技术总结
本实用新型涉及微电子机械系统及压力传感器技术领域，具体的讲涉及一体化硅压阻式传感器芯片,所述压力传感器和加速度传感器一体化集成在单晶硅同一表面，所述压力传感器包括由下至上依次设置有硅压阻式压力传感器基本体、压力感应膜片、二氧化硅埋层、压敏电阻、绝缘层和金属层，所述金属层上设置有增稳层；所述加速度传感器与压力传感器结构相同，且压力感应膜片上设置有两个背腔及两背腔中间的质量块，所述质量块对应的金属层和增稳层设置为通孔，本实用新型通过在压敏电阻上方位置设置的增稳层从而降低由于芯片表面的静电荷和内部界面上的固定电荷对传感器输出造成的影响，从而使胎压监视准确性高。
技术研发人员：谭志平;陈建波;莫婵娟
受保护的技术使用者：上海天沐自动化仪表有限公司
技术研发日：2018.04.23
技术公布日：2019.01.22