调制光学飞行时间相位估计中的延迟补偿的制作方法

专利名称：调制光学飞行时间相位估计中的延迟补偿的制作方法
技术领域：
本公开总体涉及无接触三维(3D)形状测量。更具体地，本公开涉及在调制光学飞 行时间相位估计中使用延迟补偿的无接触3D形状测量方法和设备。
背景技术：
无接触3D形状测量可以使用压力波或电磁波发射。例如，压力波可以是超声波信 号。例如，电磁波发射可以是微波或光波(例如，1 = 0. 5-1. Oum ；f = 300-600THz)。对于 光波发射，3D感测方法包括三角测量法、干涉测量法和飞行时间(T0F)。三角测量法使用几 何角度测量来执行深度检测。干涉测量法使用光学相干飞行时间测量来执行深度检测。T0F 可以使用脉冲或调制连续波(CW)光学不相干飞行时间测量来执行深度检测。脉冲型T0F特征如下通过测量往返时间来实现范围感测，减小背景照明影响，高 信噪比(SNR)，用于保护视力的低平均功率，激光二极管(LD)的低重复速率(例如，10kHz) 以及低帧速率。不幸地，很难形成具有足够短的上升和下降时间的脉冲，扩散和衰减可能会 成为问题。调制CW型T0F特征是通过测量相位差来实现范围感测。调制T0F可以使用多种 光源，如，正弦波、方波等等。

发明内容
本公开提出了在调制光学飞行时间估计中使用延迟补偿的无接触三维形状测量。 提供了示例实施例。示例实施例距离测量方法包括测量多个调制相位偏移处的多个积分信号；估计 分别针对多个调制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对 多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收 时间；以及根据所估计的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。另一示例实施例包括发射窄带电磁能量作为调制连续波；以及对表示从目标反 射的电磁能量的、针对多个调制相位偏移的信号进行接收和积分。另一示例实施例中，估计包括利用第二时间处的至少一个积分信号来对第一时 间处的至少一个积分信号进行内插，其中，第一时间在针对多个调制相位偏移中另一调制 相位偏移的积分信号的接收时间之前，第二时间在针对多个调制相位偏移中另一调制相位 偏移的积分信号的接收时间之后。在另一示例实施例中，估计包括从多个先前时间处的至少一个积分信号中外插出当前时间处的至少一个积分信号，其中，当前时间是针对多个调制相位偏移中另一调制 相位偏移的积分信号的接收时间。在另一示例实施例中，估计包括分割第一积分信号与第二积分信号之间的时间 差，以得到中间时间；利用第三时间处的第一积分信号来对第一时间处的第一积分信号进 行内插，以得到中间时间处的第一估计积分信号，其中，第一时间在中间时间之前，第三时 间在中间时间之后；利用第四时间处的第二积分信号来对第二时间处的第二积分信号进行 内插，以得到中间时间处的第二估计积分信号，其中第二时间在中间时间之前，第四时间在 中间时间之后。在另一示例实施例中，窄带电磁能量具有在大约850和大约950纳米之间的波长。在另一示例实施例中，多个调制相位偏移包括四个等间隔的偏移。在另一示例实 施例中，至少一个光传感器对分别针对零度、90度、180度和270度相位偏移的第一、第二、 第三和第四信号进行接收和积分。在另一示例实施例中，至少一个光传感器包括颜色像素 和距离像素，颜色像素被布置在第一集成电路上，距离像素被布置在第二集成电路上。在另 一示例实施例中，至少一个光传感器包括在单个集成电路上的颜色像素和距离像素。示例实施例距离测量系统包括窄带源，用于发射电磁能量作为调制连续波；光 传感器，用于对表示从目标反射的电磁能量的、针对多个调制偏移相位的信号进行接收和 积分；以及控制单元，用于测量多个调制相位偏移处的多个积分信号，估计分别针对多个调 制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对多个调制相位偏 移中另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收时间，以及根据所 补偿的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。在另一示例实施例中，所述源发射窄带电磁能量，所述窄带电磁能量具有在大约 850和大约950纳米之间的波长。在另一备选示例实施例中，多个调制相位偏移包括四个等 间隔的偏移。在另一示例实施例中，分别针对零度和180度相位偏移的第一和第三信号由 光传感器来接收和积分，分别针对90度和270度相位偏移的第二和第四信号由第二光传感 器来接收和积分。在备选示例实施例中，分别针对零度、90度、180度和270度相位偏移的 第一、第二、第三和第四信号由光传感器来接收和积分。在另一示例实施例中，光传感器包 括颜色像素和距离像素，颜色像素被布置在第一集成电路上，距离像素被布置在第二集成 电路上。在另一示例实施例中，一个光传感器包括在单个集成电路上的颜色像素和距离像素。在另一示例实施例中，控制单元包括用于利用第二时间处的至少一个积分信号来 对第一时间处的至少一个积分信号进行内插的估计单元，其中，第一时间在针对多个调制 相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之前，第二时间在针对多个调制相位 偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之后。在另一示例实施例中，控制单元包括用于从多个先前时间处的至少一个积分信号 中外插出当前时间处的至少一个积分信号的估计单元，其中，当前时间是针对多个调制相 位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间。示例实施例距离传感器包括光感测阵列，用于对表示从目标反射的电磁能量的、 针对多个调制相位偏移的信号进行接收和积分；以及控制单元，用于测量多个调制相位偏 移处的多个积分信号，估计分别针对多个调制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号来调节所述 至少一个积分信号的接收时间，以及根据所估计的至少一个信号来确定目标与接收机之间 的距离。在另一示例实施例中，光感测阵列包括多个像素，用于顺序地获取多个调制相位 偏移处的信号采样。