电子部件的测试装置用部件及该电子部件的测试方法

文档序号:6145874阅读:150来源:国知局
专利名称:电子部件的测试装置用部件及该电子部件的测试方法
技术领域
在此论述的实施例涉及电子部件的测试装置用部件及该电子部件的测 试方法。
背景技术
目前,随着对诸如移动通讯设备之类的电子设备小型化、薄型化、及多 功能的需求,设置在电子设备内的半导体器件也需要小型化、薄型化、及多 功能。由此,已经提出了例如CSP (芯片尺寸封装)型半导体器件,该CSP
型半导体器件为一种尺寸等于或稍大于半导体元件的尺寸的封装组件
(package)。
然而,可能会在恶劣的气候条件下操作用于汽车的半导体器件。因此, 较多地使用诸如SOP (小外形封装)型半导体器件或QFP (方形扁平式封装) 型半导体器件的表面装配型半导体器件,该表面装配型半导体器件使用引脚 (leadpin)。
由于近来已经开发出用于汽车的各种电子控制,已研发出混合动力技 术,并且汽车部件被普遍地使用;因此相关的半导体器件的制造和测试步骤 需要较高吞吐能力。特别地,为了消除主要缺陷,需要进行大约8至48小 时的烧机(burn-in)过程,在烧机过程中进行加速测试,以便将温度和电压 应力施加于半导体器件。
图1中示出了现有技术中的应用于烧机过程的烧机板1。 图1中示出的烧机板1的一个端部设有边缘端子部2。边缘端子部2连 接于图1中未示出的烧机设备上。此外,烧机板1上除了边缘端子部2之外的主表面部分上装配有大量的插座3。在插座3上装配有半导体封装组件4 (见图2)。
图2中示出了图1所示的插座3和装配在插座3上的半导体封装组件4。 此外,图3中示出了装配在烧机板1上的插座3。半导体封装组件4装配在 插座3上,盖子5设在插座3之上。
插座3的近似中心的位置处设有半导体封装组件装配部3a。半导体封装 组件装配部3a的外部设有多个具有弹性的接触件3b。接触件3b的端部插入 到形成在烧机板1中的通孔6内,并通过焊接固定于烧机板1。当延伸到盖 子5内的接触部5a与接触件3b接触时,接触件3b的另一端部与装配在半 导体封装组件装配部3a上的半导体封装组件4的引线4a接触。
半导体封装组件4的引线4a设在树脂部4b的两个相互面对的侧面上。 树脂部4b密封半导体元件。引线4a由例如铜(Cu)合金或铁-镍(Fe-Ni) 合金制成。
插座3的接触件3b的端部对应于半导体封装组件4的引线4a定位。当 如图2中箭头所示般将半导体封装组件4装配在插座3上时,半导体封装组 件4由插座3定位,从而实现接触件3b与半导体封装组件4之间的电接触。 半导体封装组件4的结构与恰好和引线框(未示出)分离的半导体封装组件 的结构相同。
此外,已经提出了以下的结构。即,IC引线由盖部和烧机板夹置。盖部 具有构造为按压该IC引线的按压部。烧机板具有构造为支撑该引线的接触 棒。见日本专利第2920859号。
然而,为了将多个半导体封装组件4装配在大量装配于图1中所示的烧 机板的插座3上,或从所述插座3上移除,对于各插座3而言必须安装或拆 除一个半导体封装组件4。例如,在单个烧机板1上装配有一百(100)个插 座3的情况下,必须将半导体封装组件4连接或拆除一百(100)次。
由此,即便通过使用自动化机器将半导体封装组件4连接在插座3上或 从插座3上拆除,也需要对各插座3进行上述操作,因此需花费大量的时间。
此外,如果待装配在烧机板1上的插座3的数量增加,则在烧机设备(未 示出)中每次待使用的半导体封装组件4的数量也会增加,由此可提高操作 效率。然而,由于图1至图3中所示的插座3的结构,而难以在烧机板1上增大图1至图3中所示的插座3的装配密度。
艮p,必须在烧机板1上形成电路,以将烧机过程应用于诸如半导体封装
组件4之类的电子部件上。因此,在烧机板l上需频繁地装配诸如电阻器之 类的用于半导体封装组件4的引线连接过程的元件。利用如下结构,S卩,通 过将接触件3b插入到形成在烧机板1中的通孔6内而将插座3装配在烧机 板1上,可使烧机板1的用于装配元件的装配区域位于用于装配插座3的区 域之外。因此,在经由通孔6装配插座3的情况下,元件装配区域在IC插 座3之外,因而会妨碍装配数量的提高。因此,难以在插座3的烧机板1上 增大装配密度。
为解决此问题,可将引线框连接于烧机板1,该引线框并非连接有己被 切割的半导体封装组件4,而是连接有多个未被切割的半导体封装组件4, 利用此结构,由于有多个连接于单个引线框的半导体封装组件4,因而可以 一次全部地处理半导体封装组件4,从而能够减少工序。
然而,在此结构中,连接于引线框的单独半导体封装组件4的间距较窄。 因此,难以在此较窄的区域内设置插座3的具有弹性的接触件3b。此外,由 于小型插座的发展需要具有高精度的加工条件,因此,加工成本可能较高。
此外,探针可取代具有弹性的接触件3b,以用于电连接到设置于具有较 窄间距的半导体封装组件4上的引线4a上的方法。然而,单个探针的价格 高于接触件3b的价格,且探针的装配工序比接触件3b的装配工序要多。因 此,在通过使用探针电连接到半导体封装组件4的引线4a上时会增加制造 成本。
