用于无TEC红外成像系统的CMOS工艺集成温度传感器的制作方法

文档序号:12465241阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种用于无TEC红外成像系统的CMOS工艺集成温度传感器,包括温度检测电路、偏置电路和输出级驱动电路;偏置电路包含3个PMOS管,通过偏置电路产生与温度基本无关的常数电流和共栅极偏置电压;温度检测电路包括由四个PMOS管构成的电流镜和由两个三极管构成的温度检测核心电路,通过温度检测电路将三极管连接成二极管形式,利用二极管温度特性获得负温度系数电压。输出级驱动电路包括四个PMOS管和两个NMOS管,两个PMOS管是共源共栅电流镜,另外两个NMOS管是输入对管,两个NMOS管是负载管,通过输出级驱动电路将信号电压输出。本发明提出的方法电路实现复杂度低,具有很高的实际应用价值。

技术研发人员:赵毅强;赵公元;章建成
受保护的技术使用者:天津大学
文档号码:201610565517
技术研发日:2016.07.15
技术公布日:2016.12.21

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