专利名称：高磁场兼容介入针和集成的针跟踪系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于介入高磁场的装置及其制造方法。特别是，本发明涉及可用于MRI 系统中的介入针，其中，针在MRI图像中是可跟踪的。
背景技术：
为了正确诊断各种癌症疾病，经由内窥镜的内腔或经由针或经由导管进行活组织检查。为了找到进行活组织检查的正确的位置，使用各种成像形式，诸如X射线、CT、磁共振成像(MRI)和超声。虽然有用，但是这些引导方法远不是最佳的。诸如利用针进行活组织检查的介入处置越来越多地在MRI引导下进行。这对针材料的有强的要求。需要与高磁场兼容的针，高磁场诸如为3T。这里，诸如Ti和Ti合金的应用于MR兼容系统的常规材料正在达到它们的极限。随着高达3T的增大的磁场，这些针能够在处置期间显示出由涡流引起的局部热并且因此不适合。为了实现高磁场兼容针，现今研究了用于针的新技术。这包括基于例如塑料的纯有机材料的针和具有陶瓷尖端的塑料针。塑料针比金属针更具柔性并且使得针的定位困难。此外，塑料针不具有锐利的尖端，这对于介入处置不是最佳的。直接与活组织检查相关的另外的问题是成像系统的分辨率，该分辨率受到限制， 并且此外，这些成像形式在多数情况下不能区别正常组织和瘤组织并进一步在良性和恶性组织之间进行区分。作为其结果，是否取得了合适的组织样本存在高的不确定性水平。除此之外，活组织检查经常是盲目地进行，对针相对于目标肿瘤的位置具有有限的反馈，这导致了针是否找到(hit) 了病变的附加的不确定性。清楚地，需要引导改进以将活检针指向组织中的正确的位置。进一步的限制是即使人们能够将活检针引导至与预记录的图像对应的确切位置， 归因于组织的可压缩性，人们也绝不能确信这是确切的位置。归因于活检针在前进期间作用于组织上的力，组织可以变得变形。如果取得的样本看是患癌的，则在多数情况下，将通过外科手术去除此患癌的组织(特别是当肿瘤被良好定位时)，或使用RF、微波或冷冻消融经皮地治疗此患癌的组织。此外科手术方法被外科医生典型地仅使用他们的眼镜和手(触诊)来发现肿瘤并依赖于预记录的图像的信息搞混淆。这些预计录的图像提供关于肿瘤的位置的信息，但不总是清楚地示出肿瘤边界。有时，外科医生在图像引导下植入标记，给他或她提供在外科手术处置期间进行聚焦的参考点。再次，引导定位线至正确位置是困难的。活组织检查装置也可以用作用于在体内的某个位置给药或进行治疗(如消融)而不去除组织的装置，例如用于在受影响的身体部分的正确位置处注入流体。相同的缺陷适用于这些介入，其中，难以将活组织检查装置引导至正确的位置。
发明内容
本发明的目的是减轻一个或多个上述缺陷。另一目的是提供一种装置，该装置的位置可在MRI图像中精确地定位。通过各独立权利要求的主题实现了这个。另外的范例实施例描述于各从属权利要求中。通常，用于介入高磁场中的装置包括具有尖端部分的细长的杆；以及无源LC电路，位于所述尖端部分，其中，所述LC电路形成为感应器-电容器谐振器，其中，针可以以硅
工艺生产。需要注意，用于介入高磁场的装置可以是注射器的针或用于活组织检查的针，或可以是套管、套管针或导管或别的最小创伤(invasive)介入仪器或外科手术工具。例如，与高磁场兼容的针包括锐利的尖端以实现更无痛的治疗，并包括对针尖的跟踪形态，从而使得能够在MRI中跟踪针，以改善针对目标区域的定位。根据本发明的跟踪形态是无源LC电路。LC电路是不需要例如有源电路的任何配线的无源电路可以是有利的。通过MRI的磁场，无源LC电路将被激活而振荡。所述振荡将导致响应磁场，响应磁场反过来可以由MRI单元感测，使得无源LC电路并且因此装置的尖端部分在MRI图像中是可见的并且因此是可跟踪的。以此方式，方便了对装置的引导(跟踪)。可以理解，通常形成为线圈的感应器包括主轴，其中，线圈的绕组基本上围绕所述主轴延伸。根据本发明的范例实施例，LC电路的感应器的主轴的取向平行于杆的纵轴。然而， LC电路的感应器的主轴的取向也可以为杆的径向，或与杆成任何其它合适的角度。根据另一范例实施例，装置包括多个无源LC电路，其中，每个LC电路的感应器的主轴可以相对于杆以不同方向取向。