光学测量装置和光学测量微芯片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了光学测量装置和光学测量微芯片。其中，该光学测量装置包括控制单元，该控制单元基于检测光量校准区域的光学信息补偿在微芯片的反应区域中生成的检测光。
【专利说明】光学测量装置和光学测量微芯片
【技术领域】
[0001 ] 本技术涉及光学测量装置和光学测量微芯片。
【背景技术】
[0002]近几年，对于基因分析、蛋白质分析、细胞分析等领域的技术研究已在诸如医学领域、药物开发领域、临床分析领域、食品领域、农业领域以及工业领域的各种领域中取得了发展。最近，片上实验室的技术开发和实际应用已经取得了进展，在所述片上实验室中，各种反应(诸如核酸、蛋白质、细胞等的检测和分析)在设置在芯片中的微尺寸的流道或阱中被执行。这作为容易测量生物分子等的技术，已经引起了人们的关注。
[0003]在这种情况下，例如，通常使用利用由PCR方法进行的核酸扩增反应的方法，以检测和测量甚至微量的样本，其中，通过所述PCR方法DNA片段被扩增数十万倍。
[0004]此外，已经研发了使用具有多个阱的微板通过光吸收、荧光或者发光检测和测量多个样本的光学分析装置，即便所述样本只包括少量的目标物质。
[0005]近几年，发光二极管(LED)或者半导体激光器代替钨-卤素灯或者放电管被用作光源的光学分析装置已变成主流。
[0006]并且，已知一种包括照射机构的吸光计，所述照射机构利用来自发光二极管的光直接地照射样本(例如，参见日本专利公开第9-264845号)。其中的第二实施方式被配置为包括多个LED以及分别与LED配对的多个光检测器，对应于对象的多个测量位置的矩阵排列。
[0007]此外，存在照射光通过光学系统移动的光束扫描法，以及承载样本的台移动的分级扫描方法。此外，已知一种测量具有用于核酸扩增的反应区的盒中的样本的扫描检测器，其中，柱状结构被使用并与光源和检测单元一起结合于机械装置(例如，参见国际性专利申请第2009-515162号的国际公开)。
【发明内容】
[0008]在本技术中，期望提供表现出良好的检测精度的光学测量装置以及允许良好的检测精度的光学测量微芯片。
[0009]根据本技术的实施方式，提供了一种光学测量装置，包括控制单元，基于来自检测光量校准区域的光学信息，补偿从微芯片中的反应区域生成的检测光。检测光量校准区域可设置在微芯片的外部和/或内部。
[0010]根据本技术的实施方式，提供了一种光学测量微芯片。形成具有ID区域的粘合层。ID区域可包括化验信息和/或芯片信息。
[0011]根据本技术，可以提供表现出良好的检测精度的光学测量装置以及允许良好的检测精度的光学测量微芯片。
【专利附图】
【附图说明】[0012]图1是示出根据本技术第一实施方式的光学测量装置I的示图；
[0013]图2是示出根据本技术实施方式的光学测量装置I的检测光学系统7的示意图；
[0014]图3是示出检测光学系统的位置与反应区域4的信号量(检测光)之间的关系的示图；
[0015]图4是示出从物镜到反应区域的距离和反应区域4的信号量(检测光)之间的关系的示图；
[0016]图5是示出根据本技术实施方式的光学测量装置I的可移动检测光学系统7的异常状态的实例的示图；
[0017]图6是示出在可移动检测光学系统7处于异常状态时，可移动检测光学系统的位置与反应区域4的信号量(检测光)之间的关系的实例的示图；
[0018]图7是示出检测光学系统的位置与用于检测光量校准区域2和反应区域4的信号量(检测光)之间的关系的示图；
[0019]图8是示出在可移动检测光学系统7处于异常状态时，可移动检测光学系统7的位置和检测光量校准区域2和反应区域4的信号量之间的关系的实例的示图；
[0020]图9的A是示出根据本技术第二实施方式的光学测量装置I的示图；
[0021]图9的B是示出检测光学系统的位置与检测光量校准区域2的信号量(检测光)之间的关系的不图；
[0022]图10的A和图10的B是示出根据本技术的实施方式具有ID区域33的微芯片的实例的示图，其中，图10的A示出了多个ID区域33可用作检测光量校准区域2的实例；
[0023]图11是示出根据本技术的实施方式的微芯片的示图，所述微芯片具有由有或无粘合层(通过粘合剂331和间隔332)形成的ID区域33 ；
[0024]图12是示出根据本技术实施方式的光学测量装置和具有ID区域33的微芯片的示图，其为在可移动检测光学系统7的情况下检测光学系统的位置和ID区域33和反应区域4的信号量(检测光)之间的关系的实例；以及
[0025]图13是示出根据本技术实施方式基于包含在的微芯片的ID区域33内的化验信息和/或芯片信息的光学测量装置的特性的流程图。
【具体实施方式】
[0026]在下文中，将参考附图详细地描述本公开的优选实施方式。这里，在下文中描述的实施方式是本技术的具有代表性的实施方式的实例，并且本技术的范围不应当仅由这些实例狭隘地解释。
[0027]1.根据本技术的实施方式的光学测量装置I
[0028]( I)检测光量校准区域2
[0029](2)控制单元
[0030](3)检测光学系统7
[0031](4)光源单元5
[0032](5)检测单元6
[0033](6)光学测量微芯片3
[0034]2.根据本技术的实施方式的光学测量装置I的特性[0035](I)具有ID区域的光学测量装置I的特性
[0036]1.根据本技术的实施方式的光学测量装置I
[0037]根据本技术的实施方式的光学测量装置I (见图1)包括控制单元(未示出)，所述控制单元基于来自检测光量校准区域2的光学信息，来补偿从微芯片3中的作为各种反应的区域的反应区域4生成的检测光。
[0038]优选地，光学测量装置I包括光源单元5和检测单元6，此外，还包括被配置为具有光源单元5和检测单元6的检测光学系统7 (见图2)。
[0039]优选地，光学测量装置I包括控制反应区域中的反应热的加热单元8。
[0040]优选地，光学测量装置I包括支撑检测光量校准区域2、微芯片3等等的支撑件9(例如，支撑主体91和支撑台92)。
