X射线成像的方法与流程
本公开涉及x射线成像的方法。
背景技术：
造影剂(也称为造影介质)可在医学成像中用于提高受检者内结构或流体的对比度。例如，造影剂可用于提高血管和胃肠道的可见度。
在例如电脑断层摄影(ct)、放射摄影和萤光透视等x射线成像中使用的造影剂可叫作放射性对比剂。放射性对比剂的示例包括碘化合物、钡化合物、空气和二氧化碳。
使用造影剂允许消除重叠结构的影响。例如，当成像血管在人体深处时，例如与血管重叠的骨头等致密结构可使x射线照片上的血管模煳不清。血管的对比度可通过将不影响致密结构的对比度的造影剂引入血管而提高。在引入造影剂之后拍摄的x射线图像与引入之前拍摄的x射线图像之间的差异应仅大致示出由造影剂引起的提高并且该提高定位于血管处。即，差异不包括致密结构的影响。在引入造影剂之前拍摄的x射线图像可叫作掩模。
然而，造影剂的引入可能花费一些时间。在引入之前和之后拍摄的x射线图像从而在时间上是分开的。场景的时间变化可在引入造影剂的时间期间例如由于受检者移动而出现。时间变化可在x射线图像之间的差异中导致伪像。
技术实现要素：
本文公开这样的方法，其包括：将处于第一波长范围的x射线和处于第二波长范围的x射线引导到受检者；将造影剂引入受检者；用处于第一波长范围的x射线捕捉第一图像并且用处于第二波长范围的x射线捕捉第二图像；确定第一图像与第二图像之间的差分图像；造影剂与处于第一波长范围的x射线之间的交互强度和造影剂与处于第二波长范围的x射线之间的交互强度是不同的。
根据实施例，第一波长范围和第二波长范围不重叠。
根据实施例，第一波长范围和第二波长范围未完全重叠。
根据实施例，方法进一步包括从相同x射线源产生处于第一波长范围的x射线和处于第二波长范围的x射线。
根据实施例，产生处于第一波长范围的x射线和处于第二波长范围的x射线包括使用不同滤波器来滤波。
根据实施例，通过摄入或注射来引入造影剂。
根据实施例，交互强度具有至少1.2的比率。
根据实施例，交互是衰减。
根据实施例，第一图像和第二图像都在引入造影剂后捕捉。
根据实施例，第一图像和第二图像在相同时间被捕捉。
根据实施例，第一图像和第二图像使用相同x射线检测器来捕捉。
根据实施例，差分图像包括第一图像与第二图像之间的加权位点相关差异。
根据实施例，捕捉第一图像和第二图像包括使用x射线检测器，其包括多个像素；x射线检测器包括：x射线吸收层，其包括电触点；第一电压比较器，其配置成将电触点的电压与第一阈值比较；第二电压比较器，其配置成将该电压与第二阈值比较；控制器；多个计数器，每个与仓关联并且配置成记录像素中的一个所吸收的x射线光子的数目，这些x射线光子的能量落在仓中；控制器配置成从第一电压比较器确定电压的绝对值等于或超出第一阈值的绝对值的时间启动时间延迟；控制器配置成确定x射线光子的能量是否落入仓内；控制器配置成促使与仓关联的计数器记录的数目增加一。
根据实施例，x射线检测器进一步包括电容器模组，其电连接到电触点，该电容器模组配置成从电触点收集载流子。
根据实施例，控制器配置成在时间延迟开始或终止时启动第二电压比较器。
根据实施例，控制器配置成使电触点连接到电接地。
根据实施例，电压变化率在时间延迟终止时大致为零。
根据实施例，x射线吸收层包括二极管。
根据实施例，x射线吸收层包括硅、锗、gaas、cdte、cdznte或其组合。
根据实施例，x射线检测器的每个像素配置成在一段时间内对其上入射的、能量落在多个仓中的x射线光子的数目计数；并且检测器配置成使所有像素所计数的具有相同能量范围的仓的x射线光子数目相加。
根据实施例，装置不包括闪烁体。
根据实施例，x射线检测器配置成将相加的数目编译为x射线检测器上入射的x射线光子的能谱。
根据实施例，多个像素设置在阵列中。
根据实施例，像素配置成在相同时段内对x射线光子的数目计数。
根据实施例，像素中的每个包括模数转换器(adc)，其配置成使代表入射x射线光子的能量的模拟信号数字化为数字信号。