在备选实施例中，光感测阵列包括第一传感器，用于顺序地获取多个 第一调制相位偏移处的信号采样；以及第二传感器，用于顺序地获取多个第二调制相位偏 移处的信号采样；其中，第一和第二调制相位偏移顺次交替。在备选示例实施例中，多个调 制相位偏移包括四个等间隔的偏移。在另一示例实施例中，分别针对零度、90度、180度和 270度相位偏移的第一、第二、第三和第四信号分别由第一、第二、第三和第四光感测阵列来 接收和积分。在备选示例实施例中，分别针对零度和180度相位偏移的第一和第三信号由 光感测阵列来接收和积分，分别针对90度和270度相位偏移的第二和第四信号由第二光感 测阵列来接收和积分。在另一备选实施例中，分别针对零度、90度、180度和270度相位偏 移的第一、第二、第三和第四信号由光感测阵列来接收和积分。在另一示例实施例中，光感 测阵列包括颜色像素和距离像素，颜色像素被布置在第一集成电路上，距离像素被布置在 第二集成电路上。在另一备选示例实施例中，一个光感测阵列包括在单个集成电路上的颜 色像素和距离像素。在另一示例实施例中，控制单元包括用于利用第二时间处的至少一个积分信号来 对第一时间处的至少一个积分信号进行内插的估计单元，其中，第一时间在针对多个调制 相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之前，第二时间在针对多个调制相位 偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之后。在另一示例实施例中，控制单元包括用于从多个先前时间处的至少一个积分信号 中外插出当前时间处的至少一个积分信号的估计单元，其中，当前时间是针对多个调制相 位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间。在另一示例实施例中，光感测阵列包括第一集成电路，用于获取针对颜色像素的 信号采样；以及第二集成电路，用于获取针对距离像素的信号采样。在另一示例实施例中，光感测阵列包括第一集成电路，用于获取针对颜色像素和 距离像素的信号采样。通过结合附图来阅读的以下示例实施例的描述，将进一步理解本公开。


本公开根据以下示例附图提供了在调制光学飞行时间相位估计中使用延迟补偿 的无接触三维形状测量，附图中图1是根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量系统的示意图；图2是根据本公开示例实施例的另一无接触3D形状测量设备的示意图；图3是根据本公开示例实施例的信号图的图示；图4是根据本公开示例实施例的另一信号图的图示；图5是根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量系统的示意图；图6是来自根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量系统的图像的示意图；图7是根据本公开示例实施例的2抽头无接触3D形状测量系统的示意图8是根据本公开示例实施例的2抽头像素单元的示意图；图9是根据本公开示例实施例的像素传感器电路的电路图；图10是根据本公开示例实施例的2抽头信号曲线以及IR信号和栅极信号的时序 图的图示；图11是根据本公开示例实施例的2抽头采样点曲线的图示；图12是根据本公开示例实施例的另一 2抽头采样点曲线的图示；图13是根据本公开示例实施例的2抽头时序图的示意图，所述2抽头时序图示出 了根据估计时间处深度传感器的操作的数字像素信号的估计过程；图14是传统方案的仿真结果与根据本公开示例实施例的2抽头实施例的仿真结 果的图示；图15是根据本公开示例实施例的2抽头比较仿真图的图示；图16是根据本公开示例实施例的2抽头比较仿真图的图示；图17是根据本公开示例实施例的1抽头无接触3D形状测量系统的示意图；图18是根据本公开示例实施例的1抽头像素单元的示意图；图19是根据本公开示例实施例的1抽头采样点曲线的图示；图20是根据本公开示例实施例的1抽头时序图的示意图，所述1抽头时序图示出 了根据估计时间处深度传感器的操作的数字像素信号的估计过程；图21是根据本公开示例实施例的1抽头仿真结果的曲线的图示；图22是根据本公开示例实施例的1抽头比较仿真图的图示；图23是根据本公开示例实施例的1抽头比较仿真图的图示；图24是根据本公开示例实施例的深度估计方法的流程图；图25是根据本公开示例实施例的示例三晶体管(3T)APS结构的电路图；图26是根据本公开示例实施例的示例四晶体管(4T)APS结构的电路图；图27是根据本公开示例实施例的第一示例五晶体管(5T)APS结构的电路图；图28是根据本公开示例实施例的第二示例5T APS结构的电路图；图29是根据本公开示例实施例的使用二芯片解决方案的无接触3D形状测量系统 的示意图；图30是根据本公开示例实施例的使用单芯片解决方案的无接触3D形状测量系统 的示意图；图31是根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量系统的示意图；图32是根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量系统的示意图；图33是根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量部分电路和示意信号图的示 意图；图34是根据本公开示例实施例的无接触3D形状测量部分电路和示意信号图的示 意图；以及图35是根据本公开示例实施例的APS结构的电路图。