[0041 ] (I)检测光量校准区域2
[0042]光学测量装置I包括单个或者多个检测光量校准区域2。
[0043]优选地，检测光量校准区域2设置在微芯片3的外部和/或内部。稍后将描述设置在微芯片3的内部的情况。
[0044]检测光量校准区域(在下文中，也称为“校准区域”)2可生成作为来自反应区域4中的检测光的校准的基础的光学信息。
[0045]在本技术中，校准区域2可设置在微芯片3的外部并设置在光学测量装置I内。校准区域2是可拆卸的。在可拆卸的情况下，对应于测量对象可以适当地调换校准区域2。
[0046]优选地，校准区域2设置在至少校准区域2可面向能从校准区域2接收检测光的物镜10的位置。此外，优选地，校准区域2设置在校准区域2可面向来自光源单元5中的发射光通过其被发送至校准区域2的物镜10的位置。
[0047]优选地，通过支撑主体91支撑校准区域2。用于提供单个或多个校准区域2的部件21可设置在支撑主体91上。此外，优选地，部件21是通过其校准区域2可移动的可移动部件，诸如滑动部件或者旋转部件。从而，校准区域2可对应于测量对象容易地调换。在多个校准区域2的情况下，可更容易地执行调换。
[0048]更加优选地，单个或多个校准区域2设置在微芯片3中的单个或多个反应区域4的X方向和/或Y方向上的两侧或一侧。此外，优选地，校准区域2与反应区域4串行地设置在X方向上。此外，优选地，多个校准区域2设置在反应区域4的两侧。
[0049]优选地，多个校准区域2设置在平面上或空间上。这里，设置在“平面上”是指他们设置在X方向和/或Y方向上，此外，“空间”设置是指它们也在设置在Z方向上。
[0050]多个校准区域的配置允许通过将至少一个校准区域2定义为基础并将该基础和其它(检测区、反应区等)进行比较而允许更高精确补偿值的计算。并且，当在相同的周期或在不同的周期测量单个或多个反应区域4时，多个校准区域2的设置允许更高精确的补偿值的计算。
[0051]在具有可移动检测光学系统的装置的情况下，优选至少两个校准区域2、2设置在反应区域4的一行或一列的两侧。这通过扫描容易地简化了补偿。
[0052]优选地，校准区域2包含校准物质。校准物质允许生成作为来自校准反应区域4的检测光的校准准则的光学信息。
[0053]优选地，校准物质是发出期望的光分量和光量的物质，并且此外，优选地，校准物质是能对应于从反应区域生成的检测光的物质(例如，与检测光具有相同或者相似波长区域的物质)。此外，优选地选择发出具有几乎不被从形成校准区域的基板生成的波长影响的峰值波长的检测光的校准物质。
[0054]校准物质的实例包括荧光物质、化学发光物质以及不透明物质，并且校准物质可以是无机物质或者是有机物质。
[0055]校准物质可以是由产生荧光的物质组成并具有不均匀厚度的层(例如，粘合层)。
[0056]尽管，检测光量校准物质可以是固态形式、半固态形式或者液态形式，但优选的是固态形式，因为这允许延长稳定的使用。
[0057]在校准物质是荧光物质的情况下，其实例包括通过用激发光照射而产生荧光的红宝石、萤石等中选择来的一种或多种无机物质；以及从塑料膜中等选择的一种或多种有机物质。
[0058]在校准物质是粘合层的情况下，优选地，粘合层中使用的粘合剂包括具有产生荧光的物质。
[0059]粘合剂的实例包括无机粘合剂、有机粘合剂和天然粘合剂。在它们中，有机合成粘合剂是优选的。合成粘合剂的实例包括从由丙烯酸树脂、O-烯烃、聚氨酯树脂、乙烯-醋酸乙烯树脂、环氧树脂、氯乙烯、氯丁二烯橡胶、醋酸乙烯酯、丙烯腈、硅树脂和腈类粘合剂组成的组中选择的一种或多种粘合剂。在它们中，用于微芯片等的粘合的粘合剂，尤其是，丙烯酸树脂粘合剂是优选的。
[0060]优选地，在聚焦方向上校准物质和反应区域以及微芯片中的流道在相同的位置。此外，为了利用阱和流道均衡诸如透射率和球形象差的光学性质，优选校准物质的上部用与反应区域4的上部的材料相同的材料覆盖。
[0061](2)控制单元
[0062]根据本技术实施方式的控制单元基于来自单个或多个校准区域2的光学信息来补偿从微芯片3中的反应区域4生成的检测光。
[0063]如果反应区域是在微芯片中能检测期望的检测光的区域，则反应区域是非限制性的。其实例包括阱和流道。
[0064]根据本技术的实施方式的装置中的特性、补偿方法、确定方法以及工序可以在具有包括CPU、RAM、R0M等的控制单元、记录介质(例如，USB存储器、HDD和⑶)等的硬件资源中存储为程序，然后，通过控制单元等执行所述程序。
[0065]控制单元控制光源单元5使得光源单元5以预设光照射校准区域2。然后，控制单元控制检测单元6使得检测单元6检测从校准区域2生成的检测光作为光学信息。
[0066]此外，控制单元控制光源单元5和检测单元6。从而以用预定光照射微芯片3中的反应区域4，并检测从其中生成的检测光。
[0067]并且，控制单元可执行光学测量装置中的各种控制(例如，与反应条件相关的控制)。其实例包括根据作为反应条件的测量对象的反应温度和反应时间控制加热单元，如果是可移动的，检测光学系统的驱动的控制，以及各种计算的处理。
[0068]控制单元基于从平面上或者空间设置的多个校准区域2中获得的光学信息补偿从反应区域4生成的检测光。多个校准区域的使用允许通过将它们中的一个定义为基础并将其与其他的进行比较，而获得高精确的补偿值的计算。[0069]优选地，控制单元基于校准区域2和检测光学系统7之间的第一距离(信号)，以及反应区域4和检测光学系统7之间的第二距离(信号)来补偿来自反应区域的检测光。第一距离(信号)基于光学信息。
[0070]在这种情况下，优选地，控制单元基于从在X方向和/或Y方向上具有平面的位置关系的多个校准区域2中获得的多条光学信息补偿来自反应区域的检测光。
[0071]这里，“第一距离”是检测光学系统(例如，物镜)和校准区域之间在Z方向上的距离。“第二距离”是检测光学系统(例如，物镜)和反应区域之间在Z方向上的距离。Z方向也是聚焦方向。
[0072]当确定聚焦方向(Z方向)上的距离时起点或者终点的实例包括但不限于设置在检测光学系统7中的检测单元6和物镜10。
