一种制备磁光玻璃基单层磁等离激元太赫兹传感薄膜的方法与流程

文档序号:16542774发布日期:2019-01-08 20:35阅读:306来源:国知局
一种制备磁光玻璃基单层磁等离激元太赫兹传感薄膜的方法与流程

本发明涉及磁等离子传感技术领域,尤其是涉及磁光玻璃基磁等离子太赫兹传感系统的制备方法。



背景技术:

随着纳米光子学技术的发展,太赫兹传感、生物芯片等先进领域对等离子纳米材料磁光功能的需求日益迫切,以研究磁性与表面等离激元相互作用的磁等离激元传感技术受到了前所未有的关注。

磁等离子纳米结构描述电子突破衍射极限在外场激励下的集体振荡,具有局域场增强和对介电环境敏感等性质。传统表面等离激元纳米粒子在浑浊溶液,悬浮细胞和生物组织中有很强的背景吸收和散射,且很多有机聚集体和化合物介电常数相似,致使其光谱不能通过荧光和拉曼等光谱技术有效分离。而磁等离子系统显著增大光和物质相互作用,使表面等离激元纳米粒子在共振腔附近产生强大电场并展现较高磁光活性,强化周围分子和介电环境的表面等离子效应和磁光效应,极大提高传感灵敏度,为磁光检测技术在生物、化学和医学传感应用开辟了全新的途径,尤其在诊断学,临床医学,生物镜像学,环境检测学等领域。

目前磁等离子系统应用光谱一般在可见光至中红外,太赫兹作为近年来极有前景的非破坏性、非离子化、低辐射能量的检测频率,在医学、生物学、药学及安全领域有非凡的潜力。通过研制新材料实现在太赫兹区域的磁等离子传感意义重大。

虽然磁等离子传感系统前景诱人,传统等离子金和多层结构巨大光耗以及磁性晶体的高成本使现有磁等离子系统没有发挥其应有的传感优势。新型磁等离子纳米材料和高折射率基底的设计,复杂结构的简化及太赫兹磁光效应的传感增强等关键科技问题迫切需要解决。

金纳米薄膜的光学损耗、介电常数以及纳米晶界造成的散射已成为高性能太赫兹磁等离子传感的瓶颈,研究新型等离激元材料势在必行。石墨烯是从可见光到太赫兹的优良等离子体材料,具有低损耗、高局域性和宽波段激发等优点,并能利用化学掺杂裁剪表面传播等离子体获取超强光&物质作用,可作为替代金的高性能太赫兹等离激元材料。由于洛伦兹力致使石墨烯表面具有很高磁响应,可作为实现太赫兹磁等离子传感的重要材料。由石墨烯层间范德华力作用产生的强烈团聚缺陷可通过掺杂纳米粒子(如本发明中的fe3o4@mos2纳米核壳)得以消除。

磁性材料是磁等离子传感系统的核心。综合考虑磁光性能和光吸收,fe3o4@mos2纳米核壳是磁光波导传感器的首选材料。独特的能带性质使mos2在磁光传感领域独具魅力。mos2对光二维约束产生的非线性在禁带边缘激发的共振效应也有利于mos2的磁等离子性能。太赫兹时域光谱检测表明mos2的太赫兹吸收极小。mos2的包覆不仅防止纳米fe3o4的团聚、氧化性和腐蚀性,而且为fe3o4开辟了光学性能可控的平台。可以通过裁剪fe3o4@mos2纳米颗粒以及mos2包覆厚度等参数增强法拉第效应。

提高基底玻璃折射率是提高磁等离子波谱识别率的有效方法。磁光玻璃具备熔点低、磁光性能优良、折射率高、光学吸收低等优点。其高折射率能有效抑制基底和薄膜界面之间强震荡所带来的光学损耗,优良的磁光性能增加磁光效应的非互易叠加,其成分的最大包容性允许掺杂多种调节元素,从而具备性能可控优势,是解决波谱分离的理想基底材料。