此外,在日本专利第2920859号所论述的情况(其中,IC引线由盖部的 按压部按压)中,引线由按压部的表面按压。因此,为了进行电连接而移除 形成在引线上的氧化膜可能需要较大的力,且由此可能使引线发生塑性变形。

发明内容
根据本发明的一个方案,提供一种电子部件的测试装置用部件,其包括 测试板;设置在该测试板的主表面上的突出电极(projection electrode);设 置在该测试板的主表面上的定位部,该定位部构造为定位该电子部件;及按压部,该按压部构造为按压由该定位部定位的电子部件,并使得该电子部件 的引线部与该突出电极接触,从而该引线部发生弹性变形并与该突出电极接触。
根据本发明的另一方案,提供一种电子部件的测试方法,其包括在测 试板上装配引线框,多个电子部件结合于该引线框;按压结合于该引线框上
的所述电子部件,使得该电子部件的引线部与突出电极接触,从而该引线部
发生弹性变形并与该突出电极接触;及经由该突出电极进行该电子部件的电
气测试。
所述实施例的其它目的和优点将部分地通过以下的说明进行阐述,通过 下述的说明将会部分地变得显而易见,或者可通过本发明的实践获得。
通过所附的权利要求书中具体指出的元件及结合将可实现和获得本发 明的目的和优点。
应理解的是,上述的概括说明及以下的详述说明均为示例性及解释性 的,而非对所请求保护的本发明进行限制。


图1为现有技术的设有IC插座的烧机板的立体图2为图1中所示的IC插座及装配在IC插座中的半导体封装组件的立 体图3为图1中所示的IC插座和半导体封装组件的剖视图4为本发明第一实施例的烧机板的立体图5为图4中所示的烧机板的局部放大图6为图5中所示的接触器和半导体封装组件的立体图7为沿着图6中的线A-A截取的剖视图8为在半导体封装组件设在图6中所示的接触器上的状态下的剖视
图9为在图8中所示的半导体封装组件的树脂部在被向下按压的按压状 态下的剖视图10为图9中虚线B所圈出的部分的放大图; 图 为图IO中虚线C所圈出的部分的放大图;图12为用于示出第一实施例的第一改变示例的视图13为用于示出第一实施例的第二改变示例的视图14为用于示出第一实施例的第三改变示例的视图15为用于示出第一实施例的第四改变示例的视图16为用于示出第一实施例的第五和第六改变示例的视图17为用于示出第一实施例的第七改变示例的视图18为第二实施例的基板的立体图19为第三实施例的固定于测试头上的测试板的立体图。
具体实施例方式
以下将参考

本发明的优选实施例。第一实施例
图4中示出了作为第一实施例的测试装置用部件的一个示例的烧机板 11。该烧机板11用于烧机过程,在该烧机过程中进行加速测试,以便温度 和电压应力可施加于半导体元件。
图4中示出的烧机板11的一个端部设有边缘端子部12。边缘端子部12 连接于未示于图4中的烧机设备上。此外,烧机板11的主表面除了边缘端 子部12之外的部分上装配有大量(图4中示例性地示出了 24个)的接触器 13。其中一个接触器13上装配有一个作为电子部件的示例的半导体封装组 件。
烧机板11的主表面上设有多个(图4中示例性地示出了 6个)按压板 14,其可旋转约90。。当单个按压板14近似平行于烧机板11的主表面定位 时,设置在按压板14的一个主表面上的多个(图4中示例性地示出了 4个) 按压块(按压件)15与半导体封装组件17 (见图5)的上表面接触,所述半 导体封装组件17为装配于接触器13上的电子部件。
接触器13通过布线图案16电连接于边缘端子部12 (为便于观看(易于 理解),图1中省略了部分布线图案16的图示)。在布线图案16的路线上 形成有包括诸如电阻器(未示出)之类的电子部件的电路。当从烧机设备(未 示出)向边缘端子部12提供信号和电力时,所述信号和电力可以被供给至 装配于接触器13上的电路、电子部件、及半导体封装组件17上。图5中示出了图4中所示的烧机板11的局部放大图。为便于观看,在
图5中省略了布线图案16的图示。
如图5所示,连接有四个半导体封装组件17的单个的引线框18连接于 烧机板ll,从而四个半导体封装组件17装配在四个接触器13上。更特别地, 通过使引线框18从烧机板11上方的位置下降,并将设于烧机板11上的四 个导引销20插入到形成于引线框18的四个拐角附近的导引孔19中,使得 引线框18安装于烧机板11。在图5中,由虚线指出的区域为烧机板ll上安 装引线框18的区域。
在此,同样参考图6。图6为单个接触器13和设在该接触器13上的半 导体封装组件17的立体图。该接触器13包括多个接触板21和导引部22。
该导引部22包括相互面对的导引块22a和构造为将两个导引块22a相互 连接的导引块连接部22b。当连接(connect)有半导体封装组件17的引线框 18安装(attach)于烧机板11上时,构造为密封半导体封装组件17中的半 导体元件的树脂部(主体)17a容置于由导引块22a和导引块连接部22b围 绕的区域内。由导引块22a和导引块连接部22b围绕的区域稍大于半导体封 装组件17的树脂部17a。导引部22可用作半导体封装组件17的定位部。
沿着导引块连接部22b的纵向设有两个相互面对的接触板21。
接触板21的高度设定为当连接有半导体封装组件17的引线框18安 装于烧机板ll上时,引线部25与接触板21的上表面接触,所述引线部25 设置在半导体封装组件17的树脂部17a的两个相互面对的侧面。