根据实施例，像素配置成并行操作。
根据实施例，像素中的每个配置成测量它的暗电流。
【附图说明】
图1a示意示出在将造影剂引入受检者之前进行成像。
图1b示意示出在将造影剂引入受检者之后进行成像。
图1c示意示出获得差分图像。
图1d示意示出根据实施例的方法的流程图。
图2示意示出根据实施例适合于在不同波长范围拍摄图像的x射线检测器。
图3a示意示出根据实施例的检测器的横截面图。
图3b示意示出根据实施例的检测器的详细横截面图。
图3c示意示出根据实施例的检测器的备选详细横截面图。
图4a和图4b各自示出根据实施例的检测器的电子系统的部件图。
图5示意示出由与电触点关联的像素上入射的x射线光子产生的载流子引起的流过电触点的电流的时间变化(上曲线)和电触点的电压的对应时间变化(下曲线)。
图6示意示出根据实施例的检测器的框图。
图7示出根据实施例的图6中的步骤151的示例流程图。
图8示意示出根据实施例由暗电流引起的电触点的电压的时间变化。
【具体实施方式】
如图1a示意示出的，x射线源11将x射线朝受检者中的特征12和特征13引导，并且捕捉该受检者的图像14a。在将造影剂引入受检者之前捕捉该图像14a。特征12可具有与x射线的较强交互(例如，衰减)并且使特征13在图像14a中模煳不清。
如图1b示意示出的，将造影剂引入受检者。造影剂改变特征13的对比度但不改变特征12的对比度。在引入造影剂后捕捉受检者的图像14b。如果特征13与x射线的交互仍然不比特征12与x射线的交互强得多，特征13可仍然被特征12弄得模煳不清。
图1c示意示出差分图像14ba(即，图像14b与14a之间的差异)可通过从图像14b扣除图像14a而获得或反之亦然。因为特征12的对比度不受造影剂的影响，差分图像14ba大致未示出特征12但示出由造影剂引起的特征13的对比度差异。特征12从而在差分图像14ba中未被特征13弄得模煳不清。
图1d示意示出根据实施例的方法的流程。受检者(例如，人)在x射线成像中。在过程1010中，处于第一波长范围的x射线和处于第二波长范围的x射线被引导到受检者。在实施例中，第一波长范围和第二波长范围不重叠。在实施例中，第一波长范围和第二波长范围未完全重叠，即，第一波长范围不是第二波长范围的子集并且第二波长范围不是第一波长范围的子集。处于第一波长范围的x射线和处于第二波长范围的x射线可从相同x射线源产生。例如，处于第一波长范围的x射线和处于第二波长范围的x射线可通过使广谱x射线经受不同的带通滤波器而产生。在过程1020中，将造影剂引入受检者。例如，可通过摄入和注射引入造影剂。造影剂与处于第一波长范围的x射线的交互强度和造影剂与处于第二波长范围的x射线之间的交互强度是不同的。在各种实施例中，交互强度具有至少1.2、至少1.5、至少2、至少5或至少10的比率。交互可以是衰减。过程1010和1020可按任何顺序或同时实施。在过程1030中，用处于第一波长范围的x射线捕捉第一图像1035并且用处于第二波长范围的x射线捕捉第二图像1036。第一图像1035和第二图像1036都在过程1020中引入造影剂后捕捉。第一图像1035和第二图像1036可在相同时间被捕捉。第一图像1035和第二图像1036可使用相同x射线检测器来捕捉。在过程1040中，确定第一图像1035与第二图像1036之间的差分图像1045。差分图像1045可包括第一图像1035与第二图像1036之间的未加权或加权位点相关差异。在其中第一图像1035和第二图像1036可分别由函数s1(x，y)和s2(x，y)表示的示例中，差分图像1045可表示为s2(x，y)-s1(x，y)或a2s2(x，y)-a1s1(x，y)，其中权重a1和a2是正数。
