技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种移相电路、移相器和辐射性能的测试方法及装置。所述移相电路包括：一个移相器、主接收通道和辅接收通道；所述移相器的输入端与时钟信号输入源的输出端连接；所述移相器的第一输出端分别与所述主接收通道的同向分量支路和所述辅接收通道的同向分量支路连接；所述移相器的第二输出端分别与所述主接收通道的移相分量支路和所述辅接收通道的移相分量支路连接。本发明实施例提供的移相电路、移相器和辐射性能的测试方法及装置，主接收通道和辅接收通道共用一个移相器将信号移相，可有效的避免主辅接收通道的参考信号天线相对相位产生随机的±180°翻转，从而实现TD‑LTE终端可以采用辐射两阶段法完成辐射接收性能的测试。
技术研发人员：林代娟;张勇;陈文杰
受保护的技术使用者：联芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2018.07.03