[0073]优选地，控制单元基于校准区域2和反应区域4之间的平面(X方向和/或Y方向)距离来补偿检测光。
[0074]优选地，控制单元基于从以阶梯状的方式空间地设置的多个校准区域2获得的光学信息补偿从微芯片的反应区域4生成的检测光。
[0075]此外，控制单元可以执行与根据本技术实施方式的光学测量装置I的组件相关的控制的操作，诸如加热反应区域4的加热单元8的加热控制以及获取光学信息的可移动检测光学系统7的运动控制。
[0076]例如，在检测光学系统7是可移动的并具有运动机构(导向机构、齿轮齿条机构等)的情况下，控制单元使检测光学系统7在微芯片上方移动并扫描测量对象。
[0077]然后，基于从可移动检测光学系统传输的光学信息，控制单元计算从来自多个检测光量校准区域的光学信息中估算的第一信号量。此外，控制单元计算从获得的光学信息计算的第二信号量。并且，通过比较第一信号量和第二信号量，可以确定可移动检测光学系统的状态(正常状态或者异常状态)。
[0078]此外，优选基于检测光量校准区域2和检测光学系统7之间的第一距离(根据光学信息)与反应区域4和检测光学系统7之间的第二距离的关系补偿检测光。
[0079]此外，优选基于第一距离与第二距离之间的关系，以及与在检测光量校准区域和反应区域之间的平面距离的关系来补偿检测光。
[0080]此外，优选空间地设置多个检测光量校准区域并基于来自检测光量校准区域的多条光学信息来补偿从微芯片中的反应区域生成的检测光。
[0081]参考图1至图5，将更详细地描述通过包括可移动检测光学系统的光学测量装置基于来自校准区域2的光学信息补偿从微芯片3中的反应区域4生成的检测光的方法。
[0082]本技术也可应用于包括诸如阵列检测器和CXD检测器的不可移动的检测单元的光学测量装置。
[0083]将参考图2以及其他图描述图1至图5中示出的根据本技术实施方式的在使用扫描式光学测量装置测量检测光量校准区域和反应区域时可移动检测光学系统7的基本特性。
[0084]扫描式光学测量装置的控制单元从可移动检测光学系统7中的光源单元5(例如，LED)中发出光。发出的光通过透镜71和带通滤波器72发射至反射镜(光束分离器)73，从而从物镜10被发射至微芯片3中的检测光量校准区域2，从而使得从校准区域2辐射检测光。该检测光由物镜10收集并穿过反射镜73。具有特定波长的检测光穿过滤波器(emissionfilter)74，并且其光量由检测光学系统7中的光电检测器检测(见图2)。检测的量称为信号量。控制单元使用可移动检测光学系统7扫描反应区域4和校准区域2并检测各个检测光(信号量X
[0085]参考图3至图8将更详细地描述根据本技术的实施方式的用于补偿来自反应区域的检测光的方法，但是本技术并不限于此。
[0086]图3示出了当处于正常状态的检测光学系统7检测从包括相同反应物和相同浓度的样本的反应区域4发出的检测光(荧光等)时的信号的实例。在这种情况下，从所有的反应区域4中发出相同量的检测光(荧光量等)。可移动检测光学系统7在微芯片3上方移动并扫描反应区域4，在物镜10的中心恰好在反应区域4的上方时，检测信号增加。
[0087]图4示出了在改变检测光学系统7和反应区域4之间的距离的情况下检测光学系统从反应区域4检测到的信号量。“物镜和反应区域之间的距离”表示距最优距离的偏差。
[0088]在图5中，根据本技术实施方式在光学测量装置I中的可移动检测光学系统7的运动机构(导向机构等)的附接是机械错误的，从而物镜和反应区域之间的距离对各个反应区域来说是变化的。
[0089]在图5的情况下，“物镜和反应区域之间的距离”偏离最优值，当可移动检测光学系统7向右移动时，“物镜和反应区域之间的距离”按比例变大。从而，如图5中所示，从反应区域4检测的信号数按向右的顺序减少。因为“物镜和反应区域之间的距离”按这样的方式变化，信号量因各个反应区域而发生变化。因而，除非补偿检测光，否则难以精确地测量反应区域中的检测光量(例如，荧光量)，因此，也许难以精确地测量样本(例如，DNA等)的量或者时间相关变化。
[0090]具体地，在基于某个阈值判断样本(例如，DNA)的量的情况下，检测光没有像本技术这样被补偿传统的装置可能错误地确定由装置侧的变化引起的信号量上的变化。
[0091]为了更详细地说明，例如，对装置的控制单元设置0.7的值作为预定阈值，将0.7或更大的值(阈值或更大的值)设置为正( + )，而将小于0.7的值设置为负(_)。图3示出了在装置处于无缺陷无故障的状态时的正确的信号量，图6示出了在装置处于有故障等的异常状态时不正确的信号量。
[0092]在图6中，如果测量的检测结果是正确的其将被确定为正(见图3)的反映区域最右侧的信号指示为0.6，因此，确定为负是错误的。
[0093]这里，很可能如由运动机构或者微芯片的错误的设置引起“物镜和反应区域之间的距离”上的改变。与运动机构相关的原因的实例包括检测光学系统的导轨(guide)的偏离附接，以及支撑检测光学系统的支撑主体的偏离附接。与微芯片相关的原因的实例包括设置在支撑微芯片的支撑主体下方的弹性体(弹簧等)的弹性性能的改变。
[0094]响应于此，通过采用本技术，提供校准区域2，并提供能基于来自校准区域2的光学信息补偿从反应区域4生成的检测光的方法的控制单元，可以获得更高精确的检测结果O
[0095]以下将描述具体实例，但用于基于来自校准区域的光学信息补偿从微芯片中的反应区域生成的检测光的处理方法和确定方法并不限于此。
[0096]在反应区域中诸如样本浓度的反应条件相同的情况下，可以获得图7和图8中示出的校准区域和反应区域的信号量。
[0097]如图7所示，在可移动检测光学系统7处于光学测量装置中的“物镜和反应区域之间的距离”未改变的正常状态下，来自两个校准区域2的信号量是相同的。由于以这样的方式信号量是相同的，所以根据本技术的实施方式的控制单元确定可移动检测光学系统7处于正常状态。
[0098]另一方面，在可移动检测光学系统7处于“物镜和反应区域之间的距离”改变的异常状态时，两个校准区域2的信号量彼此不同。由于以这样的方式信号数不同，所以根据本技术的控制单元确定可移动检测光学系统7处于异常状态。接下来，根据本技术实施方式的控制单元确定期望进行来自反应区域4的检测光的校准。