具体实施例方式优选实施例无接触三维(3D)形状测量方法和设备使用调制连续波(CW)光学不相干飞行时间(T0F)测量来执行深度检测，特征在于T0F相位估计中的延迟补偿。参考表A，公式Al、A2、A3和A4表示发射传感器和目标之间的返回信号幅度。这 里，四个相位偏移中每一个相位偏移的幅度由背景噪声分量a和反射信号分量3组成。例 如，反射信号分量0指示可以随与目标的距离和目标的反射率而变化的强度。公式A5定义了飞行时间，作为与目标的往返距离除以光速的函数。公式A6定义 了区间Tint内每个幅度的积分或和。公式A7定义了相位延迟估计。公式A8定义了深度估 计。现在参考表B，公式B1定义了来自红外源的发射信号的强度的比例性。公式2定 义了来自光源的发射信号的强度。公式B3定义了接收信号的强度。公式B4定义了作为4 个相位偏移采样点的函数的角度。公式B5定义了作为角度的函数的光度。公式B6定义了 与亮度和幅度的函数成比例的光度变化。在操作中，三维(3D)飞行时间(T0F)成像可以使用不可见光源来照射对象。传感 器芯片可以测量光到达芯片内的每个像素所传播的距离。嵌入式成像软件使用深度图来实 时地感知和识别目标。关联的最终用户设备可以适当地对得到的对象识别作出反应。例如，一种类型的传感器可以使用波长为3. 4m的44MHz调制频率，并且在3cm以 下的深度分辨率下具有大约15cm到大约3m的测量范围。另一种类型的传感器可以具有更 大的像素阵列，使用波长为7. 5m的20MHz调制频率，并且在大约1. 3cm的深度分辨率下具 有大约15m的测量范围。使用正弦波形的距离或Z测量可以使用相对经济的光源而不是激光器并且使用 较低带宽放大器。典型地重复测量，以利用累积的电荷来得到“Z”值，其中Z可以在发射光 波长的量级上。Z测量光学系统可以使用非线性盖革模型来检测少量光子。这里，光学系统用于有 效地从目标到检测器传递反射光。由于作为噪声的背景光，很难通过像素饱和所引起的差分信号传递来检测深度信 息。因此，利用背景信号来消除共模信号可能是有帮助的。为了防止像素饱和，可以在饱和 时重置CA电压和/或周期性重置电压。背景光产生的不期望光子可能降低信噪比(SNR)。为了提高SNR，可以在调制光关 闭的时间期间利用背景光来计算电压，可以在调制光开启或发射的时间期间从测量电压中 减去针对背景光的而计算电压。可以分别利用长和短检测周期来得到高和低灵敏度。对于提高的SNR，基于与特定 检测周期同步拾取的每个电荷来计算范围图像中每个图像元素的距离值，然后构建范围图像。延迟的相位信号可以包括两个分量，即，逐像素延迟和逐帧延迟。在这两种延迟当 中，逐像素延迟更显著。逐像素延迟是在0、90、180和270度分量之间的延迟。参考表C，2抽头结构具有两个采样时间以得到四个测量，其中第二采样时间由公 式C1来定义。这里，相位角由公式C2来定义。A4抽头结构具有四个采样时间以得到四个 测量，每个测量偏移特定的时间间隔。这里，相角由公式C3来定义。逐帧延迟是利用滚动 快门所捕获的第一个像素和最后一个像素之间的延迟。因此，可以针对一个循环或周期的期望相位偏移范围，通过使用由光电门激活的传感器，对在实际采样时间捕获的光子数目进行内插或外插到补偿采样时间，其中，在多个 循环上对期望相位偏移范围进行求和或积分以捕获足够数目的光子。此外，可以在多个循 环上的这种积分之后执行单次相关双采样。尽管针对典型的2X2拜耳或类马赛克图案而 配置的传感器就足够了，然而在备选实施例中可以实现诸如2 X 4或3 X 3之类的其他图案。 类似地，诸如黄色、青色和品红色之类的补充颜色可以替代拜耳图案的绿色、蓝色和红色。 对于户外感测，大约850到大约950nm的发射波长是优选的，因为太阳在850nm处具有较低 的输出，但是这种波长在近红外频带中刚好在正常人视力范围之外。如图1所示，无接触3D形状测量系统总体上由参考数字100来指示。无接触3D 形状测量设备100针对调制光学飞行时间相位估计使用深度补偿，并且包括发射器110、与 发射器相距一定距离的目标或反射器112、与目标相距一定距离的接收器114、以及与接收 器信号通信的相位测量单元116，其中，接收器向相位测量单元提供参考和信号。转向图2，另一无接触3D形状测量设备总体上由参考数字200来指示。这里，组合 的发射器/接收器210被布置为与目标212相距一定的距离。飞行时间是光从发射器传播 到反射器再到达接收器所花费的时间。现在转向图3，信号曲线总体上由参考数字300来指示。曲线300包括发射光信号 310、反射或接收光信号312、0度相位偏移信号314以及180度相位偏移信号316。这里，0 度相位偏移信号314包括第0象限第n循环积分318和第0象限第(n+1)循环积分319。 类似地，180度相位偏移信号316包括第2象限第n循环积分320和第2象限第(n+1)循环 积分。如图4所示，另一信号曲线总体上由参考数字400指示。曲线400包括发射光信 号410和检测信号420。这里，可以使用发射信号与检测信号之间的相位延迟角度来提供距 离信息；可以使用检测信号的交流(AC)或时变幅度来提供精度信息；以及可以使用检测信 号的直流(DC)或恒定幅度来提供亮度信息。转向图5，无接触3D形状测量系统总体上由参考数字500指示。系统500包括 不可见光源510，照射对象511 ；传感器芯片512，测量光从对象和源传播到芯片内的每个像 素所经过的距离；嵌入式成像单元513，包括深度图以实时地感知和识别对象；以及最终用 户设备514，与成像单元进行信号通信以对感知到的对象作出响应。 现在转向图6，来自无接触3D形状测量系统的图像总体上由参考数字600来指示。 这里，成像单元，如图5的成像单元513将场景610感知为深度图612，将场景620感知为深 度图622。在这种情况下，深度图622充分地匹配参考图624，指示对象瞄准了识别的目标， 如咖啡杯。 如图7所示，2抽头无接触3D形状测量系统总体上由参考数字700来指示。系统 700包括设备710和目标711。设备710包括红外(IR)发射器712 ；传感器阵列174，包括 多个传感器像素716，每个传感器像素716通过IR通滤波器717接收来自目标的反射光；相 关双采样模数转换器(CDS/ADC)单元718，接收来自阵列的幅度或光子数量，以及来自定时 和控制(T/C)单元720的定时和控制信号。T/C单元还与用于阵列714的X解码器722以 及IF发射器712信号通信。⑶S/ADC单元718将采样幅度或光子计数传送至存储器724， 存储器724将采样幅度或光子计数提供至深度估计器726。深度估计器726提供信号，所述 信号表示与设备710的发射器和传感器像素的目标深度或距离。
