专利名称：一种石英晶体传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种传感器，具体涉及一种石英晶体传感器。
背景技术：
石英晶体传感器是根据石英晶体的压电效应、压电逆效应对某些物理量和化学量 的变化，会引起其频率和Q值(即等效阻抗)发生变化的原理而制成。它因具有精度高、灵敏 度好、测量范围宽、反映迅速、数字输出等独特的优势而被广泛应用。石英晶体传感器的电极应便于施加电场和校准频率。电极材料目前较通用的有三 种金、银、铝。其中金的化学性质最稳定，导电性能最好，价格昂贵。但金与石英晶片(尤其 是抛光石英晶片)的结合最差，使用时往往在金膜与石英片之间加镀一层铬膜做过渡膜，以 增强金膜的附着力；银的化学性质居中，价格适中，导电性居中，但易氧化；铝的化学性质 相比较最活泼，质量小，与石英片附着力最好，价格最便宜，极容易氧化。现有的镀膜在化学 性质稳定与镀材价格便宜之间存在不可调谐的矛盾。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种石英晶体传感器，采用Cr/Ag/Au组合镀层，成本 低，频率稳定度高。为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案一种石英晶体传感器，包括石英晶片，其中，所述石英晶片表面镀铬膜层，所述铬 膜层表面镀银膜层，所述银膜层表面镀金膜层。进一步，所述铬膜层厚度为0. 15 士0. 015kA。进一步，所述银膜层厚度为1. 5 士0. 15kA。进一步，所述金膜层厚度为0. 85 士0. 085kA。本实用新型的有益效果为在石英晶体传感器的制造工艺中镀膜是一个非常关键的工序。镀膜的作用一方面 在于在洁净的石英晶片表面被上电极，使石英晶片可以振荡，另一方面由于石英传感器的 频率与厚度成反比，镀膜及膜的厚度可以对石英晶体的频率进行微调。石英晶体真空镀膜 的原理是在真空中加热金属，当它们在蒸气压达10_2mmHg时，这些金属被蒸发。由于真空 中气体分子很少，蒸发的金属分子以很大的能量直线向空间飞溅，就在石英晶片表面沉积 上一层很薄的金属膜。如果在蒸发前在石英晶片表面加上一定形状的掩膜板，就形成各种 形状的电极。本实用新型采用Cr/Ag/Au组合镀层，比Cr/Au镀层使用的Au少，在铬层与金层之 间设置银层，生产成本降低，且化学性质稳定，频率稳定度高。本实用新型的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐 述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或 者可以从本实用新型的实践中得到教导。本实用新型的目标和其他优点可以通过下面的说
3明书或者附图中所特别指出的结构来实现和获得。
图1为本实用新型的剖面示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例并结合附图对本实用新型做进一步的详细描述如图1所示，本实用新型包括石英晶片4，石英晶片4表面镀铬膜层3，铬膜层3表 面镀银层2，银膜层2表面镀金膜层1。铬膜层3厚度为0. 15 士0. 015kA ；银膜层2厚度为 1. 5 士0. 15kA ；金膜层 1 厚度为 0. 85 士0. 085kA。以频率为6MHz石英晶片为例，利用真空蒸发镀膜技术先在6MHz石英晶片上镀 0. 15kA厚的Cr膜层，再在Cr膜层之上镀1. 5 kA Ag膜层，最后再镀0. 85 kA Au膜层，Q 均值360k，比Cr/Au镀层的传感器(Q均值200k)的阻值小，Q值高，Q值越高代表频率稳定 度越高。与传统Cr(0. 15kA)/Au (1.7 kA)镀层相比，大大减少了 Au的使用量而降低了成 本，同时由于电极表面镀层是Au，所以这种Cr/Ag/Au电极层的化学性质是稳定的。最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，本领域 普通技术人员对本实用新型的技术方案所做的其他修改或者等同替换，只要不脱离本实用 新型技术方案的精神和范围，均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
权利要求1.一种石英晶体传感器，包括石英晶片(4)，其特征在于所述石英晶片(4)表面镀铬 膜层(3 )，所述铬膜层(3 )表面镀银膜层(2 )，所述银膜层(2 )表面镀金膜层(1)。
2.根据权利要求1所述的一种石英晶体传感器，其特征在于所述铬膜层(3)厚度为0.15 士 0. 015kAo
3.根据权利要求1所述的一种石英晶体传感器，其特征在于所述银膜层(2)厚度为1.5 士 0. 15kA0
4.根据权利要求1所述的一种石英晶体传感器，其特征在于所述金膜层(1)厚度为 0. 85 士 0. 085kA。
专利摘要本实用新型公开了一种石英晶体传感器，包括石英晶片，其中，所述石英晶片表面镀铬膜层，所述铬膜层表面镀银膜层，所述银膜层表面镀金膜层。本实用新型采用Cr/Ag/Au组合镀层，比Cr/Au镀层使用的Au少，在铬层与金层之间设置银层，生产成本降低，且化学性质稳定，频率稳定度高。
文档编号G01D5/12GK201897481SQ201020648020
公开日2011年7月13日 申请日期2010年12月8日 优先权日2010年12月8日
发明者张基武, 谢绍娟 申请人:郑州原创电子科技有限公司