接触板21具有由诸如玻璃环氧树脂或FRP (纤维增强塑料)之类的绝 缘材料制成的基座件21a。在接触板21与引线部25接触的部分的外周面上 (图6中接触板21的阴影线部分)形成有多个焊垫(电极)26。焊垫(电 极)26由铜(Cu)箔和金(Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au)镀层 制成。
图7为沿着图6中的线A-A截取的剖视图。为便于观看,图7中省略了 导引部22的图示。如图7所示,接触板21通过焊接连接于设在烧机板11 的布线图案16上的焊接区(land) 27。
再参考图5,转轴部28连接于烧机板11的主表面。所述转挂,28连接 于按压板14。按压板14可相对于转轴部28转动约90。。按压板14与ft辄部28相对的端部处设有锁闩部29。当按压板14近似平行于烧机板11的主 表面定位时,在烧机板11的主表面上面对锁闩部29的部分上设有可连接于 锁闩部29的挡块部30。按压板14的主表面上设有多个(图4中示例性地示 出了4个)由树脂制成的按压块15。
在连接有半导体封装组件17的引线框18安装于烧机板11之后,按压 板14转动约90。,以近似平行于烧机板ll的主表面定位时,按压块15与 装配在接触器13上的半导体封装组件17的树脂部17a的上表面接触。当锁 闩部29与挡块部30相互连接时,半导体封装组件17的树脂部17a由按压 板14的按压块15按压,并保持此按压状态。
接下来,将参考图8至图11论述用于将半导体封装组件17连接至装配 于具有上述结构的烧机板11上的接触器13的连接结构。在图8和图9中, 为便于观看,仅在按压板14中示出了一个按压块15。
如图8所示,当连接有半导体封装组件17的引线框18安装于烧机板11, 且按压板14转动约90。,以近似平行于烧机板ll的主表面定位时,按压块 15与装配在接触器13上的半导体封装组件17的树脂部17a的上表面接触。 此时,半导体封装组件17的引线部25的头端部延伸至接触板21的上表面 上。
如图9中的箭头所示,当挡块部30与按压板14的锁闩部29相互连接 时,半导体封装组件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下推并被 按压,且保持此按压状态。由此,如图9、图10所示,在引线部25与半导 体封装组件17的树脂部17a的连接点X (见图9)为支点的状态下,半导体 封装组件17的引线部25发生弹性变形。仅焊垫26的拐角部与引线部25的 下表面接触(见图10)。引线部25与焊垫26的拐角部之间的接触由引线部 25的弹力保持。
图11中示出了引线部25与形成在接触板21上的焊垫26之间的接触。 图11中的(a)为在如图8所示的变形之前图10中的虚线C所圈出的部分 的放大图。图11中的(b)为在如图IO所示的变形之后虚线C所圈出的部
分的放大图。
如图11中的(a)所示,当连接有半导体封装组件17的引线框18安装 于烧机板ll上,且按压板14转动约90。,以近似平行于烧机板11的主表面定位时(在如图8所示的变形之前),半导体封装组件17的引线部25的 头端部延伸至接触板21的上表面上。
进一步地,如图11中的(b)所示,当锁闩部29与挡块部30相互连接, 且半导体封装组件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时(在 如图10所示的变形之后),半导体封装组件17的引线部25发生弹性变形 并弯曲。由于引线部25的弹力,焊垫26的拐角部迫入到引线部25的下表 面内。
如图ll中的(b)的箭头D所示,引线部25稍微倾斜地向下移动,以 部分地恢复其发生弹性变形之前的状态。由此,焊垫26的拐角部将会移除 形成在引线部25的下表面上的氧化膜(形成在引线部25上的部分氧化膜)。 在图11中的(b)中,黑色标示的部分E表示氧化膜由于引线部25的运动 而移除的状态。尽管氧化膜会阻碍传导,但通过部分地移除引线部25的氧 化膜,可实现半导体封装组件17的引线部25与接触板21的焊垫26之间的 电传导。
因此,在第一实施例的烧机板11中,经由装配在烧机板11上的接触板 21可实现作为测试物件的半导体封装组件17与烧机板11之间的电接触。
由于可容易地减小接触板21的宽度,因此可使得烧机板11的装配有接 触板21的面积减小。此外,第一实施例的结构比图3中所示的设有接触件 3b的结构更简单。因此,可以高密度地装设接触板21。由此,可增加半导 体封装组件17的数量,所述半导体封装组件17为接触板21的电连接物件 及测试物件。
此外,在图2所示出的插座3中,若使用自动化机器,则仅能在烧机板 11上装配一个或几个半导体封装组件4。而在此示例中,在引线框单元处, 多个半导体封装组件17可装配在接触板21上,即约30件。由此,可有效 和低成本地进行装配操作。
此外,根据第一实施例,连接有多个半导体封装组件17的引线框18可 安装于烧机板ll。因此,在不增加工艺步骤的情况下,可增加作为测试物件 的半导体封装组件17的数量。
