第1桥式电路BC3和上述第2桥式电路BC4双方将第3 串联电路34作为共用电路进行使用，因此在现有的采用磁阻效应元件的双 极检测对应型传感器中，元件数一共至少需要8个，不过在本实施方式中 如图l、图2所示一共可由6个构成，从而能够减少元件数。
作为减少元件数的优点，除了提高制造效率以外，还举出了如图5、 图6所示在有限的元件形成区域内可形成较大的各个元件。如图5所示，各 个元件为了增大元件电阻而由蛇曲形状来形成，而且此时能够以比现有宽 的面积来形成各个元件，所以与现有的相比能够延长各个元件的元件长 度，能够适当地提高元件电阻。
此外在本实施方式中，通过将第3串联电路34作为第1桥式电路BC3以 及第2桥式电路BC4的共用电路，而在一个差动放大器35上直接连接上述第 3串联电路34的第3输出取出部33，然后，利用第1开关电路36来切换第1串
19联电路26的第1输出取出部25和差动放大器35之间的连接、以及第2串联电 路30的第2输出取出部29和差动放大器35之间的连接，如果构成上述这样 的电路结构，则仅设有一个差动放大器35，就能够交互地取得连接着第l 桥式电路BC3和差动放大器35的正方向外部磁场检测状态(图1)和连接着 第2桥式电路BC4和差动放大器35的负方向外部磁场检测状态(图2)这两个 检测状态，从而能够以简单的电路结构，由第1桥式电路BC3以及第2桥式 电路BC4双方利用上述差动放大器35来适当地取得差动电位。
另外，在本实施方式中比较器38只需要一个即可，这样可减少信号线 的数量，由此能够使电路结构简单，且能够形成小型的电路。
以上根据本实施方式在双极对应型传感器中，与现有的相比能够减少 元件数，并且能够使电路结构简单。
另外，在本实施方式中如图l、图2所示，设置有用于切换差动放大器 35和两个外部输出端子40、 41之间的连接的第2开关电路43，当通过上述 第1开关电路36连接了第1桥式电路BC3的第1输出取出部25和上述差动放 大器35时，在上述第2开关电路43中，连接上述差动放大器35和上述第1外 部输出端子40之间，当通过上述第1开关电路36连接了第2桥式电路BC4的 第2输出取出部29和上述差动放大器35时，在上述第2开关电路43中，连接 上述差动放大器35和上述第2外部输出端子41 。
这样在本实施方式中设有两个外部输出端子40、 41，并使上述第l开 关电路36和上述第2开关电路43联动，由此能够从上述第1外部输出端子40 取得正方向外部磁场(+H)的检测信号，从上述第2外部输出端子41取得负 方向外部磁场(-H)的检测信号。这样，通过两个输出，利用来自某个输 出端子的检测信号，可检知外部磁场的方向。
另外，在本实施方式中设有第3开关电路48，该第3开关电路48用于切 换接地端子42和第1串联电路26之间的连接、以及上述接地端子42和上述 第2串联电路30之间的连接。
并且，在通过上述第1开关电路36连接了上述第1桥式电路BC3和上述 差动放大器35部之间时，通过上述第3开关电路48来连接上述第1串联电路 26和上述接地端子42之间，在通过上述第1开关电路36连接了上述第2桥式 电路BC4和上述差动放大器35之间时，通过上述第3开关电路48来连接上述第2串联电路30和上述接地端子42之间。从而，在连接了上述第l桥式电路
BC3和上述差动放大器35部之间时，电流未流过第2串联电路30，另外在连 接了上述第2桥式电路BC4和上述差动放大器35部之间时，电流未流过第l 串联电路26，所以能够实现消耗电流的降低，并且能够提高检测灵敏度。 在输入端子39和第1串联电路26之间以及输入端子39和第2串联电路 30之间可与上述接地端子42侧一起、或者取代上述接地端子42侧设有上述 第3开关电路48。
