技术特征：
技术总结
本发明公开了一种晶圆局部处理方法，其涉及半导体技术领域，所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；将用于对晶圆表面进行处理的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。本发明中的晶圆局部处理方法能够有效控制腐蚀液的运动，进而控制晶圆表面局部的腐蚀深度，进而能够对晶圆材料内部给定的深度范围内的污染杂质进行提取与检测。
技术研发人员：温子瑛;王致凯
受保护的技术使用者：无锡华瑛微电子技术有限公司
技术研发日：2017.02.14
技术公布日：2018.08.21