在本示例实施例的2抽头结构的操作中，深度传感器710、目标711、一个或多个IR 发射器712、2抽头深度传感器阵列714、感测像素716、IR通滤波器717、⑶S/ADC单元718、 定时控制器720、存储器724以及深度估计器726形成了高效系统。参考表E，公式l，tA是发射光(EL)与反射光(RL)之间的时间差，其中d是深度信 息，即，传感器与目标之间的距离，c是光速。RL可以通过位于IR通滤波器717前方的附加 透镜或透镜模块。IR发射器712可以向外部发射调制IR，可以利用例如发光二极管(LED)、 有机发光二极管(0LED)或激光二极管(LD)来配置IR发射器712。具有该2抽头像素结构的每个深度感测像素716可以分别根据具有180度相位差 的门信号Ga和Gb，来测量像素信号AO’ /A2’和Al’ /A3’。因此，多个感测像素716针对预定的时间段(如，预定的积分时间)累积RL并输 出通过累积而产生的像素信号AO’ /A2’和Al’ /A3’，其中RL包括由通过IR通滤波器717 入射的反射IR引起的光产生的电子。在表E中，公式E2表示由每个像素716产生的像素信号A0’/A2’和Al’/A3’。Ak’ 得自于门信号的相位差。当相位差是0度时，获得k0 ；当相位差是90度时，获得kl ；当相位 差180度时，获得k2 ；当相位差是270度时获得k3，其中，ak,n是当输入具有依据“k”的相 位差的第n个门信号时深度传感器716中光产生的电子的数目，N = fm*Tint，其中fm是调制 IR或EL，Tint是积分时间。转向图8，2抽头像素单元总体上由参考数字800来指示。像素单元包括像素816， 如图7的像素716之一。像素包括第一区821和第二区822。第一区包括第一抽头823，第 二区包括第二抽头824。现在转向图9，像素传感器电路总体上由参考数字900指示。电路包括光传感器 器件(PSD)910，用于接收光子；门控晶体管912，与PSD连接；重置晶体管914，连接在门控 晶体管与源电压之间；第二晶体管916，由门控晶体管来门控并且连接在源电压与选择晶 体管918之间；以及负载晶体管920，连接在选择晶体管与地之间。因此，像素传感器电路 包括在图8的有源区域821和822中的晶体管和光电转换器件。如图10所示，IR信号和门信号的2抽头信号曲线和时序图总体上由参考数字 1000来指示。曲线1000包括发射光信号1010、反射或接收光信号1012、0度相位偏移信号 1014以及180度相位偏移信号1016。这里，0度相位偏移信号1014包括第0象限第n循环 积分1018和第0象限第(n+1)循环积分1019。类似地，180度相位偏移信号1016包括第 2象限第n循环积分1020和第2象限第(n+1)循环积分。在图8、9和10的2抽头传感器的操作中使用门信号Ga和Gb，门信号Ga和Gb具 有180度相位差，并针对包括图8的深度感测像素816的光电门823和824在内的每个光 电转换器件而提供。因此，每个光电门在Ga和Gb的高时间期间通过图9的传递门912向浮动扩散(FD) 区传递由反射光(RL)产生的光产生的电子。与光产生的电子相对应的每个像素信号AO’/ A2’和Al’ /A3’由相应的光电转换器件823和824通过源跟踪器晶体管916和选择晶体管 918而产生。重置晶体管914根据重置信号(RST)将FD重置到Vdd。负载晶体管920连接在深度感测像素的输出节点与地之间，并且通过跟踪负载信 号VL0AD来操作。根据图7的定时控制器720的信号，数字⑶S/ADC电路718针对每个像素信号AO’ /A2’和Al’ /A3’执行相关双采样和ADC，并输出每个数字像素信号AO’ /A2’和 Al’ /A3，。转向图11，2抽头采样点曲线总体上由参考数字1100来指示。曲线1100示出了 两个采样点to和tl。在第一采样点to处，对第零和第二相位偏移象限光子计数进行采样。 在第二采样点tl处，对第一和第三相位偏移象限光子计数进行采样。在操作中，由缓冲器配置的图7的存储器724接收并存储从⑶S/ADC电路718输 出的每个数字像素信号A0/A2和A1/A3。深度估计器726基于每个数学像素信号A0/A2和 A1/A3来估计相位差。表E的公式E3定义了由深度估计器726估计的相位差。深度估计器726根据公式E4，基于所估计的相位差来估计深度信息并输出深度信 息，其中，c是光速，fffl是反射光(RL)的调制频率。如公式E5所示，时序图示出了在具有2抽头像素结构的深度感测像素中产生的时 间差。如果在t0处输入分别具有大约0度和180度相位偏移的门信号Ga和Gb，则具有2 抽头像素结构的深度感测像素716同时输出测量的像素信号A0’和A2’。此外，如果在时 间tl处输入分别具有大约90度和270度相位偏移的门信号，则具有2抽头像素结构的深 度感测像素716同时输出测量的像素信号A1’和A3’。因此，深度感测像素716分别在每个 时间间隔Tint中测量像素信号两次，因为深度感测像素716不同时测量每个像素信号A1’、 A2，、A3，或 A4，。深度估计器726根据公式E5基于每个数字像素信号Al、A2、A3和A4来估计相位 差。深度估计器726基于所估计的相位差来估计深度信息并输出深度信息d-hat。现在转向图12，另一 2抽头采样点曲线总体上由参考数字1200来指示。曲线1200 示出了两个实际采样点t0和t2以及两个内插的采样点tl和t3。该概念图用于说明数字像素信号的估计。在图7的示例实施例中，备选实施例深 度估计器726可以用于根据时间差Tint来补偿相位误差。例如，估计器726可以使用已在 同一时间t2测量的多个数字像素信号在估计时间t2处估计相应的数字信号。这里，包括具 有2抽头像素结构的深度感测像素716在内的深度传感器710在时间tl测量相应的像素 信号 Al’(k-l)、A3’(k-1)，在时间 t2 测量 AO’(k)、A2’(k)，以及在时间 t3 测量 Al’(k)、 A3，(k)。将每个像素信号Al，(k-1)、A3，(k-1)、AO，(k)、A2，(k)、Al，(k)、和 A3，(k)转换 成数字信号Al (k-1)、A3 (k-1)、A0 (k)、A2 (k)、A1 (k)、和A3 (k)，并存储在存储器724中。因 此，深度估计器726在时间t2根据公式E6来估计两个估计值。这里，当目标随时间移动时，可以假定背景噪声恒定。使用捕获信号A1和A3的当 前和过去值，可以估计用于测量A0和A2的补偿信号。例如，可以使用简单的内插算法。备 选地，在备选实施例中可以使用外插。现在参考表D，公式D1定义了内插测量，作为两个实际采样点处的实际测量的函 数。公式D2示出了这里所使用的示例性简单内插。公式D3根据内插和实际测量来计算相 位角0。如果深度估计器726使用例如线性内插，则深度估计器726可以使用公式E7来估 计值。深度估计器726还使用相同的公式来估计其余估计值。然后深度估计器726使用 AO (k) /A2 (k)和公式E8来估计时间t2处的相位差。
