一种硅通孔转接板测试方法
【专利摘要】本发明提供了一种硅通孔转接板测试方法，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对硅通孔转接板产生划痕和损伤，保证了硅通孔转接板的电测试效率和测试效果，而且保证了后续芯片的封装质量，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、测试转接板制备，在测试转接板上制备好压焊点（pad），用探针引线将焊盘引出测试转接板另外一面；（2）、采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板上的凸点（焊球）物理连接到所述测试转接板上。
【专利说明】一种硅通孔转接板测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子行业微电子测试的【技术领域】，具体涉及一种硅通孔转接板测试方法。
【背景技术】
[0002]随着大规模集成电路的发展，线路越来越细，传统二维半导体制造技术面临巨大挑战，而采用三维集成技术，可以缩短互连路径，减少延迟，降低功耗，同时获得更高性能，成为未来半导体产业的发展趋势。硅通孔技术是实现三维集成的核心技术，它通过在不同类型芯片上直接制作导电通孔，从而形成垂直互连通道。目前一种方式则通过硅通孔制作转接板，将不同类型的芯片通过转接板实现高密度互连，由于它不完全是三维垂直方向的集成，因而被称为2.5D集成。以Xilinx为代表的FPGA产品已经将2.5D集成技术推向产品应用。硅通孔转接板技术仍然面临着很多技术难题和挑战，成品率不高，其中转接板的测试被认为是主要的挑战之一。由于硅通孔转接板非常薄，材料脆，焊盘(凸点)密度高，需要进行双面测试，传统的测试技术难以使用。由于半导体芯片上的I/O密度越来越高，压焊点尺寸越来越小，对硅通孔转接板进行电测试时，见图1，现有的电测试采用探针接触的方法，把探针3与硅通孔转接板I上的压焊点2接触，将待测试的硅通孔转接板弓I出，通过探针实现硅通孔转接板的电测试，这种测试方法会对硅通孔转接板产生划痕和损伤，影响后续封装质量，硅片厚度越来越薄，给拿持和测试带来困难，从而影响了硅通孔转接板的电测试效率和测试效果。
【发明内容】
[0003]针对上述问题，本发明提供了一种硅通孔转接板测试方法，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对硅通孔转接板产生划痕和损伤，保证了硅通孔转接板的电测试效率和测试效果，而且保证了后续芯片的封装质量。
[0004]其技术方案如下:
一种硅通孔转接板测试方法，包括以下步骤:
(I )、测试转接板制备，在测试转接板上制备好压焊点(pad)，用引线将焊盘引出测试转接板另外一面；
(2)、采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板上的凸点(焊球)物理连接到所述测试转接板上。
[0005]其进一步特征在于，在硅通孔转接板两侧对应设置步骤(I)制备的测试转接板； 其更进一步特征在于，测试转换板上压焊点(pad)表面涂有低于硅通孔转接板上凸点
(焊球)熔点的焊料；硅通孔转接板上压焊点的面积大于测试转换板上压焊点的面积；硅通孔转接板上压焊点和测试转接板上压焊点选择不同的下凸点合金(UBM)金属。
[0006]测试板材料包括:娃，玻璃，聚合物，陶瓷，PCB中的一种。
[0007]采用本发明的上述方法中，由于在测试转接板制备好压焊点(pad)，用探针引线将压焊点(pad )引出测试转接板外，采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板上的凸点(焊球)物理连接到所述测试转接板，通过探针引线将硅通孔转接板上的凸点引出，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对硅通孔转接板产生划痕和损伤，保证了晶圆的电测试效率和测试效果，而且保证了后续芯片的封装质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为现有的晶圆探针电测试不意图；
图2为测试转接板制备示意图；
图3为测试转接板制备与硅通孔转接板单侧连接示意图；
图4为测试转接板制备与硅通孔转接板双侧连接示意图。
【具体实施方式】