这可以进一步改善装置的用以放置所述多个LC电路的部分的可视性，因为LC电路的响应磁场将聚焦于每个感应器的主轴处。根据另一实施例，LC电路的电容器形成为三维沟槽电容器。根据另一实施例，LC电路的电容器形成为平面金属-绝缘体-金属电容器，其中， 诸如铁氧体薄膜材料的具有极高的介电常数的介质作为绝缘体材料施加于电容器的金属板之间，该铁氧体薄膜材料具有诸如锆钛酸铅或钛酸钡的钙钛矿结构。即，无源LC电路包括具有高的相对电容率的介电材料。以此方式，能够实现非常小的电容器尺寸，这是将该装置安装于例如针的尖端上所需的。根据本发明的另一实施例，该装置还包括感测元件，其中，感测元件可以包括至少两根光纤，其中，所述光纤之一被配置为发射光并且所述光纤中的另一光纤被配置为接收反射回到所述光纤中的光。在集成光纤的情况下，用于处理由光纤传输的光学信息的合适的成像形态可以是反射分光术、荧光分光术、自身荧光分光术、差分路径长度分光术、拉曼分光术、光相干断层摄影、光散射分光术、或多光子荧光分光术之一。由于组织的不同分子构成，不同类型的组织的反射光谱通常不同。作为测量这些光谱的结果，将不同组织彼此相区别是可能的。可以将光信息登记到通过利用位置传感器标识的位置的无创伤成像形态(X射线、CT、MRI、超声)，即跟踪形态，获得的参考帧中预计录的图像中，参考帧反过来登记到预计录的图像的位置。根据本发明的另一方面，提供了制造如所述的装置的方法。通常，制造或生产用于介入高磁场中的装置的方法包括以下步骤形成电容器； 形成感应器，其中，所述感应器连接至所述电容器，使得提供无源LC电路；将所述LC电路固定于所述装置的所述杆的所述尖端部分，其中，所述LC电路可以实现于Si晶片之上。根据本发明的实施例，对Si晶片进行切割，使得形成所述装置的分开的尖端部分，其中，所述尖端部分集成地包括所述LC电路，其中，所述LC电路与尖端部分一起固定于所述装置的所述杆。另一方面，可以对Si晶片进行切割，使得分离单个LC电路，其中，分离的LC电路随后固定于装置的杆，并且优选地在装置的杆的尖端部分，其中，尖端部分可以制作于硅外。根据另一实施例，在硅上加工LC电路，然后将该LC电路转移到柔性基底上，并且随后将其固定于装置的杆或杆的尖端处。根据另一实施例，方法还包括提供具有例如光纤的感测元件的装置的步骤。需要注意，参照不同的主题描述了本发明的实施例。特别是，参照方法类型的权利要求描述了一些实施例，而参照装置类型的权利要求描述了另一些实施例。然而，本领域技术人员将从以上和以下描述知道，除非另外通知，除属于一种类型的主题的特征的任何组合外，涉及不同主题的特征之间的任何组合也视为以此申请进行了公开。规定本发明的以上限定的方面和其它方面、特征和优点的方面也能够从待于随后描述的实施例的范例得到并参照实施例的范例对其进行解释。以下将参照实施例的范例更详细地描述本发明，但是本发明不限于这些实施例。
以下，将通过关于附图的范例实施例来描述本发明。图1是根据本发明的第一实施例的针的示意图；图2是根据本发明的第二实施例的针的示意图；图3是根据本发明的范例LC电路的示意性显像；图4是示例制造根据本发明的针的步骤的流程图；图5是根据本发明的第三实施例的针的示意图；图6是根据本发明的第四实施例的针的示意图。附图中的示例仅是示意性的而不成比例。需要注意，在不同的附图中，类似的元件设置有相同参考符号。
具体实施例方式在图1中，示出了根据本发明的针的第一实施例。针1包括杆3、尖端部分2并设置有LC电路10，LC电路10位于尖端部分附近。LC电路10取向为使得LC电路的感应器的主轴平行于针1的杆的纵轴。为了实现用于无痛针的具有锐利的针尖端的MR兼容的针， 通过Si体切割或Si微机械加工实现Si尖端。通过例如粘合在例如塑料部分上来安装这些Si处理的尖端以实现高磁场MR兼容的针。
