1.一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，具体步骤包括：
(1)样品清洗：所述样品是指含氧半导体材料；
(2)样品初始接触角测试：
(3)紫外光辐照处理：将步骤(2)中的样品置于紫外光照下照射；
(4)样品接触角测试；
(5)红外光辐照处理：将步骤(4)中的样品置于红外光照下照射，红外光的波长为0.76-100μm，红外光的光功率密度为10-900mW cm-2，照射时间为5s-50min；
(6)样品接触角测试。
2.根据权利要求1所述的一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，红外光的波长为2-10μm。
3.根据权利要求1所述的一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，紫外光波长小于样品的带边吸收截止波长，紫外光的光功率密度为0.1-100mW cm-2，照射时间为1-60min。
4.根据权利要求1所述的一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，所述步骤(1)，具体是指：将样品进行超声清洗，清洗完毕后用N2吹干样品表面水分。
5.根据权利要求4所述的一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，所述步骤(1)，采用洗涤剂将样品进行超声清洗，所述洗涤剂包括甲醇、丙酮、无水乙醇、乙二醚、四氯化碳、去离子水。
6.根据权利要求1所述的一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，所述步骤(2)，具体是指：将步骤(1)中清洗后的样品置于接触角测试仪上，将5μL水滴滴在样品表面，静置10s，待水滴稳定后，测试样品接触角。
7.根据权利要求1所述的一种红外光照射调控含氧半导体材料表面润湿性状态的方法，其特征在于，所述含氧半导体材料包括单一的含氧半导体材料、复合的含氧半导体材料及表面涂覆一层有机物的单一的含氧半导体材料或复合的含氧半导体材料，所述单一的含氧半导体材料包括ZnO、TiO2、LiNbO3、BaTiO3、SrTiO3、SnO2、WO3、Fe2O3、Al2O3、SiO2、Ga2O3。