图2示意示出根据实施例适合于在不同波长范围拍摄图像的x射线检测器100。该检测器具有像素150的阵列。阵列可以是矩形阵列、蜂窝状阵列、六边形阵列或任何其他适合的阵列。每个像素150配置成检测其上入射的x射线光子并且测量x射线光子的能量。例如，每个像素150配置成在一段时间内对其上入射的、能量落在多个仓中的x射线光子的数目计数。所有像素150可配置成在相同时段内对其上入射的、能量在多个仓内的x射线光子的数目计数。每个像素150可具有它自己的模数转换器(adc)，其配置成使代表入射x射线光子的能量的模拟信号数字化为数字信号。adc可具有10位或更高的分辨率。每个像素150可配置成测量它的暗电流，例如在每个x射线光子入射在其上之前或与之并发。每个像素150可配置成从其上入射的x射线光子的能量减去暗电流的贡献。像素150可配置成并行操作。例如，在一个像素150测量入射x射线光子时，另一个像素150可等待x射线光子到达。像素150可以但不必独立可寻址。
检测器100可具有至少100、2500、10000个或更多的像素150。检测器100可配置成使所有像素150所计数的具有相同能量范围的仓的x射线光子的数目相加。例如，检测器100可使像素150存储在能量从80kev到81kev的仓中的数目相加、使像素150存储在能量从81kev到82kev的仓中的数目相加，等等。检测器100可将仓的相加数字编译为检测器100上入射的x射线光子的能谱。
图3a示意示出根据实施例的检测器100的横截面图。检测器100可包括x射线层110和电子层120(例如，asic)，用于处理或分析入射x射线在x射线吸收层110中产生的电信号。在实施例中，检测器100不包括闪烁体。x射线吸收层110可包括半导体材料，例如硅、锗、gaas、cdte、cdznte或其组合。半导体对于感兴趣的x射线能量可具有高的质量衰减系数。
如在图3b中的检测器100的详细横截面图中示出的，根据实施例，x射线吸收层110可包括由第一掺杂区111、第二掺杂区113的一个或多个离散区114形成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。第二掺杂区113可通过本征区112(可选)而与第一掺杂区111分离。离散部分114通过第一掺杂区111或本征区112而彼此分离。第一掺杂区111和第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，区111是p型并且区113是n型，或区111是n型并且区113是p型)。在图3b中的示例中，第二掺杂区113的离散区114中的每个与第一掺杂区111和本征区112(可选)一起形成二极管。即，在图3b中的示例中，x射线吸收层110具有多个二极管，其具有第一掺杂区111作为共用电极。第一掺杂区111还可具有离散部分。
在x射线光子撞击x射线吸收层110(其包括二极管)时，x射线光子可被吸收并且通过许多机制产生一个或多个载流子。一个x射线光子可产生10至100000个载流子。载流子可在电场下向二极管中的一个的电极漂移。场可以是外部电场。电触点119b可包括离散部分，其中的每个与离散区114电接触。在实施例中，载流子可在多个方向上漂移使得单个x射线光子产生的载流子大致未被两个不同离散区114共用(“大致未被共用”在这里意指这些载流子中不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流向与余下载流子不同的离散区114中的一个)。在这些离散区114中的一个的足迹周围入射的x射线光子产生的载流子大致未与这些离散区114中的另一个共用。与离散区114关联的像素150可以是围绕离散区114的区域，其中由其中入射的x射线光子产生的载流子中的大致全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向离散区114。即，这些载流子中不到2％、不到1％、不到0.1％或不到0.01％流到像素外。