[0009]以下结合附图来对发明进行详细描述，但是本实施方式并不限于本发明，本领域的普通技术人员根据本实施方式所做出的结构、方法或者功能上的变换，均包含在本发明的保护范围内。
[0010]一种硅通孔转接板测试方法，包括以下步骤:
见图2，(I)、测试转接板制备，在测试转接板I上制备好压焊点(pad) 2，用探针引线3将焊盘引出测试转接板I的另外一面； 见图3，(2)、采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板4上的凸点5 (焊球)物理连接到测试转接板I ;
见图4，(3)、在硅通孔转接板4两侧对应设置测试转接板1，通过测试转接板I上的探针引线3将硅通孔转接板4上的压焊点(pad)2从硅通孔转接板4的两次引出，从而实现了硅通孔转接板的双面测试，大大提高了硅通孔转接板的测试效率。
[0011]由于在测试转接板制备好压焊点(pad)，用探针引线将压焊点(pad)引出测试转接板外，采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板上的凸点(焊球)物理连接到所述测试转接板，通过探针引线将硅通孔转接板上的凸点引出，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对硅通孔转接板产生划痕和损伤，保证了硅通孔转接板的电测试效率和测试效果，而且保证了后续芯片的封装质量。
[0012]测试转换板I上压焊点2 (pad)表面涂有低于硅通孔转接板上凸点5 (焊球)熔点的焊料，从而在低于回流温度进行测试转换板I与硅通孔转接板键合和分离，对硅通孔转接板上的凸点(焊球)不造成影响。
[0013]选用不同熔点的钎料成分:
例如锡铅系列:Pb90Snl0熔点268度 Pb60Sn40 熔点 183 度
Sn95Pb5 熔点 238 度 SnAgCu 系列:
Sn97Cu2.75Ag0.25 熔点 228 度
Sn95.6Ag3.5Cu0.9 熔点 217 度。
[0014]采用不同熔点的焊料，使得低熔点测试转换板上压焊点先分离，对硅通孔转接板上的凸点与硅通孔转接板结合的稳定性。
[0015]硅通孔转接板4上压焊点2的面积大于测试转换板I上压焊点2的面积，在凸点5 (焊球)熔融下，凸点5 (焊球)停留在较大的表面张力一边。
[0016]硅通孔转接板4上压焊点2和测试转接板I上压焊点2选择不同的下凸点合金(UBM)金属，对凸点(焊球)有不同的润湿性，使得压焊点与焊球的结合程度不同，焊球高温熔化后，两侧对焊球的表面张力不同，使凸点(焊球)留在转接板上。
[0017]本专利提出了一种通过定制专门的测试电路板，采用临时焊接方式将待测转接板机械固定并电互连，从而实现双面、细节距的TSV转接板测试。
【权利要求】
1.一种硅通孔转接板测试方法，其特征在于:其包括以下步骤: (I )、测试转接板制备，在测试转接板上制备好压焊点(pad)，用探针引线将焊盘引出测试转接板另外一面； (2)、采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板上的凸点(焊球)物理连接到所述测试转接板上。
2.根据权利要求1所述的一种硅通孔转接板测试方法，其特征在于:在硅通孔转接板两侧对应设置步骤(I)制备的测试转接板。
3.根据权利要求1所述的一种硅通孔转接板测试方法，其特征在于:测试转换板上压焊点(pad)表面涂有低于硅通孔转接板上凸点(焊球)熔点的焊料。
4.根据权利要求1任何所述的一种硅通孔转接板测试方法，其特征在于:硅通孔转接板上压焊点的面积大于测试转换板上压焊点的面积。
5.根据权利要求1所述的一种硅通孔转接板测试方法，其特征在于:硅通孔转接板上压焊点和测试转接板上压焊点选择不同的下凸点合金(UBM)金属。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种娃通孔转接板测试方法,其特征在于:测试板材料包括:硅，玻璃，聚合物，陶瓷，PCB中的一种。
【文档编号】G01R1/04GK103926430SQ201410167044
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月23日 优先权日:2014年4月23日
【发明者】靖向萌 申请人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司