如图13所示，2抽头定时图总体上由参考数字1300来指示，该2抽头定时图示出 了在估计时间处根据深度传感器的操作对数字像素信号的估计过程。公式E8被重写为公 式E9，其中，Tint是积分时间，Tread是从像素输出(Ak’ )到数字输出(Ak)的读出时间， Teal是深度估计器726计算或估计数字像素信号所花费的时间。数字像素信号由深度估计 器726根据公式E10来提供。转向图14，仿真结果曲线总体上由参考数字1400来指示。这里，曲线1410示出 了表示在对象711以lmm/s lm/s的速度移动的情况下的相位差计算误差的仿真图，曲线 1420示出了表示在对象711以lmm/s lm/s的速度移动的情况下、但通过根据本公开优选 实施例的线性内插而校正的相位差计算误差的仿真图。在补偿之前，在使用传统算法的情况下，作为估计误差的相位差误差随着积分时 间的增大和/或移动对象711速度的增大而增大。在补偿之后，在使用根据本公开示例实施 例方法的算法的情况下，即使积分时间和/或目标速度增大，相位差计算误差也显著减小。现在转向图15，2抽头比较仿真图总体上由参考数字1500来指示。这里，曲线1510 表示传统方法的相位差计算误差，而曲线1520表示本公开示例实施例的相位差计算误差。如图16所示，2抽头比较仿真图总体上由参考数字1600来指示。这里，曲线1610 示出了在没有补偿的情况下的相位差计算误差。曲线1620示出了采用传统补偿的情况下 的相位差计算误差。曲线1630示出了在采用根据本公开示例实施例的补偿的情况下的相 位差计算误差。曲线1640示出了传统方法的均方差1642对本公开示例实施例的均方差 1644。转向图17，1抽头无接触3D形状测量系统总体上由参考数字1700来指示。系统 1700包括设备1710和目标1711。设备1710包括红外(IR)发射器1712 ；传感器阵列1714， 包括多个传感器像素1732，每个传感器像素1732通过IR通滤波器1717接收来自目标的反 射光；相关双采样模数转换器(CDS/ADC)单元1718，接收来自阵列的幅度或光子计数，以及 来自定时和控制(T/C)单元1720的定时和控制信号。T/C单元还与用于阵列1714的X解 码器1722以及IF发射器1712进行信号通信。⑶S/ADC单元1718将采样幅度或光子计数 传送至存储器1724，存储器1724将采样幅度或光子计数提供至深度估计器1726。深度估 计器1726提供信号，所述信号表示目标深度或与设备1710的发射器和传感器像素的距离。在操作中，深度传感器1710、目标1711、IR发射器1712、深度传感器阵列1714、感 测像素1732、IR通滤波器1717、CDS/ADC单元1718、定时控制器1720、存储器1724以及深 度估计器1726形成了高效系统。这里，深度估计器使用公式E1，其中，t是发射光(EL)与 接收光(RL)之间的时间差，d是与从发射器到目标再到传感器的距离相对应的深度信息，c 是光速。RL可以通过位于IR通滤波1717前方的附加透镜或透镜模块。IR发射器1712可 以向外部发射调制IR，可以利用例如发光二极管(LED)、有机发光二极管(0LED)或激光二 极管(LD)中的一个或多个来配置。因此，具有1抽头像素结构的深度感测像素1732可以根据分别具有0度、90度、 180度、270度相位偏移的门信号(Ga、Gb、Gc、Gd)来测量像素信号(AO，、Al，、A2，、A3，)。 感测像素1732在预定的时间段内(如，在积分时间期间)累积由反射IR或通过IR通滤波 器1717而入射的RL所引起的光产生的电子，并输出根据公式E2通过累积而产生的输出像素信号(A0，、A1，、A2，、A3，)。像素信号(A0’、A1’、A2’、A3’)由每个像素1732产生，其中Ak’如下。当门信号 的相位差或偏移是0度时，k是0。当门信号的相位差或偏移是90度时，k是1。当门信号 的相位差或偏移是180度时，k是2。当门信号的相位差或偏移是270度时，k是3。这里，ak,n是当输入具有依据“k”的相位差的第n个门信号时深度传感器1716中 光产生的电子的数目。N = fm*Tint，其中fm是调制IR或EL，Tint是积分时间。现在转向图18，1抽头像素单元总体上由参考数字1800来指示。像素单元包括 像素1832，如，图17的像素1732之一。像素包括第一区1821，第一区1821包括第一抽头 1822。转向图19，1抽头采样点曲线总体上由参考数字1900来指示。图1900示出了四 个采样点t0、tl、t2和t3。在第零采样点t0，对第零相位偏移象限光子计数进行采样。在 第一采样点tl，对第一相位偏移象限光子计数进行采样。在第二采样点t2，对第二采样偏 移象限光子计数进行采样。在第三采样点t3，对第三相位偏移象限光子计数进行采样。在图17、18和19的1抽头结构的操作中，随后将分别具有0度、90度、180度和 270度相位偏移的门信号Ga、Gb、Gc、Gd施加到图18中的深度感测像素1832光电转换器件 或光电门1822。因此，光电门1822通过传递门向浮动扩散区(FD)传递由反射光(RL)产生 的光产生电子。在定时控制器1720的信号上，数字⑶S/ADC电路1718针对每个像素信号执行相 关双采样和模数转换，并输出每个数字像素信号A0、A1、A2和A3，所述每个像素信号包括时 间t0处的AO，、时间tl处的A1，、时间t2处的A2，以及时间t3处的A3，。被配置为缓冲 器的存储器1724接收并存储从⑶S/ADC电路1718输出的每个数字像素信号AO、Al、A2和 A3。深度估计器1726基于每个数字像素信号AO、Al、A2和A3来计算相位差。深度估 计器1726所估计的相位差得自于表F的公式F4。现在转向图20，1抽头定时图总体上由参考数字2000来指示，1抽头定时图示出 了在估计时间处根据深度传感器的操作对数字像素信号的估计过程。在操作中，图17的深 度估计器1726通过使用在测量AO’ (k)时已测量并存储的多个数字像素信号(Al(k-l)、 Al(k))来估计来自不同估计时间的数字信号。因此，可以使用A2(k-1)和A2(k)来执行第 一信号估计，而可以使用A3 (k-1)和A3(k)来执行第二信号估计。如果深度估计器1726使 用线性内插，则深度估计器1726可以在估计与数字像素信号(A0(k))相对应的像素信号 (AO’ (k))时估计每个数字像素信号。表F的公式F5、F6和F7产生了由深度估计器1726产生的数字像素信号。因此， 深度估计器1726根据公式F8基于所测量的数字像素信号(A0(k))和所估计的数字像素信 号来估计相位差。