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这些Si针尖端也能够涂覆有例如聚对二甲苯基的生物兼容的涂层。图2示例根据本发明的针的第二实施例，其中，LC电路10位于针1的邻近针的尖端部分2的侧表面。此取向也使得能够跟踪针。如图2中示意性地示出的，处理具有尖端部分2的Si针1，该针1可以最终粘合在承载的塑料上来实现3T兼容针。在Si针上，可以集成LC谐振电路。可以利用500nm的典型的热氧化物在Si晶片的顶部加工此LC电路10。例如，在第一步中，加工电容器，其具有20_200pF的量级的电容值。使用MIM电容器实现这个，其中绝缘体具有例如1000-1700的高介电常数。利用这些高介电薄膜材料，可以在生产中在具有典型地500nm的热氧化物层的Si基底之上生产20-100nF/mm2的非常大的电容器。所以能够使用标准半导体工艺在0.2-0. 05mm2的小尺寸上实现电容器。此外， 能够使用在半导体生产现场进行的用于具有20-70nF/mm2的典型电容值的电容器的沟槽技术，其也提供0. 01-0. 2mm2的非常小的电容器。这在以上根据两个生产现场可用的技术对电容器进行了描述。对于至与电容器相邻设置的螺旋感应器的金属互连，可以使用诸如Al或Al (Cu) 的金属。为了实现具有IO-IOOnH的量级的感应值和低的串联电阻的螺旋感应器，以最大化Q因子(品质因子)，将使用通过电沉积(galvanic deposition)和/或化学沉积 (electroless exposition)沉积的厚的铜金属化层(metallization)。将通过例如溅射， 在铜生长之前沉积用作附着和电迁移防止/最小化层的氮化钛或类似材料。将利用通过溅射和/或化学镀(electroless plating)沉积的金或镍-金层涂覆厚的铜金属化层，以防止氧化。利用典型地10-20 μ m厚的Cu/Au金属层和具有3-7个金属匝的ImmX 3mm的感应器大小，获得了品质因子为20-30的IO-SOnH的感应器。利用此LC，在Si晶片之上实现了集成谐振电路。在下一步中，对这些晶片进行切割(dice)。一个装置被切割出，其能够实现针的形式，使得获得尖锐的Si针，能够以低的疼痛使该针进入组织。替代地，也能够在针被从晶片切割出之前以体微机械步骤实现这些成型的边缘。需要注意的是，在从背面湿法刻蚀晶片的情况下，针的斜面将向上指向(与图2中的向下指向的斜面相反)。为了确保针总是可设置在MRI图像内，需要与第一 LC电路(其形成针尖)正交地安装第二该线圈-电容器组合。使用先前描述的方法将第二 LC谐振器制造于Si上。第二 LC谐振器的支撑Si基底机械地和/或化学地减薄并附着至3T兼容塑料杆的侧面(正交于谐振器+针)，塑料杆的末端支撑Si针尖端。替代地，在针尖端附近实现了 LC电路的串联。这能够是Si针尖端，以实现非常尖锐的边缘，但是其也能够是塑料针尖端或陶瓷针尖端。这里，能够在具有数百nm的热氧化物层的Si基底之上实现LC电路。在处理电路后，可以在LC电路上施加例如聚酰亚胺或聚对二甲苯(parylene)的涂层，并且该基底可以转移至玻璃基底。Si被背面碾磨(grind)并最终通过湿法或干法合适被完全刻蚀掉，停止在Si02层上。然后从玻璃基底去除电路，使得剩下聚酰亚胺或聚对二甲苯箔上的柔性LC电路。 在分离LC电路后，箔胶合于诸如塑料针或陶瓷针的针尖端上。图3示出了集成到硅片410中的可能的感应器-电容器谐振器。在较上部分，图3示出了感应器的绕组的顶视图。在较下部分，图3示出了位于感应器“以下”的电容器的元件截面图。感应器绕组形成于金属480中，如果该金属仅由AlSiCu构成，则其应当为数个微米厚以获得低损耗，或者替代地，该金属能够是顶上镀覆有CuNiAu或NiAu薄层。感应器绕组的末端连接至三维‘沟槽’电容器的内部导体440(掺磷多晶硅)和外部导体420(掺磷硅)，通过该电容器，绝缘氧化硅450、460和氮化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)层430 填充有金属470仏13比11)。为了实现较高的电容密度，具有氧化硅/氮化硅绝缘体的许多掺杂的多晶硅导体能够层叠于刻蚀到硅晶片的厚度中的沟槽里面。多重薄层并且替代地，较高介电常数的材料，例如氧化铪，能够用于介电层。使用原子层沉积技术代替(等离子体增强)化学气相沉积，能够实现该薄层的生长。为了最大化感应器的品质因子，优选地，应当使用高电阻率的硅基底来最小化硅中的损耗。为了进一步减小这些损耗，不必形成三维“沟槽”电容器的硅晶片的其余区域不接收磷掺杂并且替代地接收氩注入以在硅晶片和第一(薄)氧化硅层450之间的界面处产生表面损伤层。