本发明提出构建新型高折射率磁光玻璃基graphene掺杂fe3o4@mos2纳米核壳单层磁等离子传感系统,采用石墨烯和mos2作为新型太赫兹等离子材料,采用高磁光性能fe3o4@mos2核壳作为磁性材料,采用高折射率磁光玻璃作为基底,构建单层简化结构,避免多层光耗大、工艺复杂、成本高等缺点。利用新材料优良的磁光和太赫兹性能开发的单层磁等离子系统将在医学、生物学、磁光、定向纳米天线、光催化等先进传感领域展现美好的应用前景。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种制备磁光玻璃基单层磁等离激元太赫兹传感薄膜的方法。

为实现上述目的,本发明可采取下述技术方案:

本发明所述的磁光玻璃基单层磁等离激元太赫兹传感薄膜的制备方法为:

1)制备纳米核壳材料:把mos2粉末加入n-甲基吡咯烷酮中超声仪中进行超声震荡,待形成分散体后继续60分钟并保持恒温。以2000rpm的速度离心处理10分钟,重新加水稀释形成均匀浓度约为2mg/ml的悬浮液。悬浮液中加入0.5gfeso4.7h2o,0.16gfecl3.6h2o,和0.1gpeg的混合物,滴入15mlnh3•h2o溶液后进行100wand20khz的超声处理60分钟。反应过程中调节ph为11并保持60°c恒温状态。磁性分离反应物并反复用去离子水和无水乙醇清洗,45°c真空干燥24小时。2)制备复合纳米材料:分别把fe3o4@mos2纳米粒子和氧化石墨烯溶解于1,6-己二胺(acooa)和anh2,借助nhs/edc的激活作用,通过fe3o4@mos2表面氨基与氧化石墨烯羧基之间的缩合反应产生羧酰胺键得到氧化石墨烯/fe3o4@mos2。3)制备磁光玻璃:以pbo,bi2o3及b2o3氧化物为原料按照摩尔比为45%,45%,10%的比例计算、称量并搅拌均匀后放入100%al2o3坩埚内900摄氏度融化1小时,然后快速浇注到铜板上形成玻璃,等玻璃冷却至室温后进行280摄氏度退火处理2小时。4)磁光玻璃表面激活:光学抛光玻璃样品使其粗糙度在0.1纳米左右。在抽风柜中把玻璃片置入h2so4(96%):h2o2(30%)混合液中在75摄氏度保持30分钟,然后清洗样品并移入nh4oh(70%):h2o2(30%):h2o混合液中75摄氏度浸泡10分钟。最后用去离子水清洗样品并吹干。5)制备薄膜:用匀胶机把石墨烯掺杂fe3o4&mos2纳米材料和peg的糊状混合物均匀涂敷在磁光玻璃表面,在260到275摄氏度之间保持24小时使玻璃表面与涂覆材料之间产生键和作用。

所述的磁光玻璃基磁等离子单层薄膜结构,其特征在于该磁等离子系统适用于太赫兹传感。

本发明首次采用mos2和石墨烯作为磁等离子系统材料,首次提出构建单层磁等离子传感结构,首次提出太赫兹磁等离子传感研究。本发明研究能够对磁等离子系统的结构、材料和传感性能实现技术突破,发挥新型磁等离子系统在更多先进领域的重要作用。制备方法简单快捷,节能环保,整个制备流程操作简单,技术较易推广。

附图说明

图1为本发明制备磁光玻璃基单层磁等离激元太赫兹传感薄膜的流程图。

图2为本发明实施例1制备的fe3o4&mos2掺杂石墨烯纳米复合材料的sem图。

图3为本发明实施例2制备的磁光玻璃基磁等离激元传感薄膜的sem剖面图。

图4为本发明实施例2制备的磁等离激元传感薄膜的等离子性能测试图。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明做进一步说明。

