磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法和装置与流程

本发明涉及磁共振成像技术领域，特别是涉及一种磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法和装置。

背景技术：

磁共振成像(magneticresonanceimaging，mri)是随着计算机技术、电子电路技术、超导体技术的发展而迅速发展起来的一种生物磁学核自旋成像技术。它利用磁场与射频脉冲使人体组织内进动的氢核(即h+)发生振动产生射频信号，经计算机处理而成像。当把物体放置在磁场中，用适当的电磁波照射它，使之共振，然后分析它释放的电磁波，就可以得知构成这一物体的原子核的位置和种类，据此可以绘制成物体内部的精确立体图像。比如，可以通过磁共振成像扫描人类大脑获得的一个连续切片的动画，由头顶开始，一直到脚部。

在mri系统中，发射天线电平传感器(tales)是一种精确的射频信号伏特计，用于测量发射线圈的前向和后向功率。发射天线电平传感器长期使用之后容易产生老化等各种故障，造成测量值与实际值发生漂移。

在公开号cn104950272a的中国专利文献中，披露了一种实时检测发射天线电平传感器漂移状态的技术方案。然而，在这种技术中，需要在发射天线电平传感器中增加额外的功率检测元件和控制元件，导致成本问题。

技术实现要素：

本发明实施方式提出一种磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法和装置，无需增加额外的硬件即可对发射天线电平传感器实现检测，可以降低成本。

一种磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法，包括：

在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模，基于发射天线电平传感器的第一功率检测值确定第一体模的第一吸收功率；

在所述预定位置处布置包含第二液体的第二体模，基于所述发射天线电平传感器的第二功率检测值确定所述第二体模的第二吸收功率；

计算所述第一吸收功率与所述第二吸收功率的差值，并基于所述差值与预定的基准值的比较结果确定所述发射天线电平传感器的漂移状态。

在一个实施方式中，该方法还预先包括：

在所述发射天线电平传感器的安装过程时，在所述预定位置处布置所述第一体模，基于所述发射天线电平传感器的第三功率检测值确定第一体模的第三吸收功率，在所述预定位置处布置所述第二体模，基于所述发射天线电平传感器的第四功率检测值确定所述第二体模的第四吸收功率，计算所述第三吸收功率与所述第四吸收功率的差值，将所述第三吸收功率与第四吸收功率的差值确定为所述基准值；或

在所述磁共振成像系统的首次励磁过程时，在所述预定位置处布置所述第一体模，基于所述发射天线电平传感器的第五功率检测值确定所述第一体模的第五吸收功率，在所述预定位置处布置所述第二体模，基于所述发射天线电平传感器的第六功率检测值确定所述第二体模的第六吸收功率，计算所述第五吸收功率与所述第六吸收功率的差值，将所述第五吸收功率与所述第六吸收功率的差值确定为所述基准值。

在一个实施方式中，所述第一功率检测值包括第一前向功率和第一后向功率；所述确定第一体模的第一吸收功率包括：将所述第一前向功率与所述第一后向功率的差，确定为所述第一吸收功率；

所述第二功率检测值包括第二前向功率和第二后向功率；所述确定第二体模的第二吸收功率包括：将所述第二前向功率与所述第二后向功率的差，确定为所述第二吸收功率。

在一个实施方式中，所述第一功率检测值包括第一前向功率a1、第一后向功率b1和发射线圈第一损耗功率c1；所述确定第一体模的第一吸收功率包括：计算m1＝a1-b1-c1，将m1确定为所述第一吸收功率；

所述第二功率检测值包括第二前向功率a2、第二后向功率b2和发射线圈第二损耗功率c2；所述确定第二体模的第二吸收功率包括：计算m2＝a2-b2-c2，将m2确定为所述第二吸收功率。