[0099]根据本技术实施方式的控制单元，在正常状态下，来自两个校准区域2的信号量相同。另一方面，在异常状态情况下，来自两个校准区域2的信号量(最初是相同的)表现为不同。通过使用这些信号量之间的差值，执行对来自反应区域4的检测光的校准(补偿)。
[0100]根据本技术实施方式的控制单元计算反应区域和检测来自反应区域的检测光的可移动检测光学系统7 (优选地，检测单元6)之间的距离作为信号量。然后，控制单元使用所述信号量和基于来自校准区域2的光学信息的信号量之间的差值来补偿检测光。
[0101]具体地，根据本技术实施方式的控制单元根据从反应区域4和两个校准区域2的距离(在X方向和/或Y方向的距离)，基于检测光学系统的信号量和位置来做出图8中所示的数据。 来自反应区域4的信号量基于来自校准区域2的光学信息被补偿。
[0102]例如，在图8中，将左校准区域的位置和信号量作为基础，其信号量被定义为SI，至右校准区域的距离定义为LI，来自右校准区域的信号量被定义为Sr，至第i个反应区域的距离定义为Li，并且来自第i个反应区域的信号量定义为Si。
[0103]在这种情况下，校准区域的平面配置可以预先设置给控制单元，输入或包含在ID区域等的光学信息中。此外，当校准区域被设置在用于测量的第一和最后位置时，允许控制单元确定为平面配置。
[0104]从而,来自第i个反应区域Si_comp的补偿后信号量可根据Si_comp=SiX (SI/Sr) X (Li/Ll)来计算。
[0105]为了更加准确地确定“物镜和反应区域之间的距离”的绝对值，优选形成包括多个校准区域2 (其高度在聚焦方向(Z向)上稍有不同)的检测光量校准区域组20。在这种情况下，校准区域的空间配置可以预先设置给控制单元，由操作员输入或包含在ID区域等的光学信息中。此外，当多个校准区域在X方向和/或Y方向连续设置时，允许控制单元确定为空间配置。
[0106]如图9所示，在空间设置的多个检测光量校准区域的组中，多个检测光量校准区域2、2、2、……以阶梯状方式在Z方向上以不同的高度设置。优选地，校准区域2以阶梯状方式在Z方向上以不同的高度设置，从而使得聚焦方向上的距离在可移动检测光学系统7的移动方向上变的更大。
[0107]此外，优选地，其高度在聚焦方向(Z方向上)稍有不同的多个校准区域2、2、
2、……的组被设置在反应区域4的两端。
[0108]更具体地，在校准区域组20中，多个校准区域2连续设置在X方向和/或Y方向上，Z方向上高度不同。在可移动检测光学系统的情况下，优选校准区域2以不同高度在X方向和/或Y方向地连续设置的校准区域组20。
[0109]具体地，校准区域组20 (校准区域2的组)具有这样的配置，其中，高度(Z方向上)相差0.5的校准区域被设置在对应于“物镜和反应区域之间的距离”的-2到2的距离处。当用可移动检测光学系统7检测来自检测光量校准区域2、2、2、…….的检测光时，获得图9的B中示出的信号(具有双边对称形状的单峰图案)。在图9的A中，来自左边组的信号在检测光量校准区域c处表现出峰值，而来自右边组的信号在检测光量校准区域h处表现出峰值。从而，根据本技术实施方式的控制单元确定，对于来自每个反应区域4的检测光，检测光量校准区域c和h的位置是“物镜和反应区域之间的距离”的基础距离，并存储该距离。接下来，通过该存储，根据本技术实施方式的控制单元基于来自检测光量校准区域组20的光学信息来补偿反应区域4的信号量。从而，可以更加准确地补偿来自反应区域的检测光。
[0110]在可移动检测光学系统处于异常状态时，来自校准区域的检测光表现为双边不对称的形状。在这种情况下，补偿来自校准区域组的检测光，从而使得校准区域组具有双边对称形状的单峰图案，于是，基于组中的形状(光学信息)，可以来自补偿反应区域的检测光。此外，可以通过比较具有相同高度的校准区域(诸如校准区域c和h)来补偿来自校准区域的检测光，并基于补偿的光学信息补偿来自反应区域的检测光。
[0111]根据校准区域组上述实例，根据本技术实施方式的控制单元可以测量来自在“物镜和反应区域之间的距离”中的基础位置处的校准区域2的信号量。从而，根据本技术实施方式的控制单元可容易准确地发现并确定可移动检测光学系统的变化。
[0112]因此，可以基于在测量上述的信号后预先存储在根据本技术实施方式的光学测量装置的控制单元中的信息来补偿来自反应区域4的检测光。
[0113]然后，在用户测量中，根据本技术实施方式的控制单元可比较来自反应区域4的检测光(信号量)和所存储的信号量之间的峰值。通过比较，根据本技术实施方式的控制单元可发现并确定由激发光量变化或检测光学系统的传输上的变化引起的检测光学系统的变化。
[0114]此外，可以使用用于正/负确定的光学测量装置。在这种情况下，根据本技术实施方式的控制单元根据基于来自校准区域2的光学信息的确定可改变正/负确定的阈值以及如上所述的来自反应区域4的信号量。从而，根据本技术实施方式的控制单元可以更精确地补偿由可移动检测光学系统产生的变化。
[0115](3)检测光学系统7
[0116]检测光学系统7包括光源单元5和检测单元6。适当时，设置各种期望的滤波器、透镜、反射镜等。
[0117]在本技术中，优选光源单元5和检测单元6构成具有运动机构701的检测光学系统7(在下文中，也称为“可移动检测光学系统”)。可移动检测光学系统7存在的问题在于:检测系统在X方向、Y方向等移动时，外部振动或者碰撞会使检测系统发生倾斜或者偏差。然而，采用本技术使得能够精确地检测。
[0118](4)光源单元5
[0119]至于光源单元5的数量，可以是单个光源单元或者多个光源单元。单个或者多个光源单元5的发光时间与输出(激发光波长、光量等)可由控制单元控制。
[0120]光源单元5的实 例包括激光器光源、发光二极管(LED)光源、汞灯和钨丝灯。它们可以单独使用或将它们中的多个结合使用。
[0121]在激光灯的情况下，由于其窄的光谱宽度和高的输出功率，可以排除传统中需要的激发滤波器(Ex.滤波器)。