此外,根据第一实施例的结构,由焊垫26的拐角部移除形成在引线部 25下表面上的氧化膜(形成在引线部25上的部分氧化膜),从而可实现半导体封装组件17的引线部25与接触板21的焊垫26之间的电传导。因此, 与日本专利第2920859号中披露的引线由按压部的表面按压的结构相比,无 需较大的力量,也不会发生引线部25的塑性变形。
同时,在上述示例中,由导引块22a和导引块连接部22b围绕的区域(见 图6)稍大于半导体封装组件17的树脂部17a。半导体封装组件17中密封 半导体元件的树脂部17a容置在此区域内。然而,本发明并不以此结构为限。
在图12所示出的第一实施例的第一改变示例中,烧机板11中形成有凹 部30。该凹部30具有近似为矩形结构的开口面。该开口面的面积稍大于半 导体封装组件17的树脂部17a。此外,沿着凹部30的开口面的相互面对的 两侧设有多个接触焊垫(电极)31。所述接触焊垫31连接于布线图案16。
接触焊垫31由例如铜(Cu)箔和金(Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au) 镀层制成。当半导体封装组件17的树脂部17a定位于凹部30中时,接触焊 垫31位于引线部25的位置处,所述引线部25设于半导体封装组件17的树 脂部17a的两个相互面对的侧面上。
设定凹部30的深度,以便当半导体封装组件17的树脂部17a定位于凹 部30中时,引线部25与接触焊垫31接触。换言之,凹部30起到导引部的 作用。
在此结构下,在连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板ll之后,按压板14转动约90。,以近似平行于烧机板11的主表 面定位时,按压板14的按压块15与装配在接触器13上的半导体封装组件 17的树脂部17a的上表面接触。此时,半导体封装组件17的引线部25的头 端部延伸至接触焊垫31的上表面上。
此外,当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封装组 件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装组件 17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,凹部30的开 口面的周边与接触焊垫31之间具有一角度的接触点迫入到各引线部25的下 表面内。此外,引线部25稍稍移动,以部分地恢复其发生弹性变形前的状 态。
由此,由接触焊垫31的边缘部分移除形成在引线部25的下表面上的氧 化膜(形成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导体封装组件
1217的引线部25与接触焊垫31之间的电传导。
在图6所示出的示例中,可使用图12中示出的凹部30来代替导引部22。
同时,可将本发明的实施例应用于图13所示的示例中。图13中的(b) 为沿着箭头F指示的方向所见的视图,在此状态下,图13中的(a)中所示 的半导体封装组件17的引线部25设于接触板35上。
在图13所示出的第一实施例的第二改变示例中,以指定长度分离地设 置两个接触板35,以使两个接触板35相互面对。所述接触板35具有由诸如 玻璃环氧树脂或FRP (纤维增强塑料)之类的绝缘材料制成的基座件。
沿着接触板35的纵向、以指定长度形成有多个(图13中所示的示例中 为四个)阶梯部36。阶梯部36的底面上形成有多个焊垫(电极)37。所述 焊垫(电极)37由例如铜(Cu)箔和金(Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au) 镀层制成。
当半导体封装组件17的树脂部17a位于相互面对的接触板35之间时, 阶梯部36位于引线部25的位置处,所述引线部25设于半导体封装组件17 的树脂部17a的两个相互面对的侧面上。
阶梯部36的深度设定为当连接有半导体封装组件17的引线框18安 装于烧机板U上时,设于半导体封装组件17的树脂部17a的两个相互面对 的侧面上的引线部25与阶梯部36的底面接触。此外,阶梯部36的宽度稍 大于半导体封装组件17的引线部25的宽度。换言之,形成在接触板35中 的阶梯部36起到导引部的作用。
在此结构下,当连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板ll上,且按压板14转动约90。,以近似平行于烧机板11的主表 面定位时,按压板14的按压块15与装配在接触器13上的半导体封装组件 17的树脂部17a的上表面接触。此时,半导体封装组件17的引线部25的头 端部延伸至形成在阶梯部36的底面上的焊垫37的上表面上。
此外,当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封装组 件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装组件 17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,焊垫37的周 缘部迫入到引线部25的下表面中。此外,引线部25稍稍移动,以部分地恢 复到其发生弹性变形前的状态。由此,由焊垫37的周边部移除形成在引线部25的下表面上的氧化膜(形 成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导体封装组件17的引线 部25与焊垫37之间的电传导。