在一个实施方式中，所述第一液体为非电解质液体，所述第二液体为电解质液体；或

所述第一液体为电解质液体，所述第二液体为非电解质液体；或

所述第一液体为第一电解质液体，所述第二液体为第二非电解质液体，其中所述第一电解质液体与所述第二非电解质液体具有不同的导电系数。

在一个实施方式中，所述预定的基准值为所述发射天线电平传感器的提供方确定的，该方法还包括：

接收所述提供方确定所述预定的基准值时的检测条件。

一种磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测装置，包括：

第一吸收功率计算模块，用于基于发射天线电平传感器的第一功率检测值确定包含第一液体的第一体模的第一吸收功率，其中所述第一体模布置在发射线圈磁场的预定位置处；

第二吸收功率计算模块，用于基于所述发射天线电平传感器的第二功率检测值确定包含第二液体的第二体模的第二吸收功率，其中所述第二体模布置在所述预定位置处；

漂移状态确定模块，用于计算所述第一吸收功率与所述第二吸收功率的差值，并基于所述差值与预定的基准值的比较结果确定所述发射天线电平传感器的漂移状态。

在一个实施方式中，所述第一功率检测值包括第一前向功率和第一后向功率；所述第一吸收功率计算模块，用于将所述第一前向功率与所述第一后向功率的差，确定为所述第一吸收功率；

所述第二功率检测值包括第二前向功率和第二后向功率；所述第二吸收功率计算模块，用于将所述第二前向功率与所述第二后向功率的差，确定为所述第二吸收功率。

在一个实施方式中，所述第一功率检测值包括第一前向功率a1、第一后向功率b1和发射线圈第一损耗功率c1；所述第一吸收功率计算模块，用于计算m1＝a1-b1-c1，将m1确定为所述第一吸收功率；

所述第二功率检测值包括第二前向功率a2、第二后向功率b2和发射线圈第二损耗功率c2；所述第二吸收功率计算模块，用于计算m2＝a2-b2-c2，将m2确定为所述第二吸收功率。

一种存储介质，其特征在于，其中存储有计算机程序，该计算机程序用于执行如上任一项所述的方法。

从上述技术方案可以看出，本发明实施方式包括：在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模，基于发射天线电平传感器的第一功率检测值确定第一体模的第一吸收功率；在预定位置处布置包含第二液体的第二体模，基于发射天线电平传感器的第二功率检测值确定第二体模的第二吸收功率；计算所述第一吸收功率与第二吸收功率的差值，并基于差值与预定的基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态。可见，本发明实施方式通过将测试得到的两个体模的吸收功率差值与预定的基准值进行比较，可以确定发射天线电平传感器是否发生偏移，无需对发射天线电平传感器执行硬件改动即可检测发射天线电平传感器的漂移状态，显著降低了成本。

而且，本发明实施方式可以由发射天线电平传感器的提供方(比如，生产厂家)提供基准值，还可以在发射天线电平传感器的安装过程或首次励磁过程时由用户自行确定基准值，实施方式灵活多样。

附图说明

图1为根据本发明磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法的流程图。

图2为根据本发明第一实施方式，磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法的示范性流程图。

图3为根据本发明第二实施方式，磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法的示范性流程图。

图4为根据磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测装置的结构图。

具体实施方式

为了使本发明的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以阐述性说明本发明，并不用于限定本发明的保护范围。

为了描述上的简洁和直观，下文通过描述若干代表性的实施方式来对本发明的方案进行阐述。实施方式中大量的细节仅用于帮助理解本发明的方案。但是很明显，本发明的技术方案实现时可以不局限于这些细节。为了避免不必要地模糊了本发明的方案，一些实施方式没有进行细致地描述，而是仅给出了框架。下文中，“包括”是指“包括但不限于”，“根据……”是指“至少根据……，但不限于仅根据……”。由于汉语的语言习惯，下文中没有特别指出一个成分的数量时，意味着该成分可以是一个也可以是多个，或可理解为至少一个。

在mri系统中，目前广泛应用有用于影像质量性能检测的各种体模(phantom)。本领域技术人员的通常理解是：体模是用于检测影像质量的，而与发射天线电平传感器并无关联应用。

