技术总结
本实用新型公开了一种斜抛光纤低压传感器，通过传统的MEMS微细加工与光纤斜抛技术相结合形成一个新型结构，利用V型槽阵列固定端面镀膜的45度斜抛光纤，另一面与硅敏感膜基底键合，光纤45度端面与硅基底的敏感膜形成法布里‑珀罗腔。同时还公开了制作该传感器的方法，主要步骤为：通过湿法腐蚀法在硅晶圆上制作V型光纤槽阵列和一定厚度的硅敏感膜阵列，利用硅‑硅键合技术将硅敏感膜基底和V型光纤槽键合，随后固定单模光纤将其压紧，最后划片并封装。本实用新型结构新颖，灵敏度高，可靠性好，线性测量范围大，成本低廉，可批量生产，应用于工业中的压力检测。
技术研发人员：王鸣;郭余庆;王军;蒋伟;王读根
受保护的技术使用者：江苏能建机电实业集团有限公司
文档号码：201621035358
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.06.30