如在图3c中的检测器100的备选详细横截面图中示出的，根据实施例，x射线吸收层110可包括具有半导体材料(例如硅、锗、gaas、cdte、cdznte或其组合)的电阻器，但不包括二极管。半导体对于感兴趣的x射线能量可具有高的质量衰减系数。
在x射线光子撞击x射线吸收层110(其包括电阻器但不包括二极管)时，它可被吸收并且通过许多机制产生一个或多个载流子。一个x射线光子可产生10至100000个载流子。载流子可在电场下向电触点119a和119b漂移。场可以是外部电场。电触点119b包括离散部分。在实施例中，载流子可在多个方向上漂移使得单个x射线光子产生的载流子大致未被电触点119b的两个不同离散部分共用(“大致未被共用”在这里意指这些载流子中不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流向与余下载流子不同的离散区中的一个)。在电触点119b的这些离散部分中的一个的足迹周围入射的x射线光子产生的载流子大致未与电触点119b的这些离散部分中的另一个共用。与电触点119b的离散部分关联的像素150可以是围绕离散部分的区域，其中由其中入射的x射线光子产生的载流子中的大致全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向电触点119b的离散部分。即，这些载流子中不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流到与电触点119b的一个离散部分关联的像素外。
电子层120可包括电子系统121，其适合于处理或解释x射线吸收层110上入射的x射线光子产生的信号。电子系统121可包括例如滤波网路、放大器、积分器和比较器等模拟电路或例如微处理器等数字电路和内存。电子系统121可包括像素共用的部件或专用于单个像素的部件。例如，电子系统121可包括专用于每个像素的放大器和在所有像素之间共用的微处理器。电子系统121可通过通孔131电连接到像素。通孔之间的空间可用填充材料130填充，其可使电子层120到x射线吸收层110的连接的机械稳定性增加。在不使用通孔的情况下使电子系统121连接到像素的其他接合技术是可能的。
图4a和图4b各自示出根据实施例的电子系统121的部件图。电子系统121可包括第一电压比较器301、第二电压比较器302、多个计数器320(其包括计数器320a、320b、320c、320d)、开关305、adc306和控制器310。
第一电压比较器301配置成将电触点119b的离散部分的电压与第一阈值比较。第一电压比较器301可配置成直接监测电压，或通过使一段时间内流过二极管或电触点的电流整合来计算电压。第一电压比较器301可由控制器310可控地启动或停用。第一电压比较器301可以是连续比较器。即，第一电压比较器301可配置成被连续启动，并且连续监测电压。配置为连续比较器的第一电压比较器301使系统121错过由入射x射线光子产生的信号的机会减少。配置为连续比较器的第一电压比较器301在入射x射线强度相对高时尤其适合。第一电压比较器301可以是钟控比较器，其具有较低功耗的益处。配置为钟控比较器的第一电压比较器301可导致系统121错过由一些入射x射线光子产生的信号。在入射x射线强度低时，错过入射x射线光子的机会因为两个连续光子之间的间隔相对长而较低。因此，配置为钟控比较器的第一电压比较器301在入射x射线强度相对低时尤其适合。第一阈值可以是一个入射x射线光子可在电触点119b上产生的最大电压的1-5％、5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。最大电压可取决于入射x射线光子的能量(即，入射x射线的波长)，x射线吸收层110的材料和其他因素。例如，第一阈值可以是50mv、100mv、150mv或200mv。
