技术总结
一种集成磁阻装置,其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a),该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式,使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向,以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。
技术研发人员:D·帕西;M·莫雷利;C·里瓦
受保护的技术使用者:意法半导体股份有限公司
文档号码:201180059749
技术研发日:2011.12.23
技术公布日:2017.04.26