插式晶体传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶体传感器，具体涉及插式晶体传感器。
【背景技术】
[0002]石英晶体传感器的发展始于上世纪60年代初期，它是一种非常灵敏的质量检测仪器，其测量精度可达纳克级，比灵敏度在微克级的电子微天平高100倍，理论上可以测到的质量变化相当于单分子层或原子层的几分之一。石英晶体微天平利用了石英晶体谐振器的压电特性，将石英晶振电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化，进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。现有的石英晶体微天平传感器都是按照设计要求焊接在其他部件上，且结构比较复杂，灵敏性低，稳定性差，且不耐腐蚀。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术存在的问题，提供一种插式晶体传感器，解决现有的石英晶体传感器都是按照设计要求焊接在其他部件上，可以适应不同尺寸的压电晶体片，且结构比较复杂，灵敏性低，稳定性差，且不耐腐蚀的问题。
[0004]本实用新型的通过下述技术方案实现:
[0005]插式晶体传感器，包括传感器壳体，传感器壳体的顶面设置有第一盲孔，传感器壳体的侧面设置有第二盲孔，传感器壳体内部设置有第一电极导线和第二电极导线，第一电极导线的左端和第二电极导线的左端均延伸到第二盲孔内，在第二盲孔内插入有电信号接头，电信号接头均与第一电极导线的左端和第二电极导线的左端连接，第一电极导线的右端连接有第一导线尾部，第二电极导线的右端连接有第二导线尾部，第一导线尾部和第二导线尾部均延伸到第一盲孔内，在第一盲孔内从上至下依次设置上电极盘，压电晶体片、下电极盘，上电极盘与第一导线尾部接触，下电极盘与第二导线尾部接触，还包括设置在盲孔上方的封闭盖板、封闭盖板面向上电极盘的一面设置有顶压块。
[0006]压电晶体片的一般常用频率为5ΜΗζ、7ΜΗζ、9ΜΗζ、1MHz等，也可以根据用户使用要求进行设计(3—30MHz)，由于频率与压电晶体片的厚度有关，当更换压不同频率的压电晶体片时，因此，需要设计一种能适应不同厚度压电晶体片的结构来适应这种需求，上述结构中，米用盲孔结构来适应这种变化，先在第一盲孔底部设置下电极盘，然后在第一盲孔内插入压电晶体片，再在压电晶体片上放置上电极盘，最后采用封闭盖板封闭盲孔，而封闭盖板采用顶压块插入到第一盲孔内与上电极盘接触，当我们更换一个薄的压电晶体片时，我们可以设置一个更厚的上电极盘，来适应这种厚度的变化，或者调整封闭盖板的高度来适应这种变化，这样就可以在第一盲孔内设置不同厚度的压电晶体片，而传统结构都采用2个对称的PCB板，2个PCB板之间的间隙是固定的，因此无法适应不同厚度的压电晶体片。
[0007]顶压块与上电极盘为圆柱体，且顶压块面向上电极盘的一面的面积大于或等于上电极盘上端面的2/3。
[0008]所述压电晶体片包括晶体片本体、设置在晶体片本体两侧的中间电极，中间电极与晶体片本体之间设置有过渡电极，位于晶体片本体上方的中间电极与上电极盘接触，位于晶体片本体下方的中间电极与下电极盘接触。
[0009]晶体片本体为AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。
[0010]所述晶体片本体表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翘曲度小于或等于8μπι。
[0011]中间电极为金或银或铝制成的电极。
[0012]过渡电极为铬或钛制成的过渡电极。
[0013]本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果:使用方便，即插即用，免焊接，设计巧妙、简单，灵敏度高，稳定性好，耐腐蚀，其中用LGS晶体片制作的传感器可以实现500°C以上的高温应用，可以适应不同厚度的压电晶体片。
【附图说明】
[0014]此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中:
[0015]图1为本实用新型结构不意图。
[0016]附图中标记及相应的零部件名称:
[0017]1、电信号接头;2、传感器壳体;3、第一电极导线;4、第二电极导线；5、第一导线尾部;6、第二导线尾部;7、封闭盖板;8、上电极盘;9、晶体片本体;10、过渡电极；11、中间电极；12、下电极盘。
【具体实施方式】
[0018]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。
实施例
[0019]如图1所示，插式晶体传感器，包括传感器壳体2，传感器壳体2的顶面设置有第一盲孔，传感器壳体的侧面设置有第二盲孔，传感器壳体内部设置有第一电极导线3和第二电极导线4，第一电极导线3的左端和第二电极导线4的左端均延伸到第二盲孔内，在第二盲孔内插入有电信号接头I，电信号接头均与第一电极导线3的左端和第二电极导线4的左端连接，第一电极导线3的右端连接有第一导线尾部5，第二电极导线4的右端连接有第二导线尾部6，第一导线尾部5和第二导线尾部6均延伸到第一盲孔内，在第一盲孔内从上至下依次设置上电极盘8，压电晶体片、下电极盘12，上电极盘8与第一导线尾部5接触，下电极盘12与第二导线尾部6接触，还包括设置在盲孔上方的封闭盖板7、封闭盖板面向上电极盘的一面设置有顶压块。