[0122]LED光源的实例包括红色、橙色、黄色、绿色、蓝色、白色和紫外的LED光源，并且它们可单独使用或者将他们中的多个结合使用。多色LED光源的实例包括三种颜色的LED光源和四种颜色的LED光源。这些光源通过激发滤波器可产生期望的激发光。并且，采用光导板允许通过多个LED光源使得分时而多色激发。此外，多色LED光源不仅允许一次激发而且允许在不使用光导板的情况下的连续激发。
[0123](5)检测单元6
[0124]优选地，检测单元6被设置为检测从反应区域4生成的光分量(例如，发射光、荧光和散射光)。
[0125]优选地，检测单元6包括能够检测预期的光分量的光检测器(例如，荧光检测器、浊度检测器、散射光检测器和紫外可见光频谱检测器)。检测器的实例包括诸如CCD或者CMOS元件的区域成像元件、光电倍增管(PMT)、光电二极管和压缩传感器。
[0126]反应区域中的由不同波长激发的多个荧光染料分别发出具有不同波长的荧光。例如，通过配有具有对应于多个荧光光谱的传输频带的多个带通滤波器，实现了这些光分量的高效检测。接下来，可以以分时的方式发射具有多个波长的激发光，并且与发射同步地用光检测器检测每一种突光的强度。
[0127]至于激发光滤波器，允许适当地选择这样的滤波器，通过所述滤波器，根据各种光分析方法可以获得具有特定波长的期望光分量。
[0128]至于检波滤波器，允许根据期望用于检测(荧光、散射光、发射光等)的光分量适当选择滤波器。
[0129]在根据本技术实施方式的光学测量装置中，适当时，可包括单个或者多个激发滤波器和检测滤波器，并根据情况也可不包括。通过这些滤波器，可以获得期望的光分量并去掉不必要的光分量。从而，可以提高检测灵敏度和检测精度。
[0130]根据本技术实施方式的光学测量装置可适当包括对反应区域执行热控制的加热元件8 (加热器等)、透镜、激发滤波器、检测滤波器以及用于支撑各个单元和安装反应区域的支撑部件9的一个或多个。光学测量装置I可包括控制激发光的发射定时和输出(激发光波长、光量等)、分时、多色分时等的控制单元，并从而可控制上述单元。
[0131]加热单元的实例包括但不限于诸如光学透明ITO加热器的透明导电膜。
[0132](6)光学测量微芯片3
[0133]至于在上述光学测量装置I中使用的微芯片3，在校准区域2设置于外部的情况下，可使用普通微芯片3。
[0134]在校准区域2设置在内部的情况下，基于根据本技术实施方式的微芯片的校准区域2，可以补偿来自反应区域的检测光。
[0135]在校准区域2设置在微芯片的内部的情况下，基于根据本技术实施方式的微芯片的校准区域2，可以补偿来自反应区域的检测光。校准区域2形成在“(I)检测光量校准区域2”中所述的芯片内部。
[0136]另外，在根据本技术实施方式的微芯片3中，可以在粘合层34处形成ID区域33并将ID区域33用作校准区域2。在具有ID区域33的粘合层34处，提供了用于补偿从反应区域(为反应区)生成的检测光的多个校准区域2，作为化验信息和/或芯片信息。
[0137]在ID区域33中，可以通过粘合层34的厚度形成识别图案(discriminationpattern)。
[0138]在根据本技术实施方式的微芯片3中，单个ID区域33部分或多个ID区域33部分形成在粘合层34处。此外，ID区域33包含化验信息和/或芯片信息。此外，在ID区域33中，存在识别图案由粘合层的厚度形成的区域。
[0139]在根据本技术实施方式的光学测量微芯片30中，作为ID区域33的部分形成在基板的粘合层34处。单个ID区域33的情况下的实例包括图10的B中示出的微芯片30b，并且多个ID区域33的情况下的实例包括图10的A中示出的微芯片30a。
[0140]各种信息存储并包含在ID区域33中，信息的实例包括一条或多条从检测光量校准信息、化验信息以及芯片信息中选择的信息。
[0141]检测光量校准信息例如为这样的信息，S卩，根据本技术实施方式的光学测量装置的控制单元通过该信息补偿来自反应区域4中的检测光，并且该信息通过装置作为信号预先被测量并被存储。用于补偿来自反应区域4的检测光的检测光量校准信息可包括在化验Ih息内。
[0142]化验信息的实例包括与稍后描述的化学反应的反应条件(荧光物质、反应温度等)以及与如上所述的校准物质(发射波长、计算处理方法等)有关。
[0143]芯片信息的实例包括与微芯片的材料和耐用性，以及与从基板表面到反应区域或者校准区域的厚度相关的信息。
[0144]如图11所示，信息获取单元(例如，检测光学系统)读取上述的各种信息，信息被传输至装置，并且基于所述信息，对于所述测量执行条件的设置或者改变。
[0145]例如，参考图12说明，通过读取ID区域33，获取信号图案(高度差、宽度差等)。基于该信号图案，根据本技术实施方式的控制单元执行与预先存储在存储单元中的信号图案的匹配，并补偿来自反应区域4的检测光。在具有多个ID区域33的情况下，可以基于它们之间的比较得出的结果来补偿来自反应区域4的检测光。
[0146]例如，通过读取校准物质、微芯片的材料、区域厚度等的信息，可以更精确地补偿从反应区域4生成的检测光。
[0147]此外，优选ID区域33是识别图案由粘合层34的厚度形成的区域，从而，可以存储诸如光学信息的宽范围的信息。如图11所示，当识别图案在所述区域中形成时，可以通过不具有粘合剂的部分的间隔和厚度形成。形成方法的实例包括喷墨法、印刷法以及通过激光等的蚀刻法。
[0148]反应区域4是作为用于化学反应的反应区的区域，并且是形成在诸如用于化学反应的微芯片的反应容器中。
[0149]反应区域形成在单个或者多个反应基板中。反应基板可由玻璃基板层的湿蚀刻或者干蚀刻形成，或者通过塑料基板层的纳米压印、注入成模(injection molding)或者切割形成。在这种情况下，反应区域的形状可适当设置，例如可以是阱形状。
[0150]反应基板的材料是非限制性的，并且优选鉴于检测方法、易处理、耐用性等适当选择。可根据期望的检测方法适当从光学透明材料中选择材料，材料的实例包括玻璃和各种塑料(聚丙烯、聚碳酸酯、聚碳酸酯聚合物、聚二甲硅氧烷等)。
[0151]在形成反应容器时允许用适合核酸扩增反应的试剂适当地填充反应区域。