第二电压比较器302配置成将电压与第二阈值比较。第二电压比较器302可配置成直接监测电压，或通过使一段时间内流过二极管或电触点的电流整合来计算电压。第二电压比较器302可以是连续比较器。第二电压比较器302可由控制器310可控地启动或停用。在停用第二电压比较器302时，第二电压比较器302的功耗可以是启动第二电压比较器302时的功耗的不到1％、不到5％、不到10％或不到20％。第二阈值的绝对值大于第一阈值的绝对值。如本文使用的，术语实数x的“绝对值”或“模数”|x|是x的非负值而不考虑它的符号。即，
第一电压比较器301或第二电压比较器302可包括一个或多个运算放大器或任何其他适合的电路。第一电压比较器301或第二电压比较器302可具有高的速度以允许系统121在高的入射x射线通量下操作。然而，具有高的速度通常以功耗为代价。
计数器320可以是软件部件(例如，电脑内存中存储的数目)或硬件部件(例如，4017ic和7490ic)。每个计数器320与对于一定能量范围的仓关联。例如，计数器320a可与70-71kev的仓关联，计数器320b可与71-72kev的仓关联，计数器320c可与72-73kev的仓关联，计数器320d可与73-74kev的仓关联。在入射x射线光子的能量由adc306确定为在计数器320与之关联的仓中时，计数器320中记录的数目增加一。
控制器310可以是例如微控制器和微处理器等硬件部件。控制器310配置成从第一电压比较器301确定电压的绝对值等于或超出第一阈值的绝对值(例如，电压的绝对值从第一阈值的绝对阈值以下增加到等于或超过第一阈值的绝对值的值)的时间启动时间延迟。在这里因为电压可以是负的或正的而使用绝对值，这取决于是使用二极管的阴极还是阳极的电压或使用哪个电触点。控制器310可配置成在第一电压比较器301确定电压的绝对值等于或超出第一阈值的绝对值的时间之前，保持停用第二电压比较器302、计数器320和第一电压比较器301的操作不需要的任何其他电路。时间延迟可在电压变稳定(即，电压的变化率大致为零)之后终止。短语“变化率大致为零”意指时间变化小于0.1％/ns。短语“变化率大致为非零”意指电压的时间变化是至少0.1％/ns。
控制器310可配置成在时间延迟期间(其包括开始和终止)启动第二电压比较器。在实施例中，控制器310配置成在时间延迟开始时启动第二电压比较器。术语“启动”意指促使部件进入操作状态(例如，通过发送例如电压脉冲或逻辑电平等信号、通过提供电力等)。术语“停用”意指促使部件进入非操作状态(例如，通过发送例如电压脉冲或逻辑电平等信号、通过切断电力等)。操作状态可具有比非操作状态更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。控制器310本身可被停用直到第一电压比较器301的输出在电压的绝对值等于或超出第一阈值的绝对值时才启动控制器310。
如果在时间延迟期间第二电压比较器302确定电压的绝对值等于或超出第二阈值的绝对值并且x射线光子的能量落在与计数器320关联的仓中，控制器310可配置成促使计数器320中的一个记录的数目增加一。
控制器310可配置成在时间延迟终止时促使adc306使电压数字化并且基于电压确定x射线光子的能量落在哪个仓中。
控制器310可配置成使电触点119b连接到电接地，以便使电压重定并且使电触点119b上累积的任何载流子放电。在实施例中，电触点119b在时间延迟终止后连接到电接地。在实施例中，电触点119b在有限复位时期连接到电接地。控制器310可通过控制开关305而使电触点119b连接到电接地。开关可以是晶体管，例如场效应晶体管(fet)。
在实施例中，系统121没有模拟滤波器网路(例如，rc网路)。在实施例中，系统121没有模拟电路。
