显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法与流程

文档序号:11824905阅读:1796来源:国知局
显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法与流程

本发明涉及液晶显示器领域,尤其涉及一种显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法。



背景技术:

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有功耗低、体积小、重量轻等特点,因此备受用户的青睐。随着平面显示技术的发展,具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求被提出。

随着低温多晶硅(LTPS)半导体薄膜晶体管的发展,而且由于LTPS半导体本身超高载流子迁移率的特性,相应的面板周边集成电路也成为大家关注的焦点,并且很多人投入到面板上系统集成(System on Panel,SOP)的相关技术研究,并逐步成为现实。

参见图1及图2,图1为现有一般小尺寸LTPS面板中的金属走线设计示意图,图2为现有一般小尺寸LTPS面板金属走线之间寄生电容的等效示意图。在小尺寸的面板的设计过程中,需要有WOA区域和GOA区域的设计。其中,WOA区域为阵列走线(Wire On Array)区域,用于芯片(IC)到有效显示区域(AA)和GOA区域的金属走线排布。GOA区域为阵列栅极(Gate On Array)区域,产生栅极移位驱动信号用于AA区域像素(Pixel)的驱动。在WOA区域和GOA区域必然存在一些金属走线的并排和交叠的设计,用于信号的传递。由于小尺寸面板显示模式的限制,其信号走线上的电容提取相对于大尺寸面板有很大的区别。其中,金属走线的侧向电容和交叠电容就是小尺寸面板设计考量的重点,侧向电容和交叠电容为小尺寸面板金属走线驱动的主要负载。因此,如何有效地提取金属走线的寄生电容成为小尺寸面板设计的重点。

由示意图分析可知,图1中对应于数字1至9的各金属走线之间的寄生电容可以等效为每根金属走线分别至GND(地线)的电容,即如图2中所示寄生电容分别表示为Ct1至Ct9,而每根金属走线寄生电容的有效量测则是小尺寸面板走线设计的重点。



技术实现要素:

因此,本发明的目的在于提供一种显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法,用于有效量测金属走线之间的侧向电容或交叠电容大小。

为实现上述目的,本发明提供一种显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法,包括:

步骤10、提供第一组电路版图,其包括测试部分及公共部分,该测试部分包含待量测的金属走线,该公共部分包含引线及与引线相连接的量测垫;该引线及相连接的量测垫一一对应于该金属走线,该引线一端连接对应的金属走线,另一端连接相应的量测垫;

步骤20、利用该第一组电路版图中的量测垫量测第一组寄生电容数据;

步骤30、提供第二组电路版图,其仅包括该第一组电路版图中的公共部分;

步骤40、利用该第二组电路版图中的量测垫量测第二组寄生电容数据;

步骤50、将该第一组寄生电容数据与第二组寄生电容数据对应相减以得到对应的金属走线的寄生电容。

其中,所述引线与对应的金属走线相连的一端的形状为该对应的金属走线的形状的自然延伸。

其中,所述待量测的金属走线为平行的金属走线,所述金属走线的寄生电容为侧向电容。

其中,所述待量测的金属走线为交叠的金属走线,所述金属走线的寄生电容为交叠电容。

其中,所述显示面板为LTPS面板。

其中,所述引线包括与对应的金属走线连接并按照该对应的金属走线形状延伸的第一平行延伸部分,连接该第一平行延伸部分的斜线延伸部分,以及连接该斜线延伸部分并与该第一平行延伸部分平行的第二平行延伸部分。

其中,所述待量测的金属走线对应于该显示面板的WOA区域。

其中,所述待量测的金属走线对应于该显示面板的GOA区域。

综上,本发明的显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法适用于LTPS面板的电容量测,能够量测出金属走线之间有效的侧向电容和交叠电容大小,为小尺寸产品设计提供很好的参考价值。

附图说明

下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中,

图1为现有一般小尺寸LTPS面板中的金属走线设计示意图;

图2为现有一般小尺寸LTPS面板金属走线之间寄生电容的等效示意图;

图3为本发明显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法的流程图;

图4为本发明第一较佳实施例中金属走线之间侧向电容测量的电路版图示意图;

图5为本发明第一较佳实施例中侧向电容测量的等效电路图;

图6为本发明第二较佳实施例中金属走线之间交叠电容测量的电路版图示意图;

图7为本发明第二较佳实施例中交叠电容测量的等效电路图。

具体实施方式

参见图3,其为本发明显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法的流程图。该方法主要包括:

步骤10、提供第一组电路版图,其包括测试部分及公共部分,该测试部分包含待量测的金属走线,该公共部分包含引线及与引线相连接的量测垫;该引线及相连接的量测垫一一对应于该金属走线,该引线一端连接对应的金属走线,另一端连接相应的量测垫;

步骤20、利用该第一组电路版图中的量测垫量测第一组寄生电容数据;

步骤30、提供第二组电路版图,其仅包括该第一组电路版图中的公共部分;

步骤40、利用该第二组电路版图中的量测垫量测第二组寄生电容数据;