申请人经过大量测试工作发现如下事实：对于两个体模，只要每个体模的形状和导电性是固定的，而且每个体模都先后放置在同一发射线圈磁场的相同位置处，那么当发射天线电平传感器不存在漂移时，测试得到的这两个体模间的吸收功率差值应该是固定的，即该差值与先后测试时间无关。基于上述事实，申请人还发现：无需对发射天线电平传感器执行硬件改动，通过将测试得到的这两个体模的吸收功率差值与预定的基准值进行比较，可以反过来确定测试时的发射天线电平传感器是否存在偏移。

基于申请人发现的上述事实，本发明实施方式提出一种磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法。

图1为根据本发明磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法的流程图。如图1所示，该方法包括：

步骤101：在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模，基于发射天线电平传感器的第一功率检测值确定第一体模的第一吸收功率。

优选地，可以在磁共振系统的系统维护时间时执行步骤101。在系统维护时间时，在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模，第一体模可以吸收射频信号的部分射频功率。发射天线电平传感器检测射频信号的前向功率和后向功率，并基于前向功率与后向功率之差可以确定第一体模的吸收功率。

而且，确定第一体模的第一吸收功率之后，在预定位置处移开该第一体模。

步骤102：在预定位置处布置包含第二液体的第二体模，基于发射天线电平传感器的第二功率检测值确定所述第二体模的第二吸收功率。

在这里，可以在磁共振系统的系统维护时间执行步骤102。在系统维护时间时，在移开第一体模的预定位置处，接着再布置包含第二液体的第二体模。第二体模所处的磁场环境与步骤101时第一体模所处的磁场环境相同。

同样的，第二体模可以吸收射频信号的部分射频功率。发射天线电平传感器再检测射频信号的前向功率和后向功率，并基于前向功率与后向功率之差可以确定第二体模的吸收功率。

其中，提供发射线圈磁场的发射线圈可以是磁共振成像系统的任意射频线圈，包括但是不局限于：体线圈、颈线圈、头线圈，等等。而且，发射线圈磁场的预定位置优选为发射线圈磁场的中心位置，从而便于检测体模的吸收功率。

步骤103：计算第一吸收功率与第二吸收功率的差值，并基于差值与预定的基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态。

其中，预定的基准值为：当确认发射天线电平传感器没有漂移时，在该预定位置处先后布置第一体模和第二体模，先后确定的第一体模吸收功率与第二体模吸收功率之间的差值。该基准值可以由发射天线电平传感器提供方(比如，生产厂家)提供，也可以由发射天线电平传感器用户自行确定。

当发射天线电平传感器提供方提供基准值时，提供方还应该将确定基准值时的检测条件(比如：第一体模的类型、第一液体的类型、第二体模的类型和第二液体的类型)告知发射天线电平传感器用户，从而发射天线电平传感器用户在后续的检测过程中，基于相同的检测条件来检测体模之间的吸收功率差值。

当发射天线电平传感器用户自行确定基准值时，应该在确认发射天线电平传感器没有发生漂移时预先确定出基准值。

下面对发射天线电平传感器用户自行确定基准值的优选实施方式进行具体说明。

申请人发现：刚安装的发射天线电平传感器通常为新的发射天线电平传感器，没有发生漂移。因此，在一个实施方式中，发射天线电平传感器用户可以在发射天线电平传感器的安装过程时确定该基准值。具体地：在发射天线电平传感器的安装过程时，在预定位置处布置第一体模，发射天线电平传感器检测射频信号功率，检测值为第三功率检测值；基于发射天线电平传感器的第三功率检测值确定第一体模的第三吸收功率；然后，移开第一体模，再在该相同的预定位置处布置第二体模，发射天线电平传感器检测射频信号功率，检测值为第四功率检测值；基于发射天线电平传感器的第四功率检测值确定第二体模的第四吸收功率；计算第三吸收功率与第四吸收功率的差值，将第三吸收功率与第四吸收功率的差值确定为基准值。