adc306可将它测量的电压作为模拟或数字信号馈送给控制器310。adc可以是逐次逼近型寄存器(sar)adc(也叫作逐次逼近adc)。saradc在最终汇聚于模拟信号的数字输出之前经由通过所有可能量化等级的二进位搜索来使模拟信号数字化。saradc可具有四个主要子电路：采样和保持电路，用于获取输入电压(vin)；内部数模转换器(dac)，其配置成对模拟电压比较器供应等于逐次逼近型寄存器(sar)的数字代码输出的模拟电压，该模拟电压比较器将vin与内部dac的输出比较并且向sar输出比较结果，sar配置成向内部dac供应vin的逼近数字代码。sar可被初始化使得最高有效位(msb)等于数字1。该代码被馈送到内部dac内，其然后将该数字代码的模拟等效物(vref/2)供应到比较器内用于与vin比较。如果该模拟电压超出vin，比较器促使sar将该位重定；否则，位留下1。然后sar的下一个位设置为1并且进行相同测试，从而继续该二进位搜索直到sar中的每个位已被测试。所得的代码是vin的数字逼近并且最后在数字化结束时由sar输出。
系统121可包括电容器模组309，其电连接到电触点119b，其中电容器模组配置成从电触点119b收集载流子。电容器模组可以包括放大器的反馈路径中的电容器。如此配置的放大器叫作电容跨阻放大器(ctia)。ctia通过防止放大器饱和而具有高的动态范围并且通过限制信号路径中的带宽来提高信噪比。来自电极的载流子在一段时间(“整合期”)(例如，如在图5中示出的，在ts至t0之间)内在电容器上累积。在整合期终止后，由adc306对电容器电压采样并且然后由重定开关将其重定。电容器模组309可以包括直接连接到电触点119b的电容器。
图5示意示出由与电触点119b关联的像素150上入射的x射线光子产生的载流子引起的流过电触点119b的电流的时间变化(上曲线)和电触点119b的电压的对应时间变化(下曲线)。电压可以是电流关于时间的整合。在时间t0，x射线光子撞击二极管或电阻器，载流子开始在像素150中产生，电流开始流过电触点119b，并且电触点119b的电压的绝对值开始增加。在时间t1，第一电压比较器301确定电压的绝对值等于或超出第一阈值v1的绝对值，并且控制器310启动时间延迟td1并且控制器310可在td1开始时停用第一电压比较器301。如果控制器310在t1之前被停用，在t1启动控制器310。在td1期间，控制器310启动第二电压比较器302。如这里使用的术语在时间延迟“期间”意指开始和终止(即，结束)和中间的任何时间。例如，控制器310可在td1终止时启动第二电压比较器302。如果在td1期间，第二电压比较器302确定在时间t2电压的绝对值等于或超出第二阈值的绝对值，控制器310等待电压稳定来稳定。电压在时间te稳定，这时x射线光子产生的所有载流子漂移出x射线吸收层110。在时间ts，时间延迟td1终止。在时间te或时间te之后，控制器310促使adc306使电压数字化并且确定x射线光子的能量落在哪个仓中。控制器310然后促使对应于仓的计数器320记录的数目增加一。在图5的示例中，时间ts在时间te之后；即td1在x射线光子产生的所有载流子漂移出x射线吸收层110之后终止。如果不易测量时间te，可以根据经验选择td1以允许有足够时间收集x射线光子产生的基本上所有载流子但并未太长而冒着具有另一个入射x射线光子的风险。即，可以根据经验选择td1使得时间ts根据经验在时间te后。时间ts不一定在时间te后，因为一旦达到v2控制器310可忽视td1并且等待时间te。电压与暗电流对电压的贡献之间的差异的变化率从而在ts大致为零。控制器310可配置成在td1终止时或在t2或中间的任何时间停用第二电压比较器302。
在时间te电压与x射线光子产生的载流子的数量成比例，该数量与x射线光子的能量有关。控制器310可配置成基于adc306的输出确定x射线光子的能量所落入的仓。
在td1终止或被adc306数字化后，无论哪个在后，控制器310在复位期rst使电触点119b连接到电接地以允许电触点119b上累积的载流子流到地面并且使电压重定。在rst之后，系统121准备检测另一个入射x射线光子。系统121在图5的示例中可以应对的入射x射线光子的速率隐式地受限于1/(td1+rst)。如果第一电压比较器301被停用，控制器310可以在rst终止之前的任何时间启动它。如果控制器310被停用，可在rst终止之前启动它。
