一种震声传感器的制作方法

文档序号:17152271发布日期:2019-03-19 23:33阅读:181来源:国知局
一种震声传感器的制作方法

本发明涉及传感器领域,尤其涉及一种震声传感器。



背景技术:

目前在传感器网络的应用以及研究领域中,震声传感器主要用于机械诊断、安防领域以及地震监测领域,通常要求传感器节点拥有较长的电池寿命,较轻的重量和较小的体积以方便实现传感器网络的布设和维护。而随着手机导航的发展,需要适用于手机上的震声传感器,但手机上适用于较轻重量、较小体积及带一定电量的传感器,目前适用于手机上的高性能震声传感器价格高,制造工艺复杂,不利于批量生产。

因此,针对上述震声传感器的缺点,需对震声传感器技术进一步发展。



技术实现要素:

本发明旨在在于提供一种针对上述现有震声传感器的缺点,提供了一种震声传感器。

本发明的技术方案如下,包括:

壳体及依次设置在壳体内的配重质量体、支架、单晶硅基底,所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的,所述单晶硅基底上表面为波形多层结构,所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移,所述波形结构层表面的电极层,所述震声传感器用于将震动波转为声波,再由声波转变为电信号输出。

进一步的,所述配重质量体通过支架支撑所述配重质量体通过支架支撑。

进一步的,所述壳体包括上壳体和下壳体,所述上壳体和下壳体通过螺纹连接,且螺纹连接处设有密封垫。

进一步的,所述密封垫材质为氟橡胶。

进一步的,所述上壳体和下壳体材质为铝合金。

进一步的,所述配重质量体为圆柱形锂电池。

进一步的,所述支架由pvc组成。

进一步的,所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层。

进一步的,所述两组结构层中的一组结构层包括相对设置的第一结构层和第二结构层,所述第一结构层为波形,所述第二结构层的截面为直线形。

进一步的,所述单晶硅基底采用湿法刻蚀工艺进行选择性刻蚀。

本发明所述的震声传感器,其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的所述单晶硅基底上表面为波形多层结构,所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移,所述波形结构层表面的电极层,所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层,所述两组结构层中的一组结构层包括相对设置的第一结构层和第二结构层,所述第一结构层为波形,所述第二结构层的截面为直线形,所述震声传感器用于将震动波转为声波,再由声波转变为电信号输出,本发明解决了传感器体积、重量与低频信号接收能力之间的矛盾。

附图说明

图1为本发明提供的一种震声传感器示意图。

具体实施方式

本发明提供的震声传感器,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明提供的震声传感器,其结构如图1所示,包括:

壳体10及依次设置在壳体10内的配重质量体20、支架30、单晶硅基底40,所述单晶硅基底40的下表面进行刻蚀得到的,所述单晶硅基底40上表面为波形多层结构,所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移,所述波形结构层表面的电极层,所述震声传感器用于将震动波转为声波,再由声波转变为电信号输出。

具体的,所述配重质量体20通过支架30支撑。

具体的,所述壳体10包括上壳体11和下壳体12,所述上壳体11和下壳体12通过螺纹连接,且螺纹连接处设有密封垫13。

具体的,所述密封垫13材质为氟橡胶。

具体的,所述上壳体11和下壳体23材质为铝合金。

具体的,所述配重质量体20为圆柱形锂电池。

具体的,所述支架30由pvc组成。

具体的,所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层。

具体的,所述两组结构层中的一组结构层包括相对设置的第一结构层和第二结构层,所述第一结构层为波形,所述第二结构层的截面为直线形。

具体的,所述单晶硅基底40采用湿法刻蚀工艺进行选择性刻蚀。

综上所述,本发明的所提供的一种震声传感器,其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的所述单晶硅基底上表面为波形多层结构,所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移,所述波形结构层表面的电极层,所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层,所述两组结构层中的一组结构层包括相对设置的第一结构层和第二结构层,所述第一结构层为波形,所述第二结构层的截面为直线形,所述震声传感器用于将震动波转为声波,再由声波转变为电信号输出,本发明解决了传感器体积、重量与低频信号接收能力之间的矛盾。

应当理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。



技术特征:

技术总结
本发明所提供了一种震声传感器,包括:壳体及依次设置在壳体内的配重质量体、支架、单晶硅基底,其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的所述单晶硅基底上表面为波形多层结构,所述波形多层结构中至少一组结构层在外力的作用下能够发生相对位移,所述波形结构层表面的电极层,所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层,所述两组结构层中的一组结构层包括相对设置的第一结构层和第二结构层,所述第一结构层为波形,所述第二结构层的截面为直线形,所述震声传感器用于将震动波转为声波,再由声波转变为电信号输出,本发明解决了传感器体积、重量与低频信号接收能力之间的矛盾。

技术研发人员:甘立军
受保护的技术使用者:佛山市合宏泰业科技有限公司
技术研发日:2018.10.30
技术公布日:2019.03.19
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