实施例1

1)制备纳米核壳材料:把mos2粉末加入n-甲基吡咯烷酮中超声仪中进行超声震荡,待形成分散体后继续60分钟并保持恒温。以2000rpm的速度离心处理10分钟,重新加水稀释形成均匀浓度约为2mg/ml的悬浮液。悬浮液中加入0.5gfeso4.7h2o,0.16gfecl3.6h2o,和0.1gpeg的混合物,滴入15mlnh3•h2o溶液后进行100wand20khz的超声处理60分钟。反应过程中调节ph为11并保持60°c恒温状态。磁性分离反应物并反复用去离子水和无水乙醇清洗,45°c真空干燥24小时。2)制备复合纳米材料:分别把fe3o4@mos2纳米粒子和氧化石墨烯溶解于1,6-己二胺(acooa)和anh2,借助nhs/edc的激活作用,通过fe3o4@mos2表面氨基与氧化石墨烯羧基之间的缩合反应产生羧酰胺键得到氧化石墨烯/fe3o4@mos2。3)制备磁光玻璃:以pbo,bi2o3及b2o3氧化物为原料按照摩尔比为45%,45%,10%的比例计算、称量并搅拌均匀后放入100%al2o3坩埚内900摄氏度融化1小时,然后快速浇注到铜板上形成玻璃,等玻璃冷却至室温后进行280摄氏度退火处理2小时。4)磁光玻璃表面激活:光学抛光玻璃样品使其粗糙度在0.1纳米左右。在抽风柜中把玻璃片置入h2so4(96%):h2o2(30%)混合液中在75摄氏度保持30分钟,然后清洗样品并移入nh4oh(70%):h2o2(30%):h2o混合液中75摄氏度浸泡10分钟。最后用去离子水清洗样品并吹干。5)制备薄膜:用匀胶机把石墨烯掺杂fe3o4&mos2纳米材料和peg的糊状混合物均匀涂敷在磁光玻璃表面,在260到275摄氏度之间保持24小时使玻璃表面与涂覆材料之间产生键和作用。

本发明实施例1制备的fe3o4&mos2掺杂石墨烯纳米复合材料的sem如图2所示,薄膜表面fe3o4&mos2分布均匀,形貌良好。

实施例2

1)制备纳米核壳材料:把mos2粉末加入n-甲基吡咯烷酮中超声仪中进行超声震荡,待形成分散体后继续60分钟并保持恒温。以2000rpm的速度离心处理10分钟,重新加水稀释形成均匀浓度约为2mg/ml的悬浮液。悬浮液中加入0.5gfeso4.7h2o,0.16gfecl3.6h2o,和0.1gpeg的混合物,滴入15mlnh3•h2o溶液后进行100wand20khz的超声处理60分钟。反应过程中调节ph为11并保持60°c恒温状态。磁性分离反应物并反复用去离子水和无水乙醇清洗,45°c真空干燥24小时。2)制备复合纳米材料:分别把fe3o4@mos2纳米粒子和氧化石墨烯溶解于1,6-己二胺(acooa)和anh2,借助nhs/edc的激活作用,通过fe3o4@mos2表面氨基与氧化石墨烯羧基之间的缩合反应产生羧酰胺键得到氧化石墨烯/fe3o4@mos2。3)制备磁光玻璃:以pbo,bi2o3及b2o3氧化物为原料按照摩尔比为45%,45%,10%的比例计算、称量并搅拌均匀后放入100%al2o3坩埚内900摄氏度融化1小时,然后快速浇注到铜板上形成玻璃,等玻璃冷却至室温后进行280摄氏度退火处理2小时。4)磁光玻璃表面激活:光学抛光玻璃样品使其粗糙度在0.1纳米左右。在抽风柜中把玻璃片置入h2so4(96%):h2o2(30%)混合液中在75摄氏度保持30分钟,然后清洗样品并移入nh4oh(70%):h2o2(30%):h2o混合液中75摄氏度浸泡10分钟。最后用去离子水清洗样品并吹干。5)制备薄膜:用匀胶机把石墨烯掺杂fe3o4&mos2纳米材料和peg的糊状混合物均匀涂敷在磁光玻璃表面,在260到275摄氏度之间保持24小时使玻璃表面与涂覆材料之间产生键和作用。

本发明实施例2制备的磁光玻璃基磁等离激元传感薄膜的sem如图3所示,玻璃表面传感薄膜完整,厚度均匀(60纳米),无空穴断裂,与磁光玻璃表面附着良好。

本发明实施例2制备的太赫兹磁等离激元传感薄膜的磁光性能测试如图4所示,磁光等离子特征峰尖锐,具备良好磁等离子传感性能。

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