1.一种具有高稳定性的硅电容结构，包括集成电路(2)以及连接在所述集成电路(2)一侧的压块(6)，其特征在于：所述压块(6)底端设有玻璃一(7)；所述玻璃一(7)底端设有硅芯片(8)，且所述硅芯片(8)底端设有封接面(9)；所述硅芯片(8)中间连接硅膜片(1)，所述封接面(9)连接玻璃二(10)，且所述玻璃二(10)一侧设有密封面(3)；所述玻璃二(10)底端连接导压管(5)，且所述导压管(5)在加热块(4)的中心面；所述加热块(4)一侧设有引脚(11)。
2.根据权利要求1所述的一种具有高稳定性的硅电容结构，其特征在于：所述玻璃一(7)和所述玻璃二(10)均设有两块，且两块玻璃一(7)和所述玻璃二(10)形成对称结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有高稳定性的硅电容结构，其特征在于：所述硅芯片(8)与所述硅膜片(1)连接形成岛膜结构，且所述硅芯片(8)的厚度比所述硅膜片(1)的厚度厚。
4.根据权利要求3所述的一种具有高稳定性的硅电容结构，其特征在于：所述集成电路(2)连接所述压块(6)和所述加热块(4)。
5.根据权利要求4所述的一种具有高稳定性的硅电容结构，其特征在于：所述硅芯片(8)与所述玻璃二(10)、所述玻璃一(7)之间通过所述封接面(9)连接。