本实施方式的双极检测对应型的磁性检测装置20例如可使用于翻盖 式移动电话的开闭检知。
图9所示的翻盖式移动电话卯具有第1部件91和第2部件92。上述第l部 件91是画面显示侧，上述第2部件92是操作体侧。在上述第1部件91的与上 述第2部件92对置的面上设置有液晶显示器及受话器等。在上述第2部件92 的与上述第1部件91对置的面上设置有各种钮以及麦克风等。图9是关闭了 翻盖式移动电话90的状态，如图9所示在上述第1部件91中内置磁铁94，在 上述第2部件92中内置本实施方式的磁性检测装置20。如图9所示在关闭的 状态下，上述磁铁94和磁性检测装置20被配置在相互对置的位置上。或者 上述磁性检测装置20可配置在和上述磁铁94对置的位置相比向与外部磁 场的进入方向平行的方向偏移的位置上。
在图9中，从上述磁铁94放出的正方向外部磁场(+H)传递到上述磁性 检测装置20，上述磁性检测装置20检测上述外部磁场(+H)，由此，检测出 翻盖式移动电话90处于已关闭的状态。
另一方面，如图10所示当打开翻盖式移动电话90时，随着上述第l部 件91从上述第2部件92分离，传递到上述磁性检测装置20的外部磁场(+H) 的大小缓缓变小，不久传递到上述磁性检测装置20的外部磁场(+H)为零。 当传递到上述磁性检测装置20的外部磁场(+H)的大小为某一规定的大小 以下时，检测出上述翻盖式移动电话90处于打开的状态，例如，利用内置 于上述移动电话90内的控制部来进行控制，以使位于液晶显示器及操作钮 里侧的背景灯发光。
本实施方式的磁性检测装置20是双极对应型传感器。即，在图9中， 磁铁94的N极位于图示左侧，S极位于图示右侧，不过在如图ll所示使极性相反的情况下(N极为图示右侧，S极为图示左侧)，波及上述磁性检测装置
20的外部磁场(-H)方向(以下，称为负方向)与图1的外部磁场(+H)方向反
向。在本实施方式中，即使是这样的情况，在从如图ll所示关闭了翻盖式
移动电话90的状态到如图12所示打开上述移动电话90时，也能够适当地检 知打开的情况。
由此，可与外部磁场的极性无关联地配置磁铁94，所以对上述磁铁94 的配置没有限制，使安装变得容易。
在上述的开闭检知方法中，即使不能识别到外部磁场的方向，也可以 利用双极来检知外部磁场的变化，所以例如图l、图2所示的外部输出端子 40、 41可设成其中的任意一个。
艮P，例如当消除图l、图2所示的第2开关电路43、形成一条从比较器 38经由锁存器电路46、 FET电路54到外部输出端子40的信号线时，从上述 外部输出端子40可获得正方向外部磁场(+H)检知信号、负方向外部磁场(-H)检知信号双方的信号。此时，双方的检知信号例如如上所述是低电平信 号，所以无法判别到哪个是外部磁场检知信号，不过在开闭检知中有不能 识别到外部磁场方向的需要，因此，能够仅将外部输出端子设为一个，而 且能够使电路结构简单。
或者，如以下说明，如翻转类型的翻盖移动电话100那样，当启动根 据外部磁场方向而不同的功能时，还是如图l、图2所示将外部输出端子40、 41设为两个、从而能够检知到外部磁场方向这样的情况为好。
如图13所示当打开翻盖移动电话100时，如图IO、图12所说明的那样， 根据波及到磁性检测装置20的外部磁场的强度变化，而检知移动电话IOO 己打开。图13时的磁铁101的配置如图15的俯视图所示，以旋转轴为中心 使上述移动电话100的第1部件102旋转180度，在图13的状态中，如图14、 图16所示将作为上述第l部件102内面的画面显示面102a朝向外面。此时如 图16所示，磁铁101的朝向从图15的配置状态开始偏转。例如，当通过翻 转第1部件102来启动照相机功能时，磁性检测装置20除了如图13那样检知 打开或关闭了移动电话100的情况的开闭检知功能之外，还可以检知磁铁 IOI的朝向偏转的情况，不过在本实施方式的磁性检测装置20中可利用图 1、图2所示的电路结构，通过具有两个外部输出端子40、 41来检知正方向外部磁场(+H)检知信号或负方向外部磁场(-H)检知信号。