这用于产生用于电荷(电子，假定P型硅)的陷阱，电荷否则将被吸引至二氧化硅层里面得到的固定正电荷。作为对氩注入的替代，非晶硅的薄层也能够满足需求。如果需要将其它无源部件集成到硅尖端上，例如用于功率耗散以加热尖端，则掺杂的多晶硅也能够用于实现电阻器。替代沟槽电容器，也能够施加具有高介电常数的平面金属-绝缘体-金属电容器以在小区域上集成所需的大的电容值。为了在具有数百至数千的介电常数的小尺寸材料上实现大电容，在钙钛矿晶格中施加晶化。在另一实施例中，在具有氧化硅层的Si之上加工LC电路，并且该LC电路直接加工于针尖端部分上。在另一范例实施例中，也能够利用调谐电容器实现这些LC电路。由诸如钛酸钡或钛酸锶钡或锆钛酸铅的铁电材料构成的金属-绝缘体-金属电容器的特别特征是它们显示出高的介电常数并且从而显示出大的电容密度，但是介电常数并且从而电容随施加的dc 场而发生值改变。施加dc电压至电容，从而能够调谐电容。以此方式，也能够调谐LC电路的谐振频率。所以对于在Si之上实现的利用基于铁电薄膜材料的金属绝缘体金属电容器的LC 电路，能够控制在诸如针的装置上进行MR成像期间获得的强烈的局部信号增强。沿金属或多晶硅电阻器互连将dc电压施加至电容器移位调谐的LC电路的谐振频率并导致MR图像中无信号增强。归因于局部信号增强，这能够极好地用于MR中跟踪装置。使用利用MR中的跟踪的装置实现该目标，能够通过借助于对电容器进行调谐以移位LC电路的谐振频率来减小包括LC电路的装置的增强的信号用于进一步研究。替代地，能够在具有集成电容器和感应器的硅基底中制造一对背靠背连接的PIN 二极管。如 Sun 等(Sun C K, Nguyen R,Albares D J, Chang C T (1997) ,"Photo-injection back-to-back PIN switch for RF control". Electronics Letters, 1997年8 月第 28 其月， Vol 33，No 18,1579-1580)和 Jacobs 等(Jacobs E W,Fogliatti D W,Nguyen H,Albares D J,Chang C T,Sun C K(2002),“Photo-Injection p-i-n Diode Switch for High-Power RF Switching，，，IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol 50(2),413-419)描述的，这些能够用于形成高品质(高RF绝缘和低“开通”电阻因此限制了对谐振电路的品质因子的负面影响)、无需电DC偏置电流的光操作的(光注入的)开关。通过将光纤联接至支承PIN 二极管开关和LC谐振器的针尖端，能够将合适波长和强度的光直接引导至PIN 二极管开关的光敏区，使得能够无需导线或直接电连接来致动该 PIN 二极管开关。PIN 二极管开关能够用于改变LC电路的谐振频率，通过将附加电容器连接至感应器或将附加电容器与感应器断开以将谐振频率朝MRI机器的操作频率移动或从该操作频率移动开，LC电路用于MRI图像中的信号增强。替代地，PIN 二极管开关能够用于将MIM或3D沟槽电容器连接至感应器/将MIM 或3D沟槽电容器从感应器断开，该感应器用于形成用于MR图像中的信号增强的谐振电路。 在“关断”(无照明)状态中，PIN 二极管仅提供非常小的电容，因此LC谐振频率将比MR信号增强所需的要高。当PIN 二极管被照明时，其将用作与3D沟槽或MIM电容器串联的小电阻，引起LC品质因子并且因此信号增强效应的小的下降，然而，信号增强，因此针跟踪将是可能的。使用PIN二极管开关将使得信号增强能够在处置期间如所期望地开通或关闭—— 开通以定位针，而关闭以使得能够对围绕组织精确地成像。作为对PIN二极管使用的替代， 能够在硅晶片上制造光致动的MOS (金属氧化物半导体)电容器，并且用该电容器代替3D 沟槽或平面MIM电容器来形成LC谐振电路。通过利用合适波长和强度的光(沿光纤向下引导至针)照明MOS电容器的表面，能够修改LC电路的电容值并且因此修改LC电路的谐振频率。