1.一种便携式测量硅材料电阻率的四针探头，包括笔型壳体、四探针（1）、探针导线（7）、集成电路板（8）、LED灯（9）、语音孔（10）、固线器（11）、导线组（12）、数码管（13），其特征在于所述笔型壳体包括探针座筒（2）、十字凸缘筒（3）、握竿筒（4）、信号筒（5）、线帽筒（6），所述握竿筒（4）一端螺纹连接设置信号筒（5），所述信号筒（5）另一端螺纹连接设置线帽筒（6），所述线帽筒（6）另一端螺纹连接设置固线器（11）；所述握竿筒（4）另一端内部侧壁上设置十字凹槽，十字凹槽上设置十字凸缘筒（3），所述十字凸缘筒（3）另一侧螺纹连接设置探针座筒（2），所述探针座筒（2）与握竿筒（4）螺纹连接，所述探针座筒（2）另一端的圆台型侧面上设置四探针（1）；所述信号筒（5）一侧面中部设置矩形平面，矩形平面上并排设置数码管（13）和红蓝绿三个LED灯（9），靠近线帽筒（6）和矩形平面的信号筒（5）一端圆柱面侧壁上设置语音孔（10），所述信号筒（5）内部设置集成电路板（8）；所述集成电路板（8）与四探针（1）、语音孔（10）、LED灯（9）、数码管（13）均电连接，所述集成电路板（8）通过导线组（12）贯穿固线器（11）后与外部电源和信号控制电路电连接。
2.根据权利要求1所述的便携式测量硅材料电阻率的四针探头，其特征在于所述集成电路板（8）包括电源模块、两个八位数码管、两个硅结构CMOS器件、语音电路模块、LED电路模块、9位端子排，所述两个硅结构CMOS器件包括8位移位寄存器和8位存储器，均与两个八位数码管电连接，所述八位数码管通过连接分压电阻连接电源模块+5V电压端子得到所需电压；所述两个硅结构CMOS器件相关引脚电连接后，连接电源模块+5V电压端子得到所需电压，同时与9位端子排第一、二、三引脚电连接；所述9位端子排第四、五、六、七引脚均同时连接LED电路模块、语音电路模块和四探针（1）的四个探针端子；9位端子排和语音电路模块与电源模块+5V电压端子电连接。
3.根据权利要求2所述的便携式测量硅材料电阻率的四针探头，其特征在于所述语音电路模块包括三极管Q1、喇叭LS1、电阻R5、电阻R6,所述三极管Q1发射极接地，集电极连接喇叭LS1负极；喇叭LS1负极串联电阻R5后，连接喇叭LS1正极，再连接+5V电源；三极管Q1基极串联电阻R6后，连接9位端子排第七引脚；
所述LED电路模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和LED灯，所述LED灯包括LED灯1、LED灯2、LED灯3，所述LED灯1、LED灯2、LED灯3负极均接地，正极分别串联电阻R1、电阻R2、电阻R3；所述电阻R1、电阻R2、电阻R3的另一端依次连接9位端子排第四、五、六引脚；
所述9位端子排第九引脚接地，第八引脚与电源模块+5V电压端子电连接。
4.根据权利要求2所述的便携式测量硅材料电阻率的四针探头，其特征在于所述电源模块的电压通过导线组（12）连接外部测量硅材料电阻率的装置提供。
5.根据权利要求1所述的便携式测量硅材料电阻率的四针探头，其特征在于四探针（1）的金属探针采用直径0.5mm的钨钢针；四探针（1）的金属探针与集成电路板（8）连接的探针导线（7）采用1.5mm铜线。
6.一种硅材料电阻率测试方法，采用权利要求1～5任一项所述的便携式测量硅材料电阻率的四针探头，其特征在于，所述硅材料电阻率测试方法步骤如下：
第一步，将四探针（1）的导线组（12）连接测量硅材料电阻率的外部装置；
第二步，四探针（1）的四个金属探针以一定的压力压在方块电阻或其它半导体材料上；
第三步，调节测量硅材料电阻率的外部装置，获取到不同的电压，自动计算出电阻、电阻率；
第四步，一手持终端，一手持探头，数码管显示硅材料电阻率，通过LED灯点亮提示或语音播报硅材料类型，即分析LED灯（9）的颜色和语音孔（10）声音，通过LED灯（9）红蓝绿的颜色可辨别硅材料的PN型，通过语音可辨别重掺型；
第五步，记录、分析测试数据。