专利名称：可控电子负载的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种可控电子负载，具体说是电子产品测量输出电压时候，用于 测量电压的稳定性的电子负载。
背景技术：
电子产品测量输出电压时候，都需要接上可变负载来测量电压的稳定性。传统的 方式是采用手调变阻器来调节需要的负载电阻值，这种方式的优点为成本低，缺点为可 控性差，浪费时间。现阶段，可从市场上买入电子型电子负载，使用这种负载的优点为可控 好，缺点为成本高，占用体积大，不适合大规模运用。
实用新型内容本实用新型目的就是针对现有测量电子产品输出电压时所用电子负载的不足而 提供一种可控电子负载金属-氧化物-半导体晶体管(NM0S晶体管)，通过控制输入端来控 制NMOS晶体管的负载电流的大小，从而达到闭环控制。实现本实用新型目的采用的技术方案是一种可控电子负载，包括一个NMOS晶体 管、数据采样控制器和电流采样电阻，NMOS晶体管的栅极连接到数据采样控制器的输出端， NMOS晶体管的漏极连接到被测电压的接口，匪OS晶体管的源极与电流采样电阻连接，经过 放大器放大再输入到数据采样控制器的输入端。进一步的，晶体管的源极与IOhm电流采样电阻连接。进一步的，NMOS晶体管的源极与电流采样电阻连接，经过放大器放大10倍再输入 到数据采样控制器的输入端。本实用新型就是通过控制输入端来控制NMOS的晶体管负载电流的大小，从而达 到闭环控制。
图1为本实用新型的结构框图。
具体实施方式
本实施例所用的NMOS晶体管是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可 以动空穴)上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的 电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极S。然后在半导体表面覆盖一层 很薄的二氧化硅绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极作为栅极g。在衬底 上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。Vgs = 0时，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅—— 源电压Vgs = 0时，即使加上漏-源电压Vds，而且不论Vds的极性如何，总有一个PN结处 于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流Id ^ 0。[0011]Vgs > 0时，则栅极和衬底之间的Si02绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直 于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴使 栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。 吸引电子将P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。利用此特性制作可变电阻。如图1所示，一种可控电子负载，包括一个NMOS晶体 管、数据采样控制器和电流采样电阻，NMOS晶体管的栅极(g极)连接到数据采样控制器的 输出端，NMOS晶体管的漏极(d极)连接到被测电压的接口，NMOS晶体管的源极(s极)与 IOhm电流采样电阻连接，经过放大器放大大10倍再输入到数据采样控制器的输入端。利用 Vgs, Vds对Id的控制作用，可以把NMOS作为可控的电子负载。
权利要求1.一种可控电子负载，包括一个NMOS晶体管、数据采样控制器和电流采样电阻，其特 征在于NM0S晶体管的栅极连接到数据采样控制器的输出端，NMOS晶体管的漏极连接到被 测电压的接口，NMOS晶体管的源极与电流采样电阻连接，经过放大器放大再输入到数据采 样控制器的输入端。
2.根据权利要求1所述的可控电子负载，其特征在于NM0S晶体管的源极与IOhm电流 采样电阻连接。
3.根据权利要求2所述的可控电子负载，其特征在于NM0S晶体管的源极与电流采样 电阻连接，经过放大器放大10倍再输入到数据采样控制器的输入端。
专利摘要本实用新型一种可控电子负载，属于一种电子元器件，包括一个NMOS晶体管、数据采样控制器和电流采样电阻，NMOS晶体管的栅极连接到数据采样控制器的输出端，NMOS晶体管的漏极连接到被测电压的接口，NMOS晶体管的源极与电流采样电阻连接，经过放大器放大再输入到数据采样控制器的输入端。利用Vgs、Vds对Id的控制作用，把NMOS作为可控的电子负载，实现在电子产品测量输出电压时候，接上本实用新型用于测量电压的稳定性。
文档编号G01R19/00GK201886060SQ20102062564
公开日2011年6月29日 申请日期2010年11月26日 优先权日2010年11月26日
发明者单涛 申请人:单涛