步骤50、将该第一组寄生电容数据与第二组寄生电容数据对应相减以得到对应的金属走线的寄生电容。

由于小尺寸面板显示模式的限制,其信号走线(金属走线)上的电容提取相对于大尺寸面板有很大的区别。其中,金属走线的侧向电容和交叠电容就是小尺寸面板设计考量的重点,侧向电容和交叠电容为小尺寸面板金属走线驱动的主要负载。因此,如何有效地萃取金属走线的寄生电容成为小尺寸面板设计的重点。其中,显示面板可以为LTPS面板。待量测的金属走线可以对应于该显示面板的WOA区域,也可以对应于该显示面板的GOA区域。待量测的金属走线可以为平行的金属走线,金属走线的寄生电容为侧向电容;待量测的金属走线也可以为交叠的金属走线,金属走线的寄生电容为交叠电容。

参见图4及图5,图4为本发明第一较佳实施例中金属走线之间侧向电容测量的电路版图设计示意图,图5为本发明第一较佳实施例中侧向电容测量的等效电路图。

为测量侧向电容,图4中的上下分别显示了本发明第一较佳实施例中所提供的金属走线侧向电容测量的第一组和第二组两组电路版图设计。本发明通过两组版图设计提供了两组量测点位(Testkey)。如图4所示,一组量测点位采用通常(Normal)设计,测试部分包含待量测的平行的金属走线,公共部分包含引线及与引线相连接的量测垫1……9。引线(斜线区域)与对应的金属走线相连的一端的形状为该对应的金属走线的形状的自然延伸,包括与对应的金属走线连接并按照该对应的金属走线形状延伸的第一平行延伸部分11,连接该第一平行延伸部分的斜线延伸部分12,以及连接该斜线延伸部分12并与该第一平行延伸部分11平行的第二平行延伸部分13。从平行的金属走线通过引线连接至量测垫(Pad),利用量测垫进行金属走线之间侧向电容的量测。另一组量测点位没有进行平行金属走线的设计,只有斜线区域(引线)和量测垫区域,利用量测垫进行斜线区域和量测垫区域寄生电容的量测。将两组测试点位量测的数据进行对比分析,第一组量测点位量测的电容数据减去第二组量测点位量测的电容数据,即是真实的平行金属走线之间的有效侧向电容。

图5中的上下分别显示了图4中第一组和第二组两组电路版图设计的等效电路图。由图5分析可知,第一组量测点位量测的电容为C(公共部分))和C(测试部分,即侧向电容)之和,即Ct1+Cc1,Ct2+Cc2,……Ct9+Cc9,第二组量测点位量测的电容为C(公共部分),即Cc1,Cc2,……Cc9。第一组量测点位量测数据减去第二组量测点位量测数据即为C(侧向电容)。

本发明提供的金属走线侧向电容的版图设计能够有效的排除量测垫区域和斜线区域金属对于平行金属走线区域侧向电容量测的影响,能够量测出平行信号走线之间有效的侧向电容大小,为小尺寸产品设计提供很好的参考价值。

参见图6及图7,图6为本发明第二较佳实施例中金属走线之间交叠电容测量的电路版图设计示意图,图7为本发明第二较佳实施例中交叠电容测量的等效电路图。

为测量交叠电容,图6中的上下分别显示了本发明第二较佳实施例中所提供的金属走线侧向电容测量的第一组和第二组两组电路版图设计。本发明通过两组版图设计提供了两组量测点位。如图6所示,一组量测点位采用通常设计,测试部分包含待量测的呈十字交叠的金属走线,公共部分包含引线及与引线相连接的量测垫1,2,引线(斜线区域)与对应的金属走线相连的一端的形状为该对应的金属走线的形状的自然延伸,从交叠的金属走线通过引线连接至量测垫,利用量测垫进行金属走线之间交叠电容的量测。另一组量测点位没有进行交叠金属走线的设计,只有斜线区域(引线)和量测垫区域,利用量测垫进行斜线区域和量测垫区域寄生电容的量测。将两组测试点位量测的数据进行对比分析,第一组量测点位量测的电容数据减去第二组量测点位量测的电容数据,即是真实的交叠金属走线之间的有效寄生电容。

图7中的上下分别显示了图6中第一组和第二组两组电路版图设计的等效电路图。由图6分析可知,第一组量测点位量测的电容为C(公共部分)和C(测试部分,即交叠电容)之和,第二组量测点位量测的电容为C(公共部分)。第一组量测点位量测数据减去第二组量测点位量测数据即为C(交叠电容)。

本发明提供的金属走线交叠电容的版图设计能够有效的排除测试垫区域和斜线区域金属对于交叠金属走线区域交叠电容量测的影响,能够量测出交叠信号走线之间有效的交叠电容大小,为小尺寸产品设计提供很好的参考价值。

本发明可应用于:

1.集成在阵列(Array)基板上的液晶显示器行扫描(Gate)驱动电路和像素中薄膜晶体管(TFT)设计;

2.手机,显示器,电视的设计领域;

3.涵盖LTPS TFT设计领域。

综上,本发明的显示面板的金属走线的寄生电容的量测方法适用于LTPS面板的电容量测,能够量测出金属走线之间有效的侧向电容和交叠电容大小,为小尺寸产品设计提供很好的参考价值。

以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

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