同时,可将本发明的实施例应用于图14所示出的示例中。图14中的(b) 示出了图14中的(a)所示的半导体封装组件17的引线部25变形前的状态。 图14中的(c)为与图14中的(b)所示的变形前的情况相比进一步向下按 压半导体封装组件17的树脂部17a而变形之后,引线部25与接触板40接 触的局部放大图。
在图14所示出的第一实施例的第三改变示例中,以指定长度分离地设 置两个接触板40,以使两个接触板40相互面对。接触板40具有由诸如玻璃 环氧树脂或FRP (纤维增强塑料)之类的绝缘材料制成的基座件。
沿着接触板40的纵向以指定长度形成有多个凹部41。接触板40的上表 面形成有凹部41的部分上形成有多个焊垫(电极)42。所述焊垫(电极) 42由例如铜(Cu)箔和金(Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au)镀层 制成。
当半导体封装组件17的树脂部17a定位于相互面对的接触板40之间时, 凹部41位于引线部25的位置处,所述引线部25设置于半导体封装组件17 的树脂部17a的两个相互面对的侧面上。
凹部41的宽度稍大于半导体封装组件17的引线部25。换言之,形成在 接触板40中的凹部41起到导引部的作用。
在此结构下,当连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板11,且按压板14转动约90° ,以近似平行于烧机板11的主表面 定位时,按压板14的按压块15与装配在接触器13上的半导体封装组件17 的树脂部17a的上表面接触。此时,如图14中的(b)所示,半导体封装组 件17的引线部25的头端部延伸至焊垫42的上表面上。
此外,当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封装组 件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装组件 17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,焊垫37的凹 部41的边缘部迫入到引线部25的下表面内。此外,引线部25稍稍移动, 以部分地恢复到其发生弹性变形前的状态。另外,引线部25与焊垫42的凹部41接合,从而将半导体封装组件17进行定位。
由此,由悍垫42的周边部移除形成在引线部25的下表面上的氧化膜(形 成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导体封装组件17的引线 部25与焊垫42之间的电传导。
为了使引线部25易于与焊垫42的凹部41接合,可在焊垫42以及凹部 41之间形成锥度(taper)。
同时,可将本发明的实施例应用于图15所示出的示例中。
在图15所示出的第一实施例的第三改变示例中,多个(图15中示例性 地示出了4个)片状部件(chip component) 50替代接触板以直线状设于一 侧,且多个(图15中示例性地示出了4个)片状部件50替代接触板以直线 状设于另一侧。
各片状部件50包括诸如电阻器元件或电容器元件之类的元件部50a, 及多个焊垫(电极)部50b、 50c。元件部50a的两端各设有一个焊垫(电极) 部50b、 50c,且焊垫(电极)部50b、 50c具有矩形结构。所述焊垫部50b 由例如铜(Cu)箔和金(Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au)镀层制成。
当半导体封装组件17的树脂部17a定位于相互面对的两行焊垫部50b 之间时,定位于半导体封装组件17的树脂部17a处的片状部件50的焊垫部 50b位于引线部25的位置处,所述引线部25设于半导体封装组件17的树脂 部17a的两个相互面对的侧面上。
在此结构下,当连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板11,且按压板14转动约90° ,以近似平行于烧机板11的主表面 定位时,按压板14的按压块15与装配在接触器13上的半导体封装组件17 的树脂部17a的上表面接触。此时,如图15所示,半导体封装组件17的引 线部25的头端部延伸至片状部件50的焊垫部50b的上表面上。
此外,当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封装组 件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装组件 17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,片状部件50 的焊垫部50b的边缘部迫入到引线部25的下表面中。此外,引线部25稍稍 移动,以部分地恢复其发生弹性变形前的状态。由此,由焊垫部50b的边缘部移除形成在引线部25的下表面上的氧化 膜(形成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导体封装组件17 的引线部25与焊垫部50b之间的电传导。