这里，深度传感器1710的深度估计器1726可以输出所估计的深度信息。现在转向图21，1抽头仿真结果曲线总体上由参考数字2100来指示。这里，曲线 2110示出了表示在目标1711以lmm/s lm/s的速度移动的情况下的相位差计算误差的仿 真图，曲线2120示出了在目标1711以lmm/s lm/s的速度移动的情况下、但通过根据本 公开优选实施例的线性内插而校正的相位差计算误差的仿真图。在补偿之前，在使用传统算法的情况下，作为估计误差的相位差误差随着积分时间的增大和/或移动目标1711速度的增大而增大。在补偿之后，在使用根据本公开示例实 施例方法的算法的情况下，即使积分时间和/或目标速度增大，相位差计算误差也显著减现在转向图22，1抽头比较仿真图总体上由参考数字2200来指示。这里，曲线2210 表示传统方法的相位差计算误差，而曲线2220表示本公开示例实施例的相位差计算误差。转向图23，1抽头比较仿真图总体上由参考数字2300来指示。这里，曲线2310示 出了在没有补偿的情况下的相位差计算误差。曲线2320示出了采用传统补偿的情况下的 相位差计算误差。曲线2330示出了在采用根据本公开示例实施例的补偿的情况下的相位 差计算误差。曲线2340示出了传统方法的均方差2342与本公开的示例实施例的均方误差 2344。现在转向图24，深度估计方法总体上由参考数字2400来指示。该方法包括步骤 S10，在步骤S10使用测量的先前值和测量的后续值来估计当前值。这里，包括具有2抽头 像素结构的图7的深度感测像素716在内的深度传感器使用在与估计点相邻的两个检测点 处检测到的值来估计针对估计点的值。接下来，在步骤S20，深度传感器使用估计值以及由 深度感测像素716在估计点处检测到的两个值来估计深度信息。深度传感器710确定两个 估计值与两个检测值AO (k)、A2(k)之间的相位差。接下来，在步骤S30，深度传感器使用fm、 光速c和相位差基于反射光(RL)的频率来估计深度信息。如图25所示，示例三晶体管(3T)APS结构总体上由参考数字2500来指示。3T结 构包括光电二极管2510、与光电二极管连接的RX晶体管2520、与光电二极管连接的DX晶 体管2530、以及与DX晶体管连接的SX晶体管2540。本公开的优选3T结构提供用于重置 和选择晶体管共享，并由于因具有浮动扩散(FD)而实现的CDS操作。可以预期备选实施例 共享结构。转向图26，示例四晶体管(4T)APS结构总体上由参考数字2600指示。4T结构包 括光电二极管2160、与光电二极管连接的TX晶体管2612、与TX晶体管连接的RX晶体管 2620、与TX晶体管连接的DX晶体管2630、以及与DX晶体管连接的SX晶体管2640。可以 预期备选实施例共享结构。转向图27，第一示例五晶体管(5T)APS结构总体上由参考数字2700来指示。5T 结构包括光电二极管2710、与光电二极管连接的TX晶体管2712、与TX晶体管连接的GX晶 体管2714、与TX晶体管连接的RX晶体管2720、与TX晶体管连接的DX晶体管2730、以及与 DX晶体管连接的SX晶体管2740。可以预期备选实施例共享结构。转向图28，第二示例5T APS结构总体上由参考数字2800来指示。第二 5T结构 包括光电二极管2810、与光电二极管连接的PX晶体管2811、与PX晶体管连接的TX晶体管 2812、与TX晶体管连接的RX晶体管2820、与TX晶体管连接的DX晶体管2830、以及与DX 晶体管连接的SX晶体管2840。可以预期备选实施例共享结构。转向图29，使用二芯片解决方案的无接触3D形状测量系统总体上由参考数字 2900来指示。无接触3D形状测量设备2900针对调制光学飞行时间相位估计使用深度补 偿，并且包括发射器，用于发射光；目标或反射器2912，用于反射光；深度传感器2914，用 于接收来自目标的反射光；颜色传感器2918，用于接收来自目标的环境光；以及信号处理 器2916，与深度传感器和颜色传感器信号通信以便从反射光中减去环境光并提供3D信息。
转向图30，使用单芯片解决方案的无接触3D形状测量系统总体上由参考数字 3000来指示。无接触3D形状测量设备3000针对调制光学飞行时间相位估计使用深度补 偿，并且包括光源，用于发射光；目标或反射器3012，用于反射光；单芯片颜色和深度传 感器3014，用于接收来自目标的反射光以及用于接收来自目标的环境光；以及信号处理器 3016，与组合的颜色和深度传感器信号通信以便从反射光中减去环境光并提供3D信息。现在转向图31，无接触3D形状测量系统总体上由参考数字3100来指示。无接 触3D形状测量系统3100包括光源3110，用于发射光；目标3112，用于反射光；像素阵 列3114，用于接收光；控制单元3116，用于控制光源；行地址解码器3118;列地址解码器 3122 ；连接在行地址解码器与像素阵列之间的行驱动器3120 ；连接在列地址解码器与像素 阵列之间的列驱动器3124;与列驱动器连接的采样和保持(S/H)寄存器；以及与S/H寄存 器连接的模数转换器(ADC)；以及与ADC连接的ISP 3130。如图32所示，无接触3D形状测量系统总体上由参考数字3200来指示。无接触3D 形状测量系统3200包括与系统总线3220连接的中央处理单元(CPU) 3210、与系统总线连 接的单芯片或多芯片传感器3230、以及与系统总线连接的存储器3240。现在转向图33，无接触3D形状测量部分电路和示意信号图总体上由参考数字 3300来指示。部分电路3310包括与重置晶体管3314和浮动扩散晶体管3316连接的光 电二极管3312，浮动扩散晶体管3316与选择晶体管3318连接。接地晶体管3320和模数 转换器3322各自都连接至选择晶体管。信号图3330包括重置状态3332，其中，PD、RG和 RD信号电平为低；刚刚重置之后状态，其中，PD电平升高，RG电平为高，RD电平为低；以及 积分状态，其中，PD和RG电平为高，RD电平为低。如图34所示，无接触3D形状测量部分电路和示意信号图总体上由参考数字3400 来指示。部分电路3410包括与通过晶体管3413连接的光电二极管3412，与通过晶体管 连接的重置晶体管3414和浮动扩散晶体管3416，以及与浮动扩散晶体管连接的选择晶体 管3418。接地晶体管3420和模数转换器3422各自都连接至选择晶体管。