本发明涉及压电传感器技术领域，具体为一种压电传感器的基片。
背景技术：
压电传感器是利用某些电介质受力后产生的压电效应制成的传感器。所谓压电效应是指某些电介质在受到某一方向的外力作用而发生形变(包括弯曲和伸缩形变)时，由于内部电荷的极化现象，会在其表面产生电荷的现象。压电材料可分为压电单晶、压电多晶和有机压电材料。压电式传感器中用得最多的是属于压电多晶的各类压电陶瓷和压电单晶中的石英晶体。其他压电单晶还有适用于高温辐射环境的铌酸锂以及钽酸锂、镓酸锂、锗酸铋等。压电片一般由基片和粘合于基片两面的压电晶片构成，压电片的弹性柔顺系数主要取决于基片的材质、几何尺寸以及几何形状等。现有的压电传感器的基片体积密度大，成本高，抗干扰性能差。
技术实现要素：
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的缺陷，提供一种电传感器的基片。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种压电传感器的基片，该压电传感器的基片包括基片本体，所述基片本体的顶部表面和底部表面都均匀设置有凹孔，每相邻两组所述凹孔之间设置有弧形孔。
优选的，所述凹孔的深度为弧形孔的深度的1.5-2倍。
优选的，所述凹孔采用照相腐蚀印刷制版工艺制成。
优选的，该压电传感器的基片包括如下组成成分：
氧化铝：2-3份；二氧化硅：2-3份；碳酸钙：3-4份和稀土元素0.5-1份。
优选的，所述稀土元素为la和nd中的至少一种。
优选的，该压电传感器的基片的制备方法为：将氧化铝：2-3份；二氧化硅：2-3份；碳酸钙：3-4份和稀土元素0.5-1份在加入添加剂的条件下经过煅烧制成。
优选的，所述添加剂为硅石灰。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提出的一种压电传感器的基片，具有优良的抗干扰性能，且便于涂胶，方便压电晶片的粘接，介电常数小，电绝缘性能好，热膨胀系数与集成电路中的元件相差小，体积密度小，大大降低了压电传感器的质量，便于生产，成本低廉。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
图中：1基片本体、2凹孔、3弧形孔。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供的压电传感器的基片，该压电传感器的基片包括基片本体1，所述基片本体1的顶部表面和底部表面均均匀设置有凹孔2，每相邻两组所述凹孔2之间设置有弧形孔3。
本发明通过该结构能够有效的提高基片的弹性柔顺系数，提高基片的抗疲劳性能，同时，便于涂胶，方便压电晶片的粘接。采用该结构后本发明所提供的基片具有优良的抗干扰性能，体积密度小，降低了压电传感器的质量。
其中，所述凹孔2的深度为弧形孔3的深度的1.5-2倍，所述凹孔2采用照相腐蚀印刷制版工艺制成，该压电传感器的基片包括如下组成成分：氧化铝：2-3份；二氧化硅：2-3份；碳酸钙：3-4份和稀土元素0.5-1份，所述稀土元素为la和nd中的至少一种，该压电传感器的基片的制备方法为：将氧化铝：2-3份；二氧化硅：2-3份；碳酸钙：3-4份和稀土元素0.5-1份在加入添加剂的条件下经过煅烧制成，所述添加剂为硅石灰。
实施例1
将氧化铝：2份；二氧化硅：3份；碳酸钙：3份和稀土元素1份在加入硅石灰的条件下经过煅烧，煅烧温度为1000摄氏度，保温0.4小时。
实施例2
将氧化铝：3份；二氧化硅：2份；碳酸钙：4份和稀土元素0.5份在加入硅石灰的条件下经过煅烧，煅烧温度为1600摄氏度，保温0.7小时。
实施例3
将氧化铝：2.5份；二氧化硅：2.5份；碳酸钙：3.5份和稀土元素0.7份在加入硅石灰的条件下经过煅烧，煅烧温度为1300摄氏度，保温0.5小时。
综合以上实施例，本发明的最佳实施例为实施例3，该压电传感器的基片，具有优良的抗干扰性能，且便于涂胶，方便压电晶片的粘接，体积密度小，大大降低了压电传感器的质量，成本低廉。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。