本实施方式中的传感器部21的元件结构仅作为一例，而不限于此。在
本实施方式中，利用第1桥式电路BC3来检知正方向外部磁场(+H)，利用第 2桥式电路BC4来检知负方向外部磁场(-H)，这样可利用两个桥式电路 BC3、 BC4来检知正方向以及负方向的外部磁场，并且在各桥式电路中存 在共有的串联电路。例如，在本实施方式的传感器部21的元件结构中，由 第1桥式电路BC3和第2桥式电路BC4共有的第5、第6电阻元件31、 34是针 对外部磁场电阻没有变化的固定电阻，以第3输出取出部33中的固定电位 为基准，产生第1桥式电路BC3的差动电位以及第2桥式电路BC4的差动电 位，所以上述差动电位与图17的现有传感器结构相比变小。
由此，为了取得与现有传感器结构中的差动电位等同的差动电位，而 由与配置在第1串联电路26上的第1磁阻效应元件23相同的磁阻效应元件 来形成图l、图2所示的上述第5电阻元件31，另外，可以由与配置在第2串 联电路30上的第2磁阻效应元件27相同的磁阻效应元件来形成上述第6电 阻元件32。
或者，与图l、图2所示的第1串联电路26连接的第2电阻元件24以及与 第2串联电路30连接的第4电阻元件28是针对外部磁场没有电阻变化的固 定电阻元件，不过例如当第2电阻元件24的电阻针对正方向外部磁场(+H) 发生变化时，与外部磁场的磁场强度变化相对的电阻值的增减由表示与上 述第1磁阻效应元件23逆倾向的磁阻效应元件形成，另外，当第4电阻元件 28的电阻针对负方向外部磁场(-H)发生变化时，与外部磁场的磁场强度 变化相对的电阻值的增减由表示与上述第2磁阻效应元件27逆倾向的磁阻 效应元件形成，在此情况下，可增大差动电位，可使检测灵敏度良好。
根据图l、图2所示的实施方式，在由第1串联电路26和第3串联电路34 构成的第1桥式电路BC3、以及由第2串联电路30以及第3串联电路34构成的 第2桥式电路BC4中，当以零外部磁场(无磁场状态)为基准在正方向以及负 方向上缓缓变大时，差动电位的增减倾向在正方向外部磁场作用时和负方 向外部磁场作用时变为相同。这样，因为差动电位的增减倾向相同，所以 不需要在正方向外部磁场作用时和负方向外部磁场作用时适当变更上述 比较器38的施密特触发器输入值，从而可轻松地进行控制，另外使用一个
23比较器38就足够了。
另外，在本实施方式中，作为第l连接切换部、第2连接切换部以及第
3连接切换部提出了开关电路36、 43、 48，但不限定为开关电路。还可以 是具有开关功能的能动元件等。
另外，是否对磁阻效应元件给予偏置磁场是任意的。可以不对构成上 述磁阻效应元件的自由磁层供给偏置磁场，不过在供给上述偏置磁场的情 况下，例如将固定磁层和自由磁层的磁化控制为在无磁场状态下正交的关 系。
另外，本实施方式的磁性检测装置20除了翻盖式移动电话的开闭检 知以外，还可以用于游戏机等便携式电子设备的开闭检知等。本形态除了 上述开闭检知以外，还可以使用于需要双极检测对应的磁性检测装置20 的用途中。
权利要求