申请人还发现：在磁共振成像系统的首次励磁过程时，发射天线电平传感器通常为新的发射天线电平传感器，没有发生漂移。因此，在一个实施方式中，发射天线电平传感器用户可以在磁共振成像系统的首次励磁过程时定该基准值。具体地：在磁共振成像系统的首次励磁过程时，在预定位置处布置第一体模，发射天线电平传感器检测射频信号功率，检测值为第五功率检测值；基于发射天线电平传感器的第五功率检测值确定第一体模的第五吸收功率；然后，移开第一体模，再在预定位置处布置第二体模，发射天线电平传感器检测射频信号功率，检测值为第六功率检测值；基于发射天线电平传感器的第六功率检测值确定第二体模的第六吸收功率，计算第五吸收功率与第六吸收功率的差值，将第五吸收功率与第六吸收功率的差值确定为基准值。

具体地，基于差值与预定的基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态包括：当差值与预定的基准值的比较结果小于等于预定的门限值时，认为差值与预定的基准值足够接近，此时确定发射天线电平传感器没有发生偏移。当差值与预定的基准值的比较结果大于预定的门限值时，认为差值与预定的基准值并不足够接近，此时确定发射天线电平传感器发生偏移。

在一个实施方式中，第一功率检测值包括第一前向功率和第一后向功率；步骤101中确定第一体模的第一吸收功率包括：将第一前向功率与第一后向功率的差，确定为第一吸收功率。此时，步骤102中第二功率检测值包括第二前向功率和第二后向功率；确定第二体模的第二吸收功率包括：将第二前向功率与第二后向功率的差，确定为第二吸收功率。在这种实施方式中，简单认定放置第一体模时的发射线圈损耗功率与放置第二体模时的发射线圈损耗功率相同，因此可以降低吸收功率的计算复杂程度。

在一个实施方式中，第一功率检测值包括第一前向功率a1、第一后向功率b1和发射线圈第一损耗功率c1；步骤101中确定第一体模的第一吸收功率包括：计算m1＝a1-b1-c1，将m1确定为第一吸收功率。此时，第二功率检测值包括第二前向功率a2、第二后向功率b2和发射线圈第二损耗功率c2；步骤102中确定第二体模的第二吸收功率包括：计算m2＝a2-b2-c2，将m2确定为第二吸收功率。在这种实施方式中，并不简单认定放置第一体模时的发射线圈损耗功率与放置第二体模时的发射线圈损耗功率相同，而是分别检测出放置第一体模时的发射线圈损耗功率与放置第二体模时的发射线圈损耗功率，并在后续的吸收功率计算过程中分别扣除发射线圈损耗功率的影响，因此吸收功率的计算结果更加准确。

优选地，第一液体与第二液体应该具有不同的导电系数。比如，当第一液体为非电解质液体时，第二液体为电解质液体(比如，氯化钠液体)。比如，当第一液体为电解质液体，第二液体为非电解质液体(比如，油)。比如，当第一液体为第一电解质液体，第二液体为第二非电解质液体，其中第一电解质液体与第二非电解质液体具有不同的导电系数(举例，第一电解质液体和第一电解质液体都为氯化钠液体，但是具有不同的氯化钠浓度)。

而且，第一体模和第二体模即可以具有相同的形状，还可以具有不同的形状。比如，第一体模实施为球体；第二体模实施为与第一体膜相同的球体。比如，第一体模实施为球体；第二体模实施为与第一体膜具有不容直径的球体。比如，第一体模实施为球体；第二体模实施为立方体或任意不规则形状。

以上示范性描述了第一液体与第二液体的具体液体种类，以及第一体模和第二体模的具体形状，本领域技术人员可以意识到，这种描述仅是示范性的，并不用于限定本发明实施方式的保护范围。

下面描述包括基准值确定过程的发射天线电平传感器的示范性检测方法。

图2为根据本发明第一实施方式，磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法的示范性流程图。

如图2所示，该方法包括：

步骤201：在发射天线电平传感器的安装过程时，在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第一体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤201中得到的射频信号前向功率减去步骤201中得到的射频信号后向功率即为第一体模的吸收功率。

