带电量测定装置的制作方法

本实用新型涉及一种带电量测定装置。

背景技术：

利用密封树脂来密封半导体芯片的半导体装置具有利用树脂来密封半导体芯片的构造。半导体装置的可靠性中包括各种指标。

(实用新型所要解决的课题)

半导体装置的可靠性的一种指标包括静电的易存留度。在静电容易存留时，半导体的可靠性容易降低。因此，在密封半导体装置的密封树脂中，需要测定静电的易存留度。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的课题在于提供一种测定密封树脂的易带电程度的测定装置。

(用于解决技术课题的手段)

根据本实用新型，提供一种带电量测定装置，具有：

使半导体芯片带静电的带电装置；以及

测定利用所述带电装置带电的所述半导体芯片的带电量的测定装置，

所述带电装置具有：

载置被测定物的载置台，所述被测定物的至少上表面是密封半导体芯片的密封树脂；

静电产生机构，该静电产生机构通过水平方向反复摩擦载置于所述载置台的所述被测定物的所述上表面而在所述被测定物上产生静电。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够提供一种测定密封树脂的易带电程度的测定装置。

附图说明

图1是表示第一实施方式的带电装置的结构的图。

图2是表示第二实施方式的带电量测定装置的结构的图。

附图标记说明

10 被测定物

20 带电量测定装置

100 带电装置

110 载置台

112 移动机构

120 静电产生机构

122 驱动机构

124 臂部

126 接触部件

128 移动机构

130 控制部

200 测定装置

210 带电传感器

220 距离传感器

222 移动机构

224 框架

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，在所有附图中，对同样结构要素标注同样的附图标记，并省略适当说明。

(第一实施方式)

图1是表示本实施方式的带电装置100的结构的图。带电装置100用于测定被测定物 10的易带电程度。被测定物10是例如半导体装置，包括利用密封树脂密封半导体芯片的结构。在该情况下，被测定物10在下表面或侧面具有端子。另外，被测定物10也可以是在密封半导体芯片时所使用的密封树脂单体，即也可以是不包含半导体芯片的密封树脂。在任一情况下，被测定物10的上表面为密封树脂。带电装置100通过与被测定物10的上表面接触，而使被测定物10带电。

具体而言，带电装置100具有载置台110以及静电产生机构120。载置台110是用于载置被测定物10的台，例如用不锈钢等金属形成。

静电产生机构120位于载置台110的上方，具有接触部件126、臂部124以及驱动机构122。接触部件126与被测定物10的上表面接触而产生静电。接触部件126用容易产生静电的物质形成，例如用橡胶形成。臂部124例如是金属制的棒状部件，在下端安装有接触部件126。臂部124的上端安装于驱动机构122。驱动机构122具有：使接触部件126 上下移动的第一机构；以及使接触部件126沿水平方向移动的第二机构。任一机构都具有例如电动机以及齿轮。驱动机构122在利用第一机构使接触部件126与被测定物10的上表面接触后，利用第二机构使接触部件126反复水平移动。由此，接触部件126能够反复摩擦被测定物10的上表面。

此外，接触部件126也可以能够从臂部124拆卸。因此，若再准备由互不相同的材质形成的多个接触部件126，则能够根据被测定物10的状态选择适当的接触部件126，且将所选择的接触部件126安装于臂部124。

带电装置100还具有控制部130。控制部130控制驱动机构122的动作。控制部130 具有例如微型电子计算机以及存储器，利用存储在存储器中的软件来控制驱动机构122 的动作。

另外，载置台110也可以安装于移动机构112。移动机构112使载置台110在水平面内移动。另外，也可以在静电产生机构120安装有移动机构128。移动机构128使静电产生机构120在水平面内移动。移动机构112以及移动机构128都具有步进电动机等电动机，并由控制部130控制。通过设置移动机构112以及移动机构128中的至少一方，能够使静电产生机构120的接触部件126的位置以高精度配合于被测定物10的上表面。

在本实施方式中，在对被测定物10进行带电处理时，首先，移动机构112使载置台 110位于与静电产生机构120不重合的位置。接下来，将被测定物10载置于载置台110 上。接下来，移动机构112使载置台110位于静电产生机构120的下方。上述的移动机构 112的动作由例如控制部130控制。接下来，控制部130使驱动机构122的第一机构动作，使接触部件126与被测定物10的上表面接触。接下来，控制部130使驱动机构122的第二机构动作，使接触部件126沿着被测定物10的上表面往复移动。由此，被测定物10 的上表面由接触部件126反复摩擦。由此，使被测定物10的上表面带电。

由此，根据本实施方式，能够对半导体装置的密封树脂进行带电处理。

(第二实施方式)

图2是表示第二实施方式的带电量测定装置20的结构的图。本实施方式的带电量测定装置20具有带电装置100以及测定装置200。带电装置100具有如第一实施方式所示的结构。但是，移动机构112能够使载置台110在静电产生机构120的下方与测定装置 200的下方之间往复移动。换言之，载置台110上的被测定物10能够在静电产生机构120 的下方与测定装置200的下方之间往复移动。

测定装置200例如利用框架224被支承在比载置台110更高的位置，具有带电传感器 210。

带电传感器210测定位于该带电传感器210的下方的被测定物10的带电量。在被测定物10的例如上表面带电时，起因于该带电而在被测定物10的上方产生电场。带电传感器210通过检测该电场，来测定被测定物10的上表面的带电量。为了更高精度地进行该测定，需要使从被测定物10的上表面到带电传感器210的距离成为预先设定的距离。

因此，测定装置200具有距离传感器220以及移动机构222。

移动机构222使保持带电传感器210的保持部件(例如框体)上下移动。移动机构 222的动作由控制部130控制。此外，移动机构固定于框架224。

距离传感器220保持在与带电传感器210相同的保持部件(例如框体)上，与带电传感器210的相对位置被固定。并且，距离传感器220测定被测定物10与距离传感器220 的距离，即测定带电传感器210与被测定物10的距离。距离传感器220的测定结果向控制部130输出。控制部130控制移动机构222以使得距离传感器220的测定结果成为基准值，换言之使得带电传感器210与被测定物10的距离成为基准值。

在本实施方式中，在测定被测定物10的易带电程度时，首先，使用带电装置100对被测定物10进行带电处理。此时的被测定物10的动作与第一实施方式相同。在使被测定物10带电后，移动机构112使载置台110向测定装置200的下方移动，然后，移动机构 222使带电传感器210上下移动，以使得带电传感器210的距离成为基准距离，之后，测定被测定物10的带电量。

由此，根据本实施方式，使用带电装置100，对被测定物10进行预先确定次数或时间的带电处理。然后，利用测定装置200测定被测定物10的带电量。因此，通过使用测定装置200的测定结果，能够判断被测定物10的易带电程度。

以上，参照附图对本实用新型的实施方式进行了说明，但是，这些实施方式是本实用新型的例示，能够采用除了上述结构以外的各种结构。