1.一种降噪装置，设置在磁共振系统的梯度线圈与射频线圈之间，其特征在于，包括：外侧消声层、中间层及内侧消声层；
所述外侧消声层上开设有若干穿孔；
所述中间层包括多个声波通道和相对设置的端环，且所述声波通道连接两相对设置的端环；
所述内侧消声层与所述声波通道形成多个腔体，所述腔体通过所述穿孔与外部连通。
2.根据权利要求1所述的降噪装置，其特征在于，所述降噪装置设置成筒形，所述端环沿降噪装置的周向分布，所述声波通道沿降噪装置的轴线相平行的方向延伸。
3.根据权利要求2所述的降噪装置，其特征在于，多个所述声波通道沿周向间隔设置，并包括若干相互连通的声波通道单元，所述声波通道单元包括串联连通的第一声波通道和第二声波通道，所述第一声波通道沿周向的宽度大于所述第二声波通道沿周向的宽度。
4.根据权利要求3所述的降噪装置，其特征在于，所述端环设置成空心结构，多个所述声波通道通过所述端环相连通。
5.根据权利要求3所述的降噪装置，其特征在于，所述声波通道沿所述中间层的圆周方向等间隔阵列分布。
6.根据权利要求1所述的降噪装置，其特征在于，所述中间层由多孔性吸声材料或吸声结构构成。
7.一种磁共振系统，包括：
超导磁体，所述超导磁体环绕形成检测空间；
降噪装置，设置于所述检测空间中；
梯度线圈，设置于所述检测空间中，且位于所述降噪装置的外侧；
射频线圈，设置于所述检测空间中，且位于所述降噪装置的内测；
所述降噪装置内部设置有多个谐振腔，所述降噪装置的外侧壁设置有多个穿孔，所述谐振腔通过所述穿孔与外部连通。
8.根据权利要求7所述的磁共振系统，其特征在于，所述降噪装置包括外侧消声层、中间层和内侧消声层，所述穿孔设置在所述外侧消声层，所述外侧消声层和所述内侧消声层形成闭合空间，所述中间层通过声波通道将所述闭合空间间隔成多个谐振腔组。
9.根据权利要求8所述的磁共振系统，其特征在于，所述多个谐振腔组沿所述射频线圈的周向方向设置，所述谐振腔组包括多个相互连通的谐振腔，所述谐振腔与声波通道单元相对应。
10.根据权利要求8所述的磁共振系统，其特征在于，所述中间层包括多个声波通道和相对设置的端环，所述端环沿所述射频线圈的周向方向设置，所述声波通道沿所述射频线圈的轴向方向相平行的方向延伸，且所述声波通道连接两相对设置的端环。