信号图3430包括积分状态，其中，PD、TG、FD和RG电平为高，而RD电平为低；FD 重置状态3432 ；其中，PD和TG电平为高，而FD、RG和RD电平为低；刚刚重置之后状态，其 中，PD、TG和RG电平为高，而FD和RD电平为低；以及信号传递状态3435，其中，FD和RG电 平为高，而PD、TG和D电平为低。时序图3440包括首先激活的重置信号、其次激活的TG 信号、以及在重置信号之后逐步减小的输出信号。转向图35，APS结构总体上由参考数字3500指示。示例三晶体管(3T)APS结构 3530包括光电二极管3531、与光电二极管连接的RX晶体管3532、与光电二极管连接的DX 晶体管3533、以及与DX晶体管连接的SX晶体管3534。3T结构特征是简单的过程、高填充 因子、像素重置噪声以及低信噪比。示例四晶体管(4T)APS结构3540包括光电二极管3541、与光电二极管连接的TX 晶体管3546、与TX晶体管连接的RX晶体管3542、与TX晶体管连接的DX晶体管3543、以及 与DX晶体管连接的SX晶体管3544。4T结构特征是对于低浅电势光电二极管的处理、低填 充因子、低暗电平、较高灵敏度、CDS操作以及不可实现的SFCM。示例五晶体管(5T)APS结构3550包括光电二极管3551、与光电二极管连接的TX 晶体管3555、与TX晶体管连接的GX晶体管3552、与TX晶体管连接的RX晶体管3553、与TX晶体管连接的DX晶体管3556、以及与DX晶体管连接的SX晶体管3554。5T结构特征是 寻址的读数、完全随机的存取、可能的单CDS、以及最低的填充因子。光电门结构3560包括光电二极管3561、与光电二极管连接的PX晶体管3567、与 PX晶体管连接的TX晶体管3565、与TX晶体管连接的RX晶体管3562、与TX晶体管连接的 DX晶体管3563、以及与DX晶体管连接的SX晶体管3564。光电门结构特征是简单的处理、 如4T结构一样的操作、通过PG和TG脉冲的信号电荷移位、附加信号线以及低蓝光响应。在权利要求中，任何装置加功能的条款旨在覆盖这里被描述为执行所述功能的结 构，这些结构不仅是结构等同物还是等同的结构。因此，将理解，上述内容说明本发明构思， 并不限于所公开的特定实施例，对所公开的示例实施例的修改以及其他示例实施例旨在包 含在所附权利要求的范围之内。本发明的构思由所附权利要求及其等价物来限定。本领域技术人员基于本文的教导容易想到本公开的这些和其他特征。尽管本文参 考附图描述了说明性的实施例，然而将理解，本公开不限于这些具体实施例，在不脱离本公 开的范围或精神的前提下，本领域技术人员可以实现各种其他改变和修改。所有这些改变 和修改都旨在包含于所附权利要求所限定的本公开的范围之内。^AA0 ^ a + ^ cos 0 (公式 Al)A2 ^ a - ^ cos 0(公式 A2)^ a + ^ sin 0 (公式 A3)A3 ^ a - ^ sin e(公式 A4)
(公式A5)
A0 ^ a + ^ cos 6 A2 ^ a cos 6
Aj ^ a sin 6
A3 ^ a sin 6 t
1 A- C
N
Ak= Zak,n N =
n:1
§=2兀+mt A =tan」
m 1 int
(公式A6)
A,-A
3
八
d =
表B
m 1 A C
A0- A2
(公式A7)
4兀+m
〈一
(公式A8)
N,
A
imagel D
A
he
IR source
oc
pixel
P
D
(公式Bl)
2R
'lens
QE(\)X.T
int
Popt (t) = P0+P0 sin (2 JI fffl0dt)(公式 B2)
Nel(t)=Bmp站 + Ampas_sin(2兀:LJ + )(公式b3)
'meas
lmeas
mod
权利要求
1.一种距离测量方法，包括测量多个调制相位偏移处的多个积分信号；估计分别针对多个调制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相 对于针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号，来调节所述至少一个积分信 号的接收时间；以及根据所估计的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括发射窄带电磁能量作为调制连续波；以及对表示从目标反射的电磁能量的、针对多个调制相位偏移的信号进行接收和积分。
3.根据权利要求1所述的方法，估计包括利用第二时间处的至少一个积分信号来对 第一时间处的至少一个积分信号进行内插，其中，第一时间在所述针对多个调制相位偏移 中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之前，第二时间在所述针对多个调制相位偏移 中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之后。
4.根据权利要求1所述的方法，估计包括从多个先前时间处的至少一个积分信号中 外插出当前时间处的至少一个积分信号，其中，当前时间是所述针对多个调制相位偏移中 另一调制相位偏移的积分信号的接收时间。
5.根据权利要求1所述的方法，估计包括分割第一积分信号与第二积分信号之间的 时间差，以得到中间时间；利用第三时间处的第一积分信号来对第一时间处的第一积分信 号进行内插，以得到中间时间处的第一估计积分信号，其中，第一时间在中间时间之前，第 三时间在中间时间之后；利用第四时间处的第二积分信号来对第二时间处的第二积分信号 进行内插，以得到中间时间处的第二估计积分信号，其中，第二时间在中间时间之前，第四 时间在中间时间之后。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，窄带电磁能量具有在大约850和大约950纳米之 间的波长。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，多个调制相位偏移包括四个等间隔的偏移。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，由至少一个光传感器对分别针对零度、90度、180 度和270度相位偏移的第一、第二、第三和第四信号进行接收和积分。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一个光传感器包括颜色像素和距离像 素，颜色像素被布置在第一集成电路上，距离像素被布置在第二集成电路上。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一个光传感器包括在单个集成电路上 的颜色像素和距离像素。