[0020]压电晶体片的一般常用频率为5ΜΗζ、7ΜΗζ、9ΜΗζ、1MHz等，也可以根据用户使用要求进行设计(3—30MHz)，由于频率与压电晶体片的厚度有关，当更换压不同频率的压电晶体片时，因此，需要设计一种能适应不同厚度压电晶体片的结构来适应这种需求，上述结构中，米用盲孔结构来适应这种变化，先在第一盲孔底部设置下电极盘，然后在第一盲孔内插入压电晶体片，再在压电晶体片上放置上电极盘，最后采用封闭盖板封闭盲孔，而封闭盖板采用顶压块插入到第一盲孔内与上电极盘接触，当我们更换一个薄的压电晶体片时，我们可以设置一个更厚的上电极盘，来适应这种厚度的变化，或者调整封闭盖板的高度来适应这种变化，这样就可以在第一盲孔内设置不同厚度的压电晶体片，而传统结构都采用2个对称的PCB板，2个PCB板之间的间隙是固定的，因此无法适应不同厚度的压电晶体片。
[0021]顶压块与上电极盘为圆柱体，且顶压块面向上电极盘的一面的面积大于或等于上电极盘上端面的2/3。
[0022]所述压电晶体片包括晶体片本体9、设置在晶体片本体两侧的中间电极11，中间电极11与晶体片本体之间设置有过渡电极1，位于晶体片本体上方的中间电极11与上电极盘接触，位于晶体片本体下方的中间电极11与下电极盘接触。
[0023]晶体片本体为AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。
[0024]所述晶体片本体表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翘曲度小于或等于8μπι。
[0025]中间电极为金或银或铝制成的电极。
[0026]过渡电极为络或钛制成的过渡电极。
[0027]本实施例中，如图1所示，为了提高传感器的灵敏度和稳定性，晶体片本体的表面均经过严格的抛光处理，当粗糙度Ra < 0.4nm,翘曲度warp < 8μηι时，灵敏度和稳定性效果最好。晶体片本体的一般常用频率为5MHz、7MHz、9MHz、1MHz等，也可以根据用户使用要求进tx设计(3一3OMHz)。
[0028]晶体片本体的正反面分别依次设有过渡电极和中间电极。过渡电极采用铬、钛等金属制成，过渡电极的主要作用是增强电极的附着力，因为抛光后的晶片表面附着力很弱。电极可以采用金、银、铝等金属制成。
[0029]以上所述的【具体实施方式】，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的【具体实施方式】而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.插式晶体传感器，其特征在于，包括传感器壳体(2)，传感器壳体(2)的顶面设置有第一盲孔，传感器壳体的侧面设置有第二盲孔，传感器壳体内部设置有第一电极导线(3)和第二电极导线(4)，第一电极导线(3)的左端和第二电极导线(4)的左端均延伸到第二盲孔内，在第二盲孔内插入有电信号接头(1)，电信号接头均与第一电极导线(3)的左端和第二电极导线(4)的左端连接，第一电极导线(3)的右端连接有第一导线尾部(5)，第二电极导线(4)的右端连接有第二导线尾部(6)，第一导线尾部(5)和第二导线尾部(6)均延伸到第一盲孔内，在第一盲孔内从上至下依次设置上电极盘(8)，压电晶体片、下电极盘(12)，上电极盘(8)与第一导线尾部(5)接触，下电极盘(12)与第二导线尾部(6)接触，还包括设置在盲孔上方的封闭盖板(7)、封闭盖板面向上电极盘的一面设置有顶压块。2.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，顶压块与上电极盘为圆柱体，且顶压块面向上电极盘的一面的面积大于或等于上电极盘上端面的2/3。3.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，所述压电晶体片包括晶体片本体(9)、设置在晶体片本体两侧的中间电极(11)，中间电极(11)与晶体片本体之间设置有过渡电极(1 )，位于晶体片本体上方的中间电极(11)与上电极盘接触，位于晶体片本体下方的中间电极(11)与下电极盘接触。4.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，晶体片本体为AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。5.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，所述晶体片本体表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翘曲度小于或等于8μηι。6.根据权利要求3所述的插式晶体传感器，其特征在于，中间电极为金或银或铝制成的电极。7.根据权利要求3所述的插式晶体传感器，其特征在于，过渡电极为铬或钛制成的过渡电极。
【专利摘要】本实用新型公开了插式晶体传感器，包括传感器壳体，传感器壳体的顶面设置有第一盲孔，传感器壳体的侧面设置有第二盲孔，传感器壳体内部设置有第一电极导线和第二电极导线，第一电极导线的左端和第二电极导线的左端均延伸到第二盲孔内，在第二盲孔内插入有电信号接头，电信号接头均与第一电极导线的左端和第二电极导线的左端连接，第一电极导线的右端连接有第一导线尾部，第二电极导线的右端连接有第二导线尾部，第一导线尾部和第二导线尾部均延伸到第一盲孔内，在第一盲孔内从上至下依次设置上电极盘，压电晶体片、下电极盘，上电极盘与第一导线尾部接触，下电极盘与第二导线尾部接触，封闭盖板面向上电极盘的一面设置有顶压块。
【IPC分类】G01G3/13, G01G3/16
【公开号】CN205228601
【申请号】CN201521092736
【发明人】王显波, 王天雄, 周禄雄, 饶绍兵
【申请人】四川省三台水晶电子有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月25日