在图15所示出的示例中,各片状部件50分离地设置。然而,通过例如 相互叠置多个片状部件50以及绝缘体以集中多个片状部件50,还可设置成 单个模块。利用此结构,可减小形成电路所需的空间,并可增加待装配的半 导体封装组件17的数量。
同时,在图7所示出的示例中,接触板21具有由诸如玻璃环氧树脂或 FRP (纤维增强塑料)之类的绝缘材料制成的基座件21a。在接触板21的与 引线部25接触的部分的外周面上(图6中接触板21的阴影部分)形成有多 个焯垫(电极)26。焊垫(电极)26由铜(Cu)箔和金(Au)镀层或铜(Cu) 箔和镍-金(Ni-Au)镀层制成。见图16中的(a)。
然而,本发明并不以此示例为限。可将本发明的实施例应用于图16中 的(b)和图16中的(c)所示出的示例中。
在图16中的(b)所示出的第一实施例的第五改变示例中,在接触板21 的与引线部25接触的部分的外周面上形成有第一层60。第一层60由例如图 16中的(a)所示出的示例中的焊垫26的材料制成,B口,由铜(Cu)箔和金 (Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au)镀层制成。此外,在位于接触板 21的上表面上的第一层60上形成由导电材料制成的导电的第二层61。更具 体地,第二层61由例如诸如硅导电橡胶之类的具有导电性和弹性的材料, 或者诸如钯(Pd)或铑(Rh)之类的具有导电性和高硬度的材料制成。
在此结构下,在连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板11之后,按压板14转动约90° ,以近似平行于烧机板11的主表 面定位时,以及当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封 装组件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装 组件17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,接触板 21的第二层61的边缘部分迫入到引线部25的下表面内。此外,引线部25 稍微移动,以部分地恢复到其发生弹性变形前的状态。
由此,由接触板21的第二层61的边缘部分移除形成在引线部25的下 表面上的氧化膜(形成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导体封装组件17的引线部25与接触板21的第二层61之间的电传导。
在图16中的(c)所示出的第一实施例的第六改变示例中,在接触板21 的与引线部25接触的部分的外周面上形成有第一层60。第一层60由例如图 16中的(a)所示出的示例中的焊垫26的材料制成,即,由铜(Cu)箔和金 (Au)镀层或铜(Cu)箔和镍-金(Ni-Au)镀层制成。此外,在位于接触板 21的上表面上的第一层60上的外边缘部分附近设置有凸形电极62。
凸形电极62由例如具有导电性的金属制成。所述凸形电极62的材料可 与焊垫26的材料相同也可与其不同,只要凸形电极62的材料具有导电性即 可。此外,凸形电极62的材料可与图16中的(b)所示出的第二导电层61 的材料相同,如,硅导电橡胶之类的具有导电性和弹性的材料,或者钯(Pd) 或铑(Rh)之类的具有导电性和高硬度的材料。
在此结构下,在连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板11之后,按压板14转动约90° ,以近似平行于烧机板11的主表 面定位时,以及当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封 装组件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装 组件17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,形成在 接触板21上的凸形电极62迫入到引线部25的下表面内。此外,导线部25 稍微移动,以部分地恢复到其发生弹性变形前的状态。
由此,由形成在接触板21上的凸形电极62移除形成在引线部25的下 表面上的氧化膜(形成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导 体封装组件17的引线部25与形成在接触板21上的凸形电极62之间的电传 导。
同时,在图12所示出的第一实施例的第一改变示例中,凹部30形成在 烧机板11中。凹部30的具有近似为矩形结构的开口面的面积稍大于半导体 封装组件17的树脂部17a。然而,本发明并不以此结构为限。例如,可在烧 机板11中形成穿孔,半导体封装组件17的树脂部17a可经由间隔件设置在 穿孔中。参考图17,以此作为第一实施例的第七改变示例进行论述。