图4是示出生产根据本发明的针的方法的步骤的流程图。应当理解，关于方法描述的步骤是主要步骤，其中，这些主要步骤可以区分为或分成数个子步骤。此外，在这些主要步骤之间也可以存在子步骤。因此，仅提到子步骤，如果所述步骤对理解根据本发明的方法的原理是重要的话。以上已经关于如图3中所示的LC电路的结构描述了方法的方面。生产用于介入根据本发明的高磁场中的装置的方法总体包括以下步骤。在步骤Sl中，形成例如沟槽电容器或平面金属-绝缘体-金属电容器的电容器。在步骤S2中，形成感应器，其中，感应器，即感应器的线圈的绕组的末端连接至电容器，以提供无源LC电路。优选地，执行步骤Sl和步骤S2，使得在Si晶片之上面实现LC电路，该Si晶片可以包括氧化硅层。替代地，在Si晶片上生产具有集成地实现的LC电路的分开的尖端部分。在步骤S3中，切割Si晶片。在步骤S4中，给装置设置例如光纤的感测元件，该步骤是可选步骤，并且可以被省略。最终，在步骤S5中，LC电路固定于装置的杆的尖端部分。在LC电路与装置的尖端部分集成地形成的情况下，具有LC电路的尖端部分将固定于装置的杆处。图5中描绘根据描述的方法的由步骤Sl至S5 (包括步骤S4)实现的范例实施例。 根据本发明的第三实施例的针1包括MRI兼容的感测元件20，该元件使得能够测量针前面的组织参数。例如，将光纤集成到针中将容许区分组织。光纤是MRI兼容的。至少一根光纤耦合至光源以照明针前面的组织，同时至少一根光纤耦合至测量回到光纤中的反射光的光谱分布的分光计。光谱的测得的形状是针前面的组织的特征(signature)并且能够用于探测例如异常组织。在癌症探测的情况下，这将是有价值的。优选地，光纤设置于杆中，使得光纤的各端设置在装置的尖端部分中。换句话说， 光纤中的一些可以在装置的前表面结束，和/或光纤中的一些可以在装置的测表面或壁表面处的前表面附近结束。此外，一些光纤末端在活组织检查(biopsy)装置获得的活组织检查(biopt)的方向上取向，并且一些其它光纤末端在装置的前面或侧面的方向上取向，用于在活组织检查之前进行光学精细引导。包括具有光纤的针的系统将还包括以下装置。至少一根光纤耦合至光源并且用于激发装置的杆尖端前面的组织。散射并发射的光的部分由另一光纤收集并引导至包括摄谱仪和CCD相机的探测器，其中，记录例如自身荧光或拉曼光谱。一旦检查了光谱，则可以决定进行活组织检查，或在光谱中未发现异常时，将杆进一步移动至另一位置。通过将光纤集成到装置中，在活组织检查装置的尖端的光纤的远端的尖端的光学探查变得可能。于是能够在联接至光纤的近端的控制台处进行该分析。值得注意的是，此实施例容许对围绕针的组织的散射和吸收性质进行二维成像， 横向分辨率等于光纤-光纤的距离的分辨率。此外，对每根光纤执行光相干扫描也是可能的，光相干扫描对每根光纤沿线进行深度扫描。组合这些线，重建针附近的组织的三维图像，再次使横向分辨率等于光纤-光纤距离的分辨率。此实施例的另一变形是荧光成像和/或分光测量的实施。在此情况下，源和光纤用作激发光纤，因此激发荧光分子并激发收集光纤来收集由分子发射的荧光。最终，在针尖附近执行漫射光学层析成像(DOT)也是可能的。这容许在针尖附近相对大的体积中进行功能成像，类似于在光学乳房X线照相术中所做的那样。在此实施例中，一根或多根光纤用于(顺序地)照明组织。一根或多根其它光纤用于收集散射光。使用图像重建算法，获得针附近的区域中的光学性质的3D构图是可能的。与其它光学方法相比，DOT的主要优点是高的穿透深度约源探测器距离的一半。用于DOT的最有利的波长区域是近红外(NIR)。这里，穿透深度最大，并且光学性质由例如血液含量和氧饱和的重要生理参数强有力地确定。通过在不同波长组合D0T，将光学参数变换为生理参数是可能的。图6示例根据本发明的针的第四实施例，其中，多个LC电路10设置在针1的杆3 的侧表面，邻近针的尖端部分2，其中，LC电路的感应器在不同方向上取向，这使得能够更好地跟踪针，因为至少一个LC电路取向为使得MRI系统将识别其谐振磁场。上述成像方法能够依赖于研究的组织的直接吸收和散射性质，然而，通过以合适波长照明并且同时阻挡探测器侧的照明波长，对组织的荧光进行构图也是可能的。荧光能够是内生的，或是外生的，即借助于对比剂。