技术总结
本发明提供用于产生晶片的缺陷样本的方法及系统。一种方法包含将在晶片上检测的缺陷分离到若干分格中，所述分格在所述缺陷的一或多个第一属性的第一集合的值上具有分集。所述方法还包含基于所述缺陷的一或多个第二属性的第二集合中的分集而从所述分格中的一或多者独立地选择所述分格内的缺陷。接着，使用所述选定缺陷来创建所述晶片的缺陷样本。以此方式，可容易地选择具有多个属性的分集化值的缺陷。
技术研发人员：M·普利哈尔;V·阿南塔
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
文档号码：201580055533
技术研发日：2015.10.19
技术公布日：2017.05.31