[0152]来自根据本技术的实施方式的微芯片的ID区域33中的光学信息(数据)通过检测光学系统7被传输至控制单元，从而控制单元可控制光学测量装置的单元的特性。
[0153]以下将描述根据本技术的实施方式的光学测量微芯片的使用的实例。
[0154]图12示出了检测来自根据本技术实施方式的微芯片30的阱或者流道的荧光量的系统。
[0155]在这种情况下，微芯片30由上基板31和下基板32两者形成，并且流道和阱形成在下基板32中。上基板31和下基板32由其间的粘合层34集成在一起。
[0156]流道或者阱中并不存在粘合层34。在这个系统中，检测光学系统7扫描微芯片30，从而，如图12中的下部的曲线图所示，可以检测来自流道或者阱的信号。
[0157]这示出了在流道和阱中不存在样本的情况下的信号量。在样本存在的情况下，信号量将增加。
[0158]用来自检测光学系统7的激发光照射微芯片30。从而,在存于粘合层34的部分(粘合剂331)处，因为粘合层产生内源突光(intrinsic fluorescence,本征突光),所以由检测光学系统检测的信号量将变大。在不存在粘合层的位置(间隔332)，由检测光学系统检测到的信号量将变小。在阱或者流道部分，由于缺少粘合层信号量很小。
[0159]然后，通过使用作为阈值的某一信号量用大小来区分这些信号，可以在样本处理前确定阱或者流道的位置。
[0160]因为信号量根据粘合剂的存在与否以及粘合剂的量而变化，可以通过粘合剂的存在与否以及粘合剂的量来在微芯片中提供ID区域，并在ID区域中保持上述化验信息和/或芯片信息。
[0161]在相关技术的通过光学测量装置的扫描中，操作者输入各个化验特有的处理条件。尽管各个化验特有的处理条件是重要的，但很可能由于人为错误而弄错作为各个化验特有的处理条件的温度设置或者温度变化周期的次数。在那种情况下，生物处理偏离最佳条件，从而会致使错误的结果。如果系统用作诊断装置，这可引起严重的问题。
[0162]图13示出了根据本技术的实施方式I的系统。
[0163](步骤SI)为光学测量装置I设置微芯片30。允许用户设置或自动设置。
[0164](步骤S2)在设置微芯片30之后，检测光学系统7扫描芯片3上的ID区域33。因为检测光学系统7读取ID区域33，所以可以精确地了解芯片3理想的分析条件，并根据信息精确地设置温度和温度周期的次数。
[0165]如图10至图12所示，ID区域33设置于靠近阱或者流道的粘合层34处。在ID区域33中，记录并保持芯片中使用的芯片信息和/或化验信息等。
[0166](步骤S3)此后，控制单元为光学测量装置I的存储单元设置每个化验特有的条件，诸如溶液和样本的混合，以及温度周期的次数。接下来，控制单元开始对样本进行生物处理(反应)。
[0167](步骤S4)在反应结束后，控制单元使检测光学系统7再次扫描芯片3并从每个阱中的处理的样本检测检测光(信号量)。这里，在本技术中，可以选择实时测量。在这种情况下，在反应期间连续或者间断地扫描反应区域4。[0168]将描述根据本技术的实施方式2的系统。
[0169]除了上述实施方式I的(步骤S2)变成(步骤S21)，实施方式与上述实施方式I具有相同的流程。
[0170](步骤S21)如图12所示，扫描作为阱或流道的ID区域33和反应区域4。基于该扫描，控制单元可检测每个阱的位置和初始状态(当阱中不存在样本时)的信号量，如图12中下部图的曲线图。
[0171]在步骤S21，反应区域4与ID区域一起被扫描。可将这次扫描用作空白(blank)，并且在检测中，可精确地扫描阱和流道的区域以用于测量。从而，可以精确地检测测量对象。
[0172]这里，如图11所示，检测点通常被设计为使得点直径在阱或者流道的位置处是最小的而且在芯片的上部是大的。
[0173]至于根据本技术实施方式用于在ID区域33中记录信息的方法，利用上基板和下基板之间是否存在粘合层34来记录信号。优选地，这些信号是如在光盘系统中使用的数字信号。
[0174]在本技术中，因为粘合层34发射内源荧光，所以由检测光学系统在存在粘合层34的位置处检测的信号量大，在没有粘合层34的位置处检测的信号量小。
[0175]通过将信号量的大小用作调制信号，可以记录芯片3的分析和芯片信息的区分数据。
[0176]在本技术中，因为本质上期望微芯片包括粘合层，所以存在很大的工业优点在于:仅通过对粘合层执行稍微的处理就可以低成本生产具有信息的芯片。
[0177]在现有技术中，已经使用了识别条形码附接至芯片外侧的方法，或者发射内源荧光的物质附接至芯片上部的方法。然而，条形码等必须另外地附接至芯片，导致芯片生产成本的增加。尤其是，除了检测光学系统外，条形码还需要单独的条形码读取装置，这使得装置复杂化同时增加了装置的成本。
[0178]作为现有技术，在将用于ID的物质附接至芯片上部的情况下，每个信号需要是大的。因此，存在ID所需的区域被放大而阱或者流道的位置检查受到不利影响的可能性。例如，存在把ID区域中发射长信号的部分被判定为阱的可能性。
[0179]作为用于ID记录的另一种方法，例如，存在只有不均匀的凸出应用于下部基板的方法。然而，因为仅通过这样的ID记录不生成内源荧光，所以在检测光学系统中必须设置另一个光路(例如，不是荧光光学系统的光路)。这样一个额外的处理导致的缺点是检测光学系统变得非常贵。
[0180]另一方面，在根据本技术实施方式的微芯片中，在粘合层记录ID的情况下可以最小化ID区域，从而，可以减小检测光学系统的扫描范围并减小芯片的尺寸。
[0181 ] 在根据本技术实施方式的微芯片中，通过利用粘合层的存在或不存在以及粘合层的量在接近芯片中的阱或者流道的粘合层区域中将芯片信息和/或化验信息记录为光学信息(信号)。由于根据本技术实施方式的微芯片采用这种方法，相比于额外附条形码的方法可低成本地生产记录了芯片信息和化验信息的芯片。
[0182]在本技术中，包括芯片信息和化验信息的ID区域33可容易地通过用检测光学系统的传统的测量方法来读取。因此，没必要在光学测量装置中提供另外的读取装置，并且因此，可以小尺寸低成本地生产装置。此外，操作者没必要输入化验法，并且因此，可以精确地执行生物处理。