11.一种距离测量系统，包括窄带源，用于发射电磁能量作为调制连续波；光传感器，用于对表示从目标反射的电磁能量的、针对多个调制偏移相位的信号进行 接收和积分；以及控制单元，用于测量多个调制相位偏移处的多个积分信号，估计分别针对多个调制相 位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对多个调制相位偏移中 另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收时间，以及根据所补偿 的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述源发射窄带电磁能量，所述窄带电磁能量 具有在大约850和大约950纳米之间的波长。
13.根据权利要求11所述的系统，其中，多个调制相位偏移包括四个等间隔的偏移。
14.根据权利要求13所述的系统，其中，分别针对零度和180度相位偏移的第一和第三 信号由所述光传感器来接收和积分，分别针对90度和270度相位偏移的第二和第四信号由 第二光传感器来接收和积分。
15.根据权利要求13所述的系统，其中，分别针对零度、90度、180度和270度相位偏移 的第一、第二、第三和第四信号由所述光传感器来接收和积分。
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述光传感器包括颜色像素和距离像素，颜色 像素被布置在第一集成电路上，距离像素被布置在第二集成电路上。
17.根据权利要求15所述的系统，其中，一个光传感器包括在单个集成电路上的颜色 像素和距离像素。
18.根据权利要求11所述的系统，其中，控制单元包括用于利用第二时间处的至少一 个积分信号来对第一时间处的至少一个积分信号进行内插的估计单元，其中，第一时间在 所述针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之前，第二时间在 所述针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之后。
19.根据权利要求11所述的系统，控制单元包括用于从多个先前时间处的至少一个 积分信号中外插出当前时间处的至少一个积分信号的估计单元，其中，当前时间是所述针 对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间。
20.一种距离传感器，包括光感测阵列，用于对表示从目标反射的电磁能量的、针对多个调制相位偏移的信号进 行接收和积分；以及控制单元，用于测量多个调制相位偏移处的多个积分信号，估计分别针对多个调制相 位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对多个调制相位偏移中 另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收时间，以及根据所估计 的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。
21.根据权利要求20所述的传感器，光感测阵列包括多个像素，用于顺序地获取多个 调制相位偏移处的信号采样。
22.根据权利要求20所述的传感器，光感测阵列包括第一传感器，用于顺序地获取多个第一调制相位偏移处的信号采样；第二传感器，用于顺序地获取多个第二调制相位偏移处的信号采样；其中，第一和第二调制相位偏移顺次交替。
23.根据权利要求20所述的传感器，其中，多个调制相位偏移包括四个等间隔的偏移。
24.根据权利要求23所述的传感器，其中，分别针对零度、90度、180度和270度相位偏 移的第一、第二、第三和第四信号分别由第一、第二、第三和第四光感测阵列来接收和积分。
25.根据权利要求23所述的传感器，其中，分别针对零度和180度相位偏移的第一和第 三信号由光感测阵列来接收和积分，分别针对90度和270度相位偏移的第二和第四信号由 第二光感测阵列来接收和积分。
26.根据权利要求23所述的传感器，其中，分别针对零度、90度、180度和270度相位偏移的第一、第二、第三和第四信号由光感测阵列来接收和积分。
27.根据权利要求26所述的传感器，其中，光感测阵列包括颜色像素和距离像素，颜色 像素被布置在第一集成电路上，距离像素被布置在第二集成电路上。
28.根据权利要求26所述的传感器，其中，一个光感测阵列包括在单个集成电路上的 颜色像素和距离像素。
29.根据权利要求20所述的传感器，其中，控制单元包括用于利用第二时间处的至少 一个积分信号来对第一时间处的至少一个积分信号进行内插的估计单元，其中，第一时间 在所述针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之前，第二时间 在所述针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间之后。
30.根据权利要求20所述的传感器，控制单元包括用于从多个先前时间处的至少一 个积分信号中外插出当前时间处的至少一个积分信号的估计单元，其中，当前时间是所述 针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号的接收时间。
31.根据权利要求20所述的传感器，其中，光感测阵列包括第一集成电路，用于获取针对颜色像素的信号采样；以及第二集成电路，用于获取针对距离像素的信号采样。
32.根据权利要求20所述的传感器，其中，光感测阵列包括第一集成电路，用于获取针对颜色像素和距离像素的信号采样。
全文摘要
本发明公开了调制光学飞行时间相位估计中的延迟补偿，其中公开了一种距离测量方法，包括测量多个调制相位偏移处的多个积分信号；估计分别针对多个调制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收时间；以及根据所估计的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。
文档编号G01B11/24GK102004254SQ20101027135
公开日2011年4月6日 申请日期2010年9月1日 优先权日2009年9月1日
发明者闵桐基, 陈暎究 申请人:三星电子株式会社