在图17所示出的第一实施例的第七改变示例中,在设于基板70上的烧 机板11中形成有穿孔71。穿孔71的近似为矩形结构的开口面的面积稍大于 半导体封装组件17的树脂部17a。在穿孔71中设有由抗静电树脂制成的间隔件72。间隔件72的高度设定 为设置在半导体封装组件17的树脂部17a的两个相互面对的侧面上的多 个引线部25与接触板21的上表面接触。当连接有半导体封装组件17的引 线框18 (见图5)安装于烧机板11时,半导体封装组件17的树脂部17a的 下表面与间隔件72的上表面之间形成有具有预定长度的间隙CL (见图17 中的(a))。间隙CL的长度设定为即便半导体封装组件17的树脂部17a 被向下按压,且半导体封装组件17的树脂部17a的下表面与间隔件72的上 表面接触,从而引线部25发生变形(弯曲)时,引线部25也不会发生塑性 变形。尽管在图17所示出的示例中,间隔件72与基板70分离地设置,然 而,间隔件72可与基板70—体形成。
在此结构下,在连接有半导体封装组件17的引线框18 (见图5)安装 于烧机板11之后,按压板14转动约90° ,以近似平行于烧机板11的主表 面定位时,按压板14的按压块15与装配在接触器13上的半导体封装组件 17的树脂部17a的上表面接触。此时,如图17中的(a)所示,半导体封装 组件17的引线部25的头端部延伸至接触焊垫21的上表面上。此外,在半 导体封装组件17的树脂部17a的下表面与间隔件72的上表面之间形成具有 指定长度的间隙CL (见图17中的(a))。
此外,当锁闩部29与挡块部30 (见图5)相互连接,且半导体封装组 件17的树脂部17a由按压板14的按压块15向下按压时,半导体封装组件 17的树脂部17a的下表面与间隔件72的上表面接触。此外,半导体封装组 件17的引线部25发生弹性变形并弯曲。由于引线部25的弹力,接触板21 的焊垫26的边缘部分迫入到引线部25的下表面中。此外,引线部25稍微 移动,以部分地恢复到其发生弹性变形前的状态。
由此,由焊垫26的边缘部分移除形成在引线部25下表面上的氧化膜(形 成在引线部25上的部分氧化膜)。因此,可实现半导体封装组件17的引线 部25与焊垫26之间的电传导。另一方面,间隙CL的长度设定为即便半 导体封装组件17的树脂部17a被向下按压,且半导体封装组件17的树脂部 17a的下表面与间隔件72的上表面接触,从而引线部25发生变形(弯曲) 时,引线部25也不会发生塑性变形。因此,可保持引线部25发生弹性变形 的按压状态。换言之,在此示例中,间隔件72起到止挡件的作用,以防止
18半导体封装组件17的引线部25发生塑性变形。
在上述示例中,穿孔71形成在设置于基板70上的烧机板11中。间隔 件72设置于该穿孔71中。然而,本发明并不以此示例为限。穿孔71并不 总是形成在烧机板11中。当半导体封装组件17装配在烧机板11上时,间 隔件72可设置在定位于半导体封装组件17的树脂部17a下的部分烧机板11上。
第二实施例
在上述的第一实施例中,以烧机板11作为测试装置用部件的示例进行 论述。然而,如图18所示,在基板80的主表面上装配多个(图18中示例 性地示出了 4个)接触器13并设置按压板14,该基板80为不同于烧机板 11的板。
在图18所示出的第二实施例中,基板80的前表面上的相互面对的端部 设置有大量的接触器81。连接电线82的端子部连接于与设置有接触器81的 部分相对应的部分上。接触器81与电线82经由端子部83彼此连接。
此外,基板80的前表面上装配有多个(图18中示例性地示出了 4个) 接触器13,并设置有按压板14。
换言之,本发明的第二实施例可应用于用以进行半导体封装组件17的 可靠性评估测试的基板80中。
因此,在第二实施例的基板80中,可经由装配在基板80上的接触板21 实现基板80与作为测试物件的半导体封装组件17之间的电接触。因此,可
实现与第一实施例相同的效果。
图12至图17所示出的结构可形成在图18所示出的基板80上。第三实施例
能够将本发明的实施例应用于用以执行半导体封装组件的最终测试的 测试板。
在本发明的图19所示的第三实施例中,测试板90的表面上装配有多个 (图19中示例性地示出了4个)接触器13,并设置有按压板14,该测试板 90经由电线85固定于连接到测试器(图未示)的测试头86上。
换言之,能够将本发明的第三实施例应用于用以执行半导体封装组件17 的最终测试或类似操作的测试板90。可在图18所示出的基板80上形成图12至图17所示出的结构。此外, 可仅在测试器(图未示)及测试板90中执行半导体封装组件17的测试,该 测试板90固定于连接到该测试器的测试头86上。可选择地,可结合诸如处 理器之类的处理装置一起执行半导体封装组件17的测试。
因此,在第三实施例以及第二实施例中,可经由接触板21实现作为测 试物件的半导体封装组件17与测试板90之间的电接触。因此,可实现与第 一实施例相同的效果。
图12至图17所示出的结构可形成在图19所示出的基板90上。
因此,如上所述,根据实施例可提供一种电子部件的测试装置用部件以 及该电子部件的测试方法,以此可在不增加工艺步骤的情况下,以低成本增 加作为装配到烧机板上的测试物件的电子部件的数量。
