1.一体化硅压阻式传感器芯片，压力传感器(100)和加速度传感器(200)一体化集成在单晶硅同一表面，其特征在于：所述压力传感器(100)包括由下至上依次设置有硅压阻式压力传感器基本体(1)、压力感应膜片(2)、二氧化硅埋层(3)、压敏电阻(4)、绝缘层(5)和金属层(6)，所述金属层(6)上设置有增稳层(7)；
所述加速度传感器(200)与压力传感器(100)结构相同，且压力感应膜片(2)上设置有两个背腔(9)及两背腔(9)中间的质量块(8)，所述质量块(8)对应的金属层(6)和增稳层(7)设置为通孔(10)。
2.根据权利要求1所述的一体化硅压阻式传感器芯片，其特征在于：所述金属层(6)与压敏电阻(4)联接。
3.根据权利要求2所述的一体化硅压阻式传感器芯片，其特征在于：所述压力传感器(100)于硅压阻式压力传感器基本体(1)设置有圆形通孔。
4.根据权利要求1所述的一体化硅压阻式传感器芯片，其特征在于：所述增稳层(7)厚度在20纳米到500纳米之间，增稳层(7)的覆盖区域包括压力传感器(100)和加速度传感器(200)上的压敏电阻(4)区域。