步骤202：在发射天线电平传感器的安装过程时，移走第一体模，在发射线圈磁场的该相同预定位置处布置包含与第一液体具有不同的导电系数的第二液体的第二体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第二体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤202中得到的射频信号前向功率减去步骤202中得到的射频信号后向功率即为第二体模的吸收功率。

步骤203：计算第一体模的吸收功率与第二体模的吸收功率的差值，将该差值确定为基准值，并保存该基准值。

步骤204：在磁共振系统的系统维护时间，在发射线圈磁场的相同的预定位置处布置包含第一液体的第一体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第一体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤204中得到的射频信号前向功率减去步骤204中得到的射频信号后向功率即为第一体模的吸收功率。

步骤205：在磁共振系统的系统维护时间，移走第一体模，在发射线圈磁场的相同的预定位置处布置第二体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第二体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤205中得到的射频信号前向功率减去步骤205中得到的射频信号后向功率即为第二体模的吸收功率。

步骤206：计算步骤204中得到的第一体模的吸收功率与步骤205中得到的第二吸收功率的差值，并基于该差值与步骤203中保存的预定基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态。其中，当差值与预定的基准值之差大于预定的门限值时，确定发射天线电平传感器发生偏移；当差值与预定的基准值之差小于等于预定的门限值时，确定发射天线电平传感器没有发生偏移。而且，可以对发生偏移的发射天线电平传感器执行返厂维修等善后处理。

图3为根据本发明第二实施方式，磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测方法的示范性流程图。

如图3所示，该方法包括：

步骤301：在磁共振成像系统的首次励磁过程时，在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第一体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤301中得到的射频信号前向功率减去步骤301中得到的射频信号后向功率即为第一体模的吸收功率。

步骤302：在磁共振成像系统的首次励磁过程时，移走第一体模，在发射线圈磁场的该相同预定位置处布置包含与第一液体具有不同的导电系数的第二液体的第二体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第二体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤302中得到的射频信号前向功率减去步骤302中得到的射频信号后向功率即为第二体模的吸收功率。

步骤303：计算第一体模的吸收功率与第二体模的吸收功率的差值，将该差值确定为基准值，并保存该基准值。

步骤304：在磁共振系统的系统维护时间，在发射线圈磁场的相同的预定位置处布置包含第一液体的第一体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第一体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤304中得到的射频信号前向功率减去步骤304中得到的射频信号后向功率即为第一体模的吸收功率。

步骤305：在磁共振系统的系统维护时间，移走第一体模，在发射线圈磁场的相同的预定位置处布置第二体模。发射天线电平传感器检测射频信号功率，基于发射天线电平传感器的功率检测值确定第二体模的吸收功率。比如，功率检测值包括发射天线电平传感器检测得到的射频信号前向功率和射频信号后向功率，此时将步骤305中得到的射频信号前向功率减去步骤305中得到的射频信号后向功率即为第二体模的吸收功率。

步骤306：计算步骤304中得到的第一体模的吸收功率与步骤305中得到的第二吸收功率的差值，并基于该差值与步骤303中保存的预定基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态。其中，当差值与预定的基准值之差大于预定的门限值时，确定发射天线电平传感器发生偏移；当差值与预定的基准值之差小于等于预定的门限值时，确定发射天线电平传感器没有发生偏移。而且，可以对发生偏移的发射天线电平传感器执行返厂维修等善后处理。

基于上述描述，本发明实施方式还提出了一种发射天线电平传感器的检测装置。

图4为根据磁共振成像系统的发射天线电平传感器的检测装置的结构图。

如图4所示，检测装置包括：

第一吸收功率计算模块401，用于基于发射天线电平传感器的第一功率检测值确定包含第一液体的第一体模的第一吸收功率，其中第一体模布置在发射线圈磁场的预定位置处；

第二吸收功率计算模块402，用于基于发射天线电平传感器的第二功率检测值确定包含第二液体的第二体模的第二吸收功率，其中第二体模布置在该预定位置处；

漂移状态确定模块403，用于计算第一吸收功率与第二吸收功率的差值，并基于差值与预定的基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态。