在此描述的所有示例及条件性语言旨在作为教导的目的,以辅助读者理
解发明人为改进本领域而提供的发明及原理,且所有示例及条件性语言应被 解释为不限制在所描述的这些示例及条件内,而是对涉及高于或低于本发明
说明书的这些示例的概括。尽管己经详细地描述了本发明的实施例,然而, 应理解的是,在不背离本发明的精神和范围的情况下,可对此进行各种改变、
替换及变更。
权利要求
1.一种电子部件的测试装置用部件,包括测试板;突出电极,其设置在该测试板的主表面上;定位部,其设置在该测试板的主表面上,该定位部构造为定位该电子部件;及按压部,其构造为按压由该定位部定位的电子部件,并使得该电子部件的引线部与该突出电极接触,从而该引线部发生弹性变形并与该突出电极接触。
2. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该突出电极 形成在设置于该测试板上的接触板上。
3. 如权利要求2所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该突出电极 设置于该接触板的基座件的外周面上。
4. 如权利要求2所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该突出电极 形成在设置于该测试板上的片状部件上。
5. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中, 在装配于该测试板上的电子部件下方设置有间隔件; 该间隔件的上表面与该电子部件的主体的下表面之间形成有间隙;及 该间隙处于这样的范围内,即,即便在按压状态下,该引线部的变形仍为弹性变形,其中在该按压状态下,通过对该电子部件的按压,使该电子部 件的主体的下表面与该间隔件的上表面接触。
6. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该定位部设 置于该测试板上,并包括挡块体。
7. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该定位部为 形成在该测试板中的凹部。
8. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该突出电极 形成在一阶梯部的底面上,该阶梯部形成在设置于该测试板上的接触板中。
9. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,在该突出电 极中形成有作为该定位部的凹部。
10. 如权利要求3所述的电子部件的测试装置用部件,其中,在该接触板的基座件的外周面上形成有第一导电层; 在该第一导电层上形成有第二导电层;及 该突出电极包括该第一导电层和该第二导电层。
11. 如权利要求3所述的电子部件的测试装置用部件,其中, 在该接触板的基座件的外周面上形成有第一导电层;及 在该第一导电层上形成有凸形电极。
12. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该测试板用 于测试该电子部件的电气性能。
13. 如权利要求1所述的电子部件的测试装置用部件,其中,该测试板为 烧机板。
14. 一种电子部件的测试方法,包括在测试板上装配引线框,其中多个电子部件结合于该引线框; 按压结合于该引线框的所述电子部件,使得所述电子部件的引线部与突 出电极接触,从而该引线部发生弹性变形并与该突出电极接触;及 经由该突出电极进行该电子部件的电气测试。
15. 如权利要求14所述的电子部件的测试方法,其中,该引线部与该突 出电极在按压状态下接触,在该按压状态该引线部倾斜地抵靠该突出电极。
16. 如权利要求15所述的电子部件的测试方法,其中,将多个电子部件通过支撑杆结合于该引线框。
17. 如权利要求14所述的电子部件的测试方法,还包括在将该引线框 装配于该测试板上之前,从该引线框切除该引线部的端部。
18. 如权利要求14所述的电子部件的测试方法,其中,当按压该电子部 件时,该电子部件的主体与设置在该电子部件的主体下方的间隔件接触,从 而将该引线部的变形限制在弹性变形的范围内。
19. 如权利要求14所述的电子部件的测试方法,其中,在定位该电子部 件的主体的同时进行装配操作。
20. 如权利要求14所述的电子部件的测试方法,其中,在定位该电子部 件的引线部的同时进行装配操作的步骤。
全文摘要
一种电子部件的测试装置用部件及该电子部件的测试方法,其中所述电子部件的测试装置用部件包括测试板;设置在该测试板的主表面上的突出电极;设置在该测试板的主表面上的定位部,该定位部构造为定位该电子部件;及按压部,其构造为按压由该定位部定位的电子部件,并使得该电子部件的引线部与该突出电极接触,从而该引线部发生弹性变形并与该突出电极接触。
文档编号G01R31/28GK101604000SQ20091000639
公开日2009年12月16日 申请日期2009年2月16日 优先权日2008年6月9日
发明者小桥直人, 小泉大辅, 赤崎裕二 申请人:富士通微电子株式会社
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