1.一种斜抛光纤低压传感器，其特征在于，包括V型光纤槽、硅敏感膜以及斜抛光纤，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅-硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里-珀罗腔。
2.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，光纤反射面的倾角为45°。
3.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，所述光纤反射面镀银膜；银膜厚度为50nm。
4.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，V型光纤槽、硅敏感膜均基于硅片腐蚀工艺制成。
5.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，所述斜抛光纤端面所具有的光纤反射面是通过斜抛光纤工艺制成。