在一个实施方式中，第一功率检测值包括第一前向功率和第一后向功率；第一吸收功率计算模块401，用于将第一前向功率与第一后向功率的差，确定为第一吸收功率；第二功率检测值包括第二前向功率和第二后向功率；第二吸收功率计算模块402，用于将第二前向功率与第二后向功率的差，确定为第二吸收功率。

在一个实施方式中，第一功率检测值包括第一前向功率a1、第一后向功率b1和发射线圈第一损耗功率c1；第一吸收功率计算模块401，用于计算m1＝a1-b1-c1，将m1确定为第一吸收功率；第二功率检测值包括第二前向功率a2、第二后向功率b2和发射线圈第二损耗功率c2；第二吸收功率计算模块402，用于计算m2＝a2-b2-c2，将m2确定为第二吸收功率。

需要说明的是，上述各流程和各结构图中不是所有的步骤和模块都是必须的，可以根据实际的需要忽略某些步骤或模块。各步骤的执行顺序不是固定的，可以根据需要进行调整。各模块的划分仅仅是为了便于描述采用的功能上的划分，实际实现时，一个模块可以分由多个模块实现，多个模块的功能也可以由同一个模块实现，这些模块可以位于同一个设备中，也可以位于不同的设备中。

各实施方式中的硬件模块可以以机械方式或电子方式实现。例如，一个硬件模块可以包括专门设计的永久性电路或逻辑器件(如专用处理器，如fpga或asic)用于完成特定的操作。硬件模块也可以包括由软件临时配置的可编程逻辑器件或电路(如包括通用处理器或其它可编程处理器)用于执行特定操作。至于具体采用机械方式，或是采用专用的永久性电路，或是采用临时配置的电路(如由软件进行配置)来实现硬件模块，可以根据成本和时间上的考虑来决定。

本发明还提供了一种机器可读的存储介质，存储用于使一机器执行如本申请所述发射天线电平传感器的检测方法的指令。具体地，可以提供配有存储介质的系统或者装置，在该存储介质上存储着实现上述实施方式中任一实施方式的功能的软件程序代码，且使该系统或者装置的计算机(或cpu或mpu)读出并执行存储在存储介质中的程序代码。此外，还可以通过基于程序代码的指令使计算机上操作的操作系统等来完成部分或者全部的实际操作。还可以将从存储介质读出的程序代码写到插入计算机内的扩展板中所设置的存储器中或者写到与计算机相连接的扩展单元中设置的存储器中，随后基于程序代码的指令使安装在扩展板或者扩展单元上的cpu等来执行部分和全部实际操作，从而实现上述实施方式中任一实施方式的功能。

用于提供程序代码的存储介质实施方式包括软盘、硬盘、磁光盘、光盘(如cd-rom、cd-r、cd-rw、dvd-rom、dvd-ram、dvd-rw、dvd+rw)、磁带、非易失性存储卡和rom。可选择地，可以由通信网络从服务器计算机上下载程序代码。

综上所述，本发明实施方式包括：在发射线圈磁场的预定位置处布置包含第一液体的第一体模，基于发射天线电平传感器的第一功率检测值确定第一体模的第一吸收功率；在预定位置处布置包含第二液体的第二体模，基于发射天线电平传感器的第二功率检测值确定第二体模的第二吸收功率；计算所述第一吸收功率与第二吸收功率的差值，并基于差值与预定的基准值的比较结果确定发射天线电平传感器的漂移状态。可见，本发明实施方式通过将测试得到的两个体模的吸收功率差值与预定的基准值进行比较，可以确定测试时的发射天线电平传感器是否发生偏移，无需对发射天线电平传感器执行硬件改动即可检测发射天线电平传感器的漂移状态，显著降低了成本。

而且，本发明实施方式可以由发射天线电平传感器生产厂家提供基准值，还可以在发射天线电平传感器的安装过程或首次励磁过程时由用户自行确定基准值，实施方式灵活多样。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。