1.一种自动磁场补偿的装置，包括旋转台(15)，其特征在于，还包括设置在旋转台(15)上的三维亥姆霍兹线圈和三维一阶梯度线圈，旋转台(15)上横向设置有筒状的有机玻璃管(32)，有机玻璃管(32)上绕设有Z2梯度线圈(8)，有机玻璃管(32)内通过支撑杆固定有支撑台(10)，支撑台(10)上设置有位于矩形面的四个顶角的第一磁阻芯片(7)、第二磁阻芯片(9)、第三磁阻芯片(30)和第四磁阻芯片(31)，矩形面与水平面的夹角为45度，三维亥姆霍兹线圈包括X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)和Z轴亥姆霍兹线圈(4)，三维一阶梯度线圈包括X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)，Z2梯度线圈(8)的中心轴线、有机玻璃管(32)中心轴线、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的中心轴线、Z轴一阶梯度线圈(2)的中心轴线重合，Z2梯度线圈(8)中心点、三维亥姆霍兹线圈中心点、三维一阶梯度线圈中心点、有机玻璃管(32)中心点、矩形面中心点重合。
2.根据权利要求1所述的一种自动磁场补偿的装置，其特征在于，还包括用于对第一磁阻芯片(7)、第二磁阻芯片(9)、第三磁阻芯片(30)和第四磁阻芯片(31)输出的信号进行差分放大的差分放大电路(20)，差分放大电路(20)通过第一多通道控制卡(18)与计算机(16)连接，计算机(16)与第二多通道控制卡(26)连接，第二多通道控制卡(26)与X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)、Z2梯度线圈(8)连接，第二多通道控制卡(26)还通过功放电路(24)分别与X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)和Z轴亥姆霍兹线圈(4)连接。
3.根据权利要求1所述的一种自动磁场补偿的装置，其特征在于，所述的旋转台(15)上设置有矩形放置块(11)，矩形放置块(11)上开设有条形放置槽，条形放置槽的横切面为倒三角形，有机玻璃管(32)放置在条形放置槽内。
4.根据权利要求1所述的一种自动磁场补偿的装置，其特征在于，所述的X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)均包括共中心轴线的一对线圈，X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的中心点重合，X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的中心轴线相互垂直，X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的外径相等，X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)之间通过亚克力塑料支架以及塑料螺钉进行相互固定。
5.根据权利要求1所述的一种自动磁场补偿的装置，其特征在于，所述的X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)均包括共中心轴线的一对线圈，X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)的中心点重合，X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)的中心轴线相互垂直，X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)的外径相等，X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)的每对线圈的距离D与外径d比例均为0.886，X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)之间通过亚克力塑料支架与塑料螺钉进行固定。
6.根据权利要求1所述的一种自动磁场补偿的装置，其特征在于，所述的Z2梯度线圈(8)包括第一环形线圈对和第二环形线圈对，第一环形线圈对的两个环形线圈的距离与外径比例为1.2，第二环形线圈对的两个环形线圈的距离与外径比例为0.3，第一环形线圈对和第二环形线圈对的中心轴线、有机玻璃管(32)中心轴线重合。
7.根据权利要求6所述的一种自动磁场补偿的装置，其特征在于，所述的第一环形线圈对和第二环形线圈对均设置在有机玻璃管(32)外壁的线槽中。
8.利用权利要求1所述的装置进行自动磁场补偿的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、为X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)分别依次加载设定的各个给定电压，使用第一磁阻芯片(7)分别测试X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)在各个给定电压值对应的磁场值大小，分别拟合X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的给定电压与磁场的比值关系；
为X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)分别依次加载设定的各个给定电流，使用第一磁阻芯片(7)分别测试X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)在各个给定电流值对应的磁场值大小，分别线性拟合X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)的给定电流与磁场的比值关系；
为Z2梯度线圈(8)依次加载给定电流，使用第一磁阻芯片(7)测试在各个给定电流条件下对应的磁场值大小，线性拟合Z2梯度线圈(8)的给定电流与磁场的比值关系；
步骤2、设定旋转台(15)的旋转速度，X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)、X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)、Z2梯度线圈(8)、第一磁阻芯片(7)、第二磁阻芯片(9)、第三磁阻芯片(30)、第四磁阻芯片(31)均随着旋转台(15)在水平面内旋转；
步骤3、初始化目标磁场值B0矩阵，目标磁场值B0矩阵为一个1×12的矩阵；
步骤4、使用第一磁阻芯片(7)、第二磁阻芯片(9)、第三磁阻芯片(30)、第四磁阻芯片(31)测得磁场值Bn，n代表测量的次数，获得测量磁场值Bn矩阵，测量磁场值Bn矩阵为一个1×12矩阵，测量磁场值Bn矩阵中的元素从上到下分别对应第一磁阻芯片(7)测得X轴向、Y轴向、Z轴向的磁场值，第二磁阻芯片(9)测得X轴向、Y轴向、Z轴向的磁场值，第三磁阻芯片(30)测得X轴向、Y轴向、Z轴向的磁场值，以及第四磁阻芯片(31)测得X轴向、Y轴向、Z轴向磁场值；
步骤5、判断目标磁场值B0矩阵减去测量磁场值Bn矩阵后的差值矩阵en的模值是否在误差范围内，若在误差范围，则转到步骤8；若不在误差范围，则转到步骤6；
步骤6、将差值矩阵en进行PID运算获得输出矩阵Pn，输出矩阵Pn为1×12矩阵；
步骤7、将输出矩阵Pn、X轴亥姆霍兹线圈(5)的给定电压与磁场的比值关系、Y轴亥姆霍兹线圈(6)的给定电压与磁场的比值关系、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的给定电压与磁场的比值关系、X轴一阶梯度线圈(1)的给定电流与磁场的比值关系、Y轴一阶梯度线圈(3)的给定电流与磁场的比值关系、Z轴一阶梯度线圈(2)的给定电流与磁场的比值关系、Z2梯度线圈(8)的给定电流与磁场的比值关系，输入到Matlab中的linprog函数中，使用基于线性规划的L1范数规划求解min∑Vi×wi+Ij×Nj最小化优化问题，获得优化矩阵，优化矩阵中的前三个元素分别对应于X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)中的优化加载电压，优化矩阵中的后四个元素分别对应于X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)、Z2梯度线圈(8)中的优化加载电流，转到步骤4，其中，i∈{1、2、3}，j∈{1、2、3、4}，w1、w2、w3分别表示X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的电压权重；V1、V2、V3分别表示X轴亥姆霍兹线圈(5)、Y轴亥姆霍兹线圈(6)、Z轴亥姆霍兹线圈(4)的加载电压；N1、N2、N3、N4分别表示X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)、Z2梯度线圈(8)的电流权重，I1、I2、I3、I4分别表示X轴一阶梯度线圈(1)、Y轴一阶梯度线圈(3)、Z轴一阶梯度线圈(2)、Z2梯度线圈(8)的加载电流，linprog函数的约束条件为:10-3V≤|Vi|≤10V；10-6A≤|Ij|≤2×10-2A；磁场误差△B＝|Bn-B0|≤10nT；磁场均匀度小于等于10-3。