一种电流采样电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管、采样功率NMOS管M2、M3、M4、采样电阻Rs，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2、M3和M4的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2的栅极接电源Vin，采样电阻Rs的一端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地，其特征在于：采样功率NMOS管M3和M4的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3和M4导通状态的信号外部输入管脚A和管脚B提供。可以实现多种限流值，方式简单。
【专利说明】一种电流采样电路
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及集成电路领域，特别涉及用于模拟集成电路中的电流采样电路。【背景技术】
[0002]在集成电路的中，尤其是模拟集成电路中，为了检测大电流，因为功耗等的要求需要对电流进行采样后在进行检测。而通常电流的采样只能有一种采样值。
[0003]这样的方案主要存在以下缺陷:
[0004]因为只能采样一种电流，所以它所能检测的电流值只有一种，不便于实现多种电流值得采样检测。
【发明内容】
[0005]为了解决电流检测电路只能采样一种电流值，不便于实现多种电流值得采样检测的缺点。
[0006]本实用新型的解决方案如下:
[0007]一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管(3)、采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采样电阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)的栅极接电源Vin，采样电阻Rs (8)的一端接采样管NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源极，另一端接地。采样功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)导通状态的信号由外部输入管脚A (7)和管脚B (8)提供。
[0008]本发明具有以下优点:
[0009]电流采样电路信号A和B由外部输入第一管脚(7)和第二管脚(8)提供。实现多种限流值，方式简单。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明的示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示，Ml、M2、M3、M4为功率NMOS管。Ml为分流管，M2、M3、M4为采样管。其中M1、M2栅极接电源Vin，因此M1、M2是处于常导通状态，为固定接入状态。M3、M4的导通状态通过外部输入管脚7和8提供的信号A、B分别接M3、M4的栅极进行控制。当M3、M4的栅极信号为高电平时M3、M4导通，为低电平时M3、M4截止。根据实际需要控制M3、M4的导通状态。管脚Ps接功率MOS管Ml、M2、M3、M4的漏极。采样电阻Rs —端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地。
[0012]Ps中有电流输入。因为M1、M2是处于常导通状态，Ps中的电流流过Ml、M2，流过Ml的电流直接到地，而流过M2的电流流入采样电阻Rs，当外部输入管脚7和8进行控制的M3和/或M4导通时，Ps中的电流流过它们后，流入采样电阻Rs。流入的电流在采样电阻Rs产生电压Vs后输出给后续电路。
[0013]其中Ml、M2、M3、M4以一定的大小比例设置。所设置的比例值根据电路的具体情况而定。通过外部输入管脚7和8对M3和/或M4导通状态的控制，可以通过M2、M3、M4得到不同的采样电流，因此通过采样电阻Rs也就可以产生不同的电压Vs。M2、M3、M4导通的越多，采样的电流越大，产生的采样电压Vs也就越大。最大时为M2、M3、M4全部导通。采样电流具体见下表1 (信号A、B不同状态对应采样值)。
[0014]
【权利要求】
1.一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管(3)、采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采样电阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)的栅极接电源Vin，采样电阻Rs (8)的一端接采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源极，另一端接地，其特征在于:采样功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)导通状态的信号由外部输入管脚A (7)和管脚B(8)提供。
【文档编号】G01R19/00GK203798886SQ201320770890
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2013年12月1日 优先权日:2013年12月1日
【发明者】张俊 申请人:陕西易阳科技有限公司