[0183]因而，根据本技术，在具有多个基板层压的配置的微芯片中，可以提供利用基板间粘合层的存在或不存在以及粘合层的量来将芯片信息存储ID区域的光学测量微芯片。ID区域的提供使具有芯片信息的芯片低成本地生产。此外，可以除去或者减小操作者将化验信息输入光学测量装置的费劲事。并且，可以减小操作者的错误输入。因此，可以执行精确测量。
[0184]在现有技术中，在用单个光学测量装置执行在生物化学处理上不同的多种类型的分析的系统中，看上去芯片是相同的，但使用其的斑点物和化验都不同。
[0185]因此，期望根据芯片的类型为每个芯片设置芯片处理条件诸如温度和温度周期的数量，在现实情况中，由操作者输入芯片处理条件。
[0186]用于鉴别芯片类型的识别器，诸如条形码，可设置于芯片的外部，而实际上，诸如条形码的识别器附接至芯片导致增加附接的生成步骤并增加了芯片生产成本。
[0187]此外，实际上，条形码等需要与其对应的条形码读取器，这导致装置复杂而且增加了成本。
[0188]然而，正如本技术，通过将用于基板粘合的粘合剂的层部分用作ID区域的部分，可解决这些难题。此外，存在仅提供ID区域的优点，并且形成这种粘合层也使得生产成本上占有优势。
[0189]即，根据本技术实施方式的光学测量微芯片及其控制方法相比于现有技术中的微芯片具有有利的效果。
[0190]这里，优选地，用根据本技术实施方式的微芯片执行的“化学反应”是允许化学和/或生物分析的化学反应。
[0191]在这个化学反应中，每种物质诸如化学物质(生物活性物质等)、蛋白质、缩氨酸、DNA、RNA、寡核苷酸、多核苷酸、抗原、抗体、微生物、病毒、激素以及它们的片段都可以是测量对象。优选地，测量样本是与有机体相关的样本，诸如细胞、培养菌、扩增核酸、组织、体液、尿、血清以及活检组织样本。
[0192]作为“化学反应”，其允许使用能够通过反应检测测量对象的已知的化学反应方法。“化学反应”的实例包括核酸扩增反应、互补核酸之间的杂交反应、PCR延长反应、以及抗原-抗体反应。在化学反应中的标识法(labeling method)的实例包括但不限于使用从荧光物质、放射性物质、酵素等中选择的一个或多个的标识法。
[0193]“核酸扩增反应”的实例包括通过温度周期的传统的聚合酶链式反应(PCR)方法，以及不伴有温度周期的各种等温扩增方法。等温扩增方法的实例包括环介导等温扩增(LAMP)法、智能扩增处理(SMAP)法、基于核酸序列的扩增(NASBA)法、核酸的等温和嵌合引物扩增(ICAN)法(R)、转录反转录协同反应(TRC)法、链置换扩增(SDA)法、转录-介导扩增(TMA)法、以及滚环扩增(RCA)法。除了它们以外，“核酸扩增反应”广泛包括用于核酸扩增的变温和等温核酸扩增反应。这些核酸扩增反应包括伴有扩增核酸的定量测定的反应，诸如实时PCR法。
[0194]因而，根据本技术实施方式的光学测量装置I提供良好的检测精度。
[0195]随后，将描述根据本技术实施方式的光学测量装置用作荧光检测装置的情况下的实例。
[0196]在根据本技术实施方式的荧光检测装置中，为了来自检测微芯片中的阱或者流道的荧光，荧光校准物质分别被包含在距检测光学系统的距离与阱或者流道相同的多个校准区域中。通过使用来自这些荧光校准物质的信号量补偿来自阱或者流道的信号量，即便芯片和检测光学系统之间的距离改变，或者甚至如果检测光学系统的性质改变，也可以提高检测荧光的确定精确度。
[0197]在现有技术中，为了估算芯片中阱或者流道中的DNA的量，使用联址DNA的荧光试齐ua者如分子信标)。当对荧光试剂用激发光照射阱或者流道时，从阱或者流道发射出荧光。阱或者流道中DNA的量与荧光的量相关。因此，通过用检测光学系统检测荧光的量，可以估算阱或者流道中DNA的量。
[0198]然而，事实上，例如，机械性能改变芯片中的阱或者流道的位置，或者检测光学系统和芯片之间的距离对每一个芯片会改变。因此，有时即便DNA量是相同的，由检测光学系统检测的信号量也是不同的。在这样的情况下，存在DNA的量被错误估算的可能性。尤其是，在基于一定量的DNA判断样本是否包括基因(阳性)或者不包括基因(阴性)的系统中，存在这样的问题，机械精度的变化引起荧光信号量的变化，因此导致错误确定。
[0199]然而，通过使用根据本技术实施方式的微芯片及其控制方法可解决这种问题。
[0200]此外，本技术也可以如下(I)到(19)被配置。
[0201](I) 一种光学测量装置，包括:
[0202]控制单元，基于来自检测光量校准区域的光学信息补偿从微型芯片中的反应区域生成的检测光。
[0203](2)根据(I)所述的光学测量装置，其中，检测光量校准区域设置在微型芯片的外部和/或内部。
[0204]( 3 )根据(I )或者(2 )所述的光学测量装置，其中，所述光学测量装置基于所述检测光量校准区域和检测光学系统之间的第一距离以及反应区域和检测光学系统之间的第二距离来补偿检测光，所述第一距离基于所述光学信息。
[0205](4)根据(I)到(3)中任一项所述的光学测量装置，其中，光学测量装置进一步基于所述检测光量校准区域和所述反应区域之间的平面距离补偿检测光。
[0206](5)根据(I)到(4)中的任一项所述的光学测量装置，其中，多个所述检测光量校准区域以阶梯状方式设置，并且光学测量装置基于来自检测光量校准区域的多条光学信息来补偿从微芯片中的反应区域生成的检测光。
[0207](6)根据(I)到(4)中的任一项所述的光学测量装置，其中，所述检测光量校准区域容纳呈固态形式、半固态形式或者液态形式的检测光量校准物质。
[0208](7)根据(6)所述的光学测量装置，其中，检测光量校准物质是发出期望的光分量和光量的无机物质和/或有机物质。
[0209](8)根据(I)到(7)中任一项所述的光学测量装置，其中，具有ID区域的粘合层形成在检测光量校准区域内。
[0210](9 )根据(8 )所述的光学测量装置，其中，ID区域包括检测光量校准信息。