1. 一种磁性检测装置，其特征在于，所述磁性检测装置具有第1串联电路、第2串联电路和第3串联电路，在构成上述第1串联电路的多个电阻元件的至少任意一个中包含第1磁阻效应元件，该第1磁阻效应元件利用了电阻相对于某一个方向的外部磁场发生变化的磁阻效应，在构成上述第2串联电路的多个电阻元件的至少任意一个中包含第2磁阻效应元件，该第2磁阻效应元件利用了电阻相对于与上述一个方向相反方向的外部磁场发生变化的第2磁阻效应，构成上述第3串联电路的多个电阻元件是与构成上述第1串联电路的电阻元件、以及构成上述第2串联电路的电阻元件分别桥式连接的共用的电阻元件，上述第1串联电路的第1输出取出部和上述第2串联电路的第2输出取出部能够逐个经由第1连接切换部，与上述第3串联电路的第3输出取出部一同连接在共用的差动输出部上，在经由上述第1连接切换部连接了上述第1输出取出部和上述差动输出部时，切换为将并联连接上述第1串联电路和上述第3串联电路而构成的上述一个方向的外部磁场检测用的第1桥式电路与上述差动输出部连接的状态，在经由上述第1连接切换部连接了上述第2输出取出部和上述差动输出部时，切换为将并联连接上述第2串联电路和上述第3串联电路而构成的上述相反方向的外部磁场检测用的第2桥式电路与上述差动输出部连接的状态。
2. 根据权利要求l所述的磁性检测装置，其特征在于， 上述第l串联电路中，经由上述第l输出取出部串联连接第l电阻元件和第2电阻元件，利用上述第l磁阻效应元件来形成上述第l电阻元件，上述第2串联电路中，经由上述第2输出取出部串联连接第3电阻元件和第4电阻元件，利用上述第2磁阻效应元件来形成上述第3电阻元件，上述第3串联电路中，经由上述第3输出取出部串联连接第5电阻元件和第6电阻元件，并联连接上述第1电阻元件和上述第6电阻元件，并且并联连接上述第 电阻元件和上述第5电阻元件，来构成上述第l桥式电路，并联连接上述第3电阻元件和上述第5电阻元件，并且并联连接上述第 4电阻元件和上述第6电阻元件，来构成上述第2桥式电路。
3. 根据权利要求1或2所述的磁性检测装置，其特征在于， 所述磁性检测装置具有第l外部输出端子、第2外部输出端子以及第 连接切换部，该第2连接切换部用于切换上述差动输出部和上述第1外部 输出端子之间的连接、以及上述差动输出部和上述第2外部输出端子之间 的连接，在利用上述第l连接切换部连接了上述第l输出取出部和上述差动输 出部之间时，利用上述第2连接切换部来连接上述差动输出部和上述第1外 部输出端子之间，在利用上述第1连接切换部连接了上述第2输出取出部和 上述差动输出部之间时，利用上述第2连接切换部来连接上述差动输出部 和上述第2外部输出端子之间。
4. 根据权利要求1 3中任意一项所述的磁性检测装置，其特征在于， 所述磁性检测装置具有第3连接切换部，其用于切换输入端子以及接地端子的至少任意一方的端子和上述第l串联电路之间的连接、以及上述 一方的端子和上述第2串联电路之间的连接，在利用上述第1连接切换部连接了上述第1输出取出部和上述差动输 出部之间时，利用上述第3连接切换部来连接上述第1串联电路和上述一 方的端子之间，在利用上述第1连接切换部连接了上述第2输出取出部和 上述差动输出部之间时，利用上述第3连接切换部来连接上述第2串联电 路和上述一方的端子之间。
全文摘要
本发明提供一种双极检测对应型的磁性检测装置，其中，将串联连接了固定电阻元件(31、32)的第3串联电路(34)的中间电位作为上述第1桥式电路(BC3)和上述第2桥式电路(BC4)的基准电位共用，而且，在集成电路(22)内设有第1开关电路(36)，该第1开关电路(36)交互地切换构成上述第1桥式电路(BC3)的第1串联电路(26)的第1输出取出部(25)和差动放大器(35)之间的连接、以及构成上述第2桥式电路(BC4)的第2串联电路(30)的第2输出取出部(29)和差动放大器(35)之间的连接。由此，能够减少元件数，并且能够使电路结构简单。
文档编号G01R33/09GK101512368SQ200780032219
公开日2009年8月19日 申请日期2007年2月7日 优先权日2006年8月31日
发明者佐藤清, 菊入胜也 申请人:阿尔卑斯电气株式会社