因为检测器100具有可并行操作的许多像素150，检测器可以应对速率高得多的入射x射线光子。这是因为特定像素150上的入射率是整个阵列像素上的入射率的1/n，其中n是像素数目。
图6示意示出根据实施例的检测器100的框图。每个像素150可测量其上入射的x射线光子的能量151。x射线光子的能量151在步骤152中被数字化(例如，由adc)为多个仓153a、153b、153c…中的一个。仓153a、153b、153c…每个分别具有对应的计数器154a、154b和154c。当能量151分配到仓内时，对应计数器中存储的数目增加一。检测器100可使对应于像素150中的相同能量范围的仓的所有计数器中存储的数目相加。例如，所有像素150中的所有计数器154c中存储的数目可相加并且存储在对于相同能量范围的全局计数器100c中。所有全局计数器中存储的数目可编译为检测器100上入射的x射线的能谱。
图7示出根据实施例对于图6中的步骤151的示例流程图。在步骤701中，例如使用第一电压比较器301将暴露于x射线光子的二极管或电阻器的电触点119b的电压与第一阈值比较。在步骤702中，例如用控制器310确定电压的绝对值是否等于或超出第一阈值v1的绝对值。如果电压的绝对值不等于或不超出第一阈值的绝对值，方法回到步骤701。如果电压的绝对值等于或超出第一阈值的绝对值，继续到步骤703。在步骤703中，测量t＝(t1-t0)。在步骤704中，例如使用控制器310启动时间延迟td1。在步骤705中，例如使用第二电压比较器302将电压与第二阈值比较。在步骤706中，例如使用控制器310确定电压的绝对值是否等于或超出第二阈值v2的绝对值。如果电压的绝对值不等于或不超出第二阈值的绝对值，方法回到步骤707。在步骤707中，使用t测量暗电流对电压的贡献。在示例中，确定t是否大于之前测量的最大t(tmax)。如果之前未测量t，tmax＝0。如果t大于tmax，用t代替tmax(即，t变成新的tmax)。暗电流对电压的贡献处于v1/tmax的比率。如果在该示例中测量暗电流，在步骤709中暗电流的贡献是((tm-tr)·v1/tmax)，其中tr是最后复位期的结束。与该公开中的任何时间间隔一样，可以通过对脉冲计数(例如，对时钟周期或时钟脉冲计数)来测量(tm-tr)。在检测器100的每个测量之前，tmax可重定为零。可通过对t1与t0之间的脉冲的数目计数来测量t，如在图5和图8中示意示出的。使用t测量暗电流对电压的贡献的另一个方式包括提取t分布的参数(例如，t的预期值(texpected))并且将暗电流对电压的贡献率估计为v1/texpected。在步骤708中，例如通过使电触点119b连接到电接地，将电压重定为电接地。如果电压的绝对值等于或超出第二阈值的绝对值，继续到步骤709。在步骤709中，在电压稳定后在时间tm测量它，并且扣除暗电流对测量电压的贡献。时间tm可以是td1终止之后且在rst之前的任何时间。在图6中在步骤152中将结果提供给adc。复位期结束的时间(例如，电触点119b从电接地断开的时间)是tr。
图8示意示出根据实施例由暗电流引起的电触点119b的电压的时间变化。在rst后，电压由于暗电流而增加。暗电流越高，电压达到v1所花的时间越少(即t越短)。因此，t是暗电流的度量。暗电流不可能大到足以在td1期间促使电压达到v2但入射x射线光子引起的电流可能大到足以这么做。该差异可用于识别暗电流的效应。图8中的流程可在像素150测量一系列入射光子时在每个像素150中实施，这将允许捕捉暗电流的变化(例如，由变化的环境(例如温度)引起)。
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