通过诸如荧光寿命成像的本领域的公知方法能够改善荧光探测的特异性。虽然在附图和前述描述中详细示例和描述了本发明，但是该示例和描述应当视为示例性或示范性的，而不是限制性的；本发明不限于公开的实施例。根据对附图、说明书、以及所附权利要求的研究，本领域技术人员在实践所声称的发明时，能够理解并实现对公开的实施例的其它变形。在权利要求中，词语“包括”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一”不排除多个。某些措施记载于相互不同的从属权利要求中的纯粹事实不表示不能有利地利用这些措施的组合。权利要求中的任何参考符号不应视为限制范围。
参考符号列表1装置、针2尖端部分3杆10LC 电路20感测元件(例如，光纤)410硅420掺磷硅(电容器的一极)430氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层(电容器的极之间的绝缘)440掺磷多晶硅(电容器的另一极)450、460 二氧化硅470金属 1 (AlSiCu)480金属 2 (AlSiCu)(感应器)
权利要求
1.一种用于介入高磁场中的装置(1)，所述装置包括具有尖端部分O)的细长的杆(3)，以及无源LC电路(10)，位于所述尖端部分，其中，所述LC电路形成为感应器-电容器谐振ο
2.如权利要求1所述的装置(1)，其中，所述LC电路(10)的感应器(480)的主轴的取向平行于所述杆(3)的纵轴。
3.如权利要求1所述的装置(1)，其中，所述LC电路(10)的感应器(480)的主轴的取向为所述杆(3)的径向。
4.如权利要求1所述的装置(1)，其中，所述装置包括多个无源LC电路(10)。
5.如权利要求4所述的装置(1)，其中，每个LC电路(10)的感应器(480)包括主轴， 其中，所述主轴相对于杆C3)沿不同方向取向。
6.如权利要求1所述的装置(1)，其中，所述LC电路的电容器形成为三维沟槽电容器 (420,430,440)。
7.如权利要求1所述的装置(1)，还包括感测元件00)。
8.如权利要求7所述的装置(1)，其中，所述感测元件00)包括至少两根光纤，其中， 所述光纤之一被配置为发射光并且所述光纤中的另一光纤被配置为接收反射回到所述光纤中的光。
9.如权利要求1所述的装置(1)，其中，所述装置是介入针或导管。
10.一种制造如权利要求1至9中的任一项所述的用于介入高磁场中的装置的方法，所述方法包括以下步骤-形成电容器(420，430，440)，-形成感应器G80)，其中，所述感应器连接至所述电容器，使得提供无源LC电路，-将所述LC电路固定于所述装置的所述杆(3)的所述尖端部分O)。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述LC电路实现于Si晶片之上。
12.如权利要求11所述的方法，还包括对所述Si晶片进行切割的步骤。
13.如权利要求12所述的方法，其中，对所述Si晶片进行切割，使得形成所述装置的分开的尖端部分O)，其中，所述尖端部分集成地包括所述LC电路(10)，其中，所述LC电路与所述尖端部分一起固定于所述装置的所述杆(3)。
14.如权利要求12所述的方法，其中，对所述Si晶片进行切割，使得分离所述LC电路， 其中，所分离的LC电路固定于所述装置(1)的所述杆(3)。
15.如权利要求10所述的方法，还包括给所述装置提供感测元件00)的步骤。
全文摘要
一种用于介入MRI的细长的装置(例如导管)具有连接至其远尖端部分用于位置跟踪的一个或多个无源LC电路(无线标记)。LC电路包括感应器绕组(480)和三维“沟槽”电容器(420-440)并集成于硅片(410)中。光纤可以包括于装置中用于对围绕远尖端部分的组织进行光学探查。
文档编号G01R33/28GK102405417SQ201080017257
公开日2012年4月4日 申请日期2010年4月13日 优先权日2009年4月20日
发明者A·温克尔, B·H·W·亨德里克斯, J·B·米尔斯, M·克莱, R·德克尔 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司