[0211](10 )根据(8 )或(9 )所述的光学测量装置，其中，所述ID区域进一步包括化验信息和/或芯片信息。[0212](11)根据(8)到(10)中任一项所述的光学测量装置，其中，ID区域是识别图案由所述粘合层的厚度形成的区域。
[0213](12 )根据(I)至(11)的任何一项所述的光学测量装置，进一步包括:
[0214]获取光学信息的可移动检测光学系统，
[0215]其中，基于从可移动检测光学系统中传输的光学信息，所述控制单元通过将从来自多个检测光量校准区域的光学信息估算的信号数量与从所获取的光学信息计算的信号数量进行比较，来确定可移动检测光学系统的状态。
[0216]( 13)根据(12)所述的光学测量装置，其中，所述光学测量装置进一步基于检测光量校准区域和检测光学系统之间的第一距离与反应区域和检测光学系统之间的第二距离之间的关系，以及与检测光量校准区域和反应区域之间的平面距离的关系补偿检测光，第
一距离基于光学信息。
[0217](14)根据(I)到(13)任一项所述的光学测量装置，其中，以阶梯状方式设置多个检测光量校准区域，并且光学测量装置基于来自检测光量校准区域的多条光学信息来补偿从微型芯片中的反应区域生成的检测光。
[0218](15) 一种光学测量微芯片包括:
[0219]具有ID区域的粘合层。
[0220](16)根据(15)所述的光学测量微芯片，其中，所述ID区域包括化验信息和/或芯
片信息。
[0221](17)根据(15)或者(16)所述的光学测量微芯片，其中，ID区域是识别图案是由所述粘合层的厚度形成的区域。
[0222](18)根据(15)到(17)中的任一项所述的光学测量微芯片，其中，用于补偿检测光的多个检测光量校准区域作为化验信息被设置在具有ID区域的粘合层中，检测光从用作反应区的反应区域中生成。
[0223](19)根据(15)到(18)中的任一项所述的光学测量微芯片，其中，光学测量微芯片是用于核酸扩增反应的微芯片。
[0224]本技术可应用为扫描式光学测量装置以及用于核酸扩增反应的微芯片，它们都可用于基因表达谱、感染检查、诸如SNP分析、蛋白质分析、细胞分析基因分析等。
[0225]本领域中的技术人员应理解，根据设计需求以及其它因素只要它们在所附权利要求或者其等价物范围内，可进行不同的修改、组合、子组合以及变更。
[0226]本公开包括于2012年10月I日在日本专利局提交的日本在先专利申请JP2012-219166公开的主题，其全部内容通过引用结合于此。
【权利要求】
1.一种光学测量装置，包括: 控制单元，基于来自检测光量校准区域的光学信息补偿从微芯片中的反应区域生成的检测光。
2.根据权利要求1所述的光学测量装置，其中，所述检测光量校准区域设置在所述微芯片的外部和/或内部。
3.根据权利要求2所述的光学测量装置，其中，所述光学测量装置基于所述检测光量校准区域和检测光学系统之间的第一距离以及所述反应区域和所述检测光学系统之间的第二距离来补偿所述检测光，所述第一距离基于所述光学信息。
4.根据权利要求3所述的光学测量装置，其中，所述光学测量装置进一步基于所述检测光量校准区域和所述反应区域之间的平面距离补偿所述检测光。
5.根据权利要求2所述的光学测量装置，其中，多个所述检测光量校准区域以阶梯状方式设置，并且所述光学测量装置基于来自所述检测光量校准区域的多条所述光学信息来补偿从所述微芯片中的所述反应区域生成的所述检测光。
6.根据权利要求3所述的光学测量装置，其中，所述检测光量校准区域包含呈固态形式、半固态形式或者液态形式的检测光量校准物质。
7.根据权利要求6所述的光学测量装置，其中，所述检测光量校准物质是发出期望的光分量和光量的无机物和/或有机物。
8.根据权利要求1所述的光学测量装置，其中，具有ID区域的粘合层形成在所述检测光量校准区域内。
9.根据权利要求8所 述的光学测量装置，其中，所述ID区域包括检测光量校准信息。
10.根据权利要求9所述的光学测量装置，其中，所述ID区域进一步包括化验信息和/或芯片信息。
11.根据权利要求10所述的光学测量装置，其中，所述ID区域是识别图案由所述粘合层的厚度形成的区域。
12.根据权利要求1所述的光学测量装置，进一步包括: 可移动检测光学系统，获取所述光学信息， 其中，基于从所述可移动检测光学系统传输的所述光学信息，所述控制单元通过将从来自多个所述检测光量校准区域的所述光学信息估算的信号量与从所获取的光学信息计算的信号量进行比较，来确定所述可移动检测光学系统的状态。
13.根据权利要求12所述的光学测量装置，其中，所述光学测量装置进一步基于所述检测光量校准区域和所述检测光学系统之间的第一距离与所述反应区域和所述检测光学系统之间的第二距离之间的关系以及与所述检测光量校准区域和所述反应区域之间的平面距离的关系来补偿所述检测光，所述第一距离基于所述光学信息。
14.根据权利要求13所述的光学测量装置，其中，所述多个检测光量校准区域被立体地设置，并且所述光学测量装置基于来自所述检测光量校准区域的多条所述光学信息补偿从所述微芯片中的所述反应区域生成的所述检测光。
15.—种光学测量微芯片,包括: 具有ID区域的粘合层。
16.根据权利要求15所述的光学测量微芯片，其中，所述ID区域包括化验信息和/或芯片信息。
17.根据权利要求16所述的光学测量微芯片，其中，所述ID区域是识别图案由所述粘合层的厚度形成的区域。
18.根据权利要求17所述的光学测量微芯片，其中，用于补偿检测光的多个检测光量校准区域作为所述化验信息被设置在具有所述ID区域的所述粘合层中，所述检测光从用作反应区的反应区域中生成。
19.根据权利要求15所述的光学测量微芯片，其中，所述光学测量微芯片是用于核酸扩增反应的微芯片。
20.根据权利要求16所述的光学测量微芯片，其中，所述芯片信息利用所述粘合层的存在或不存 在以及所述粘合层的量而被存储为ID区域。
【文档编号】G01N21/64GK103712964SQ201310439608
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年9月24日 优先权日:2012年10月1日
【发明者】甲斐慎一 申请人:索尼公司