一种适用于平面靶磁铁场强测量的定位装置的制作方法

本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种适用于平面靶磁铁场强测量的定位装置。

背景技术：

磁控溅射是物理气相沉积的一种，是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。

在玻璃镀膜生产中，平面靶是磁控溅射镀膜设备中常用的一种磁控靶，平面靶的均匀性是影响产品质量的重要因素，而平面靶设于多个长条状磁铁按一定规格拼接后所产生的磁场中，磁场强度是影响平面靶均匀性的重要因素，因此磁铁场强的测量精度尤为重要。现有技术中在对磁铁进行测量时，无定位装置，导致磁铁的磁场强度测量误差较大，磁铁筛选效率较低。

技术实现要素：

本实用新型提供一种适用于平面靶磁铁场强测量的定位装置，从而提高磁铁筛选的精度和效率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种适用于平面靶磁铁场强测量的定位装置，其中，所述磁铁为长条状，所述磁铁具有相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面为所述磁铁的磁极面，所述定位装置呈正棱柱状，所述定位装置的所述侧面设有多个与所述磁铁尺寸相配合的卡槽，所述卡槽的长度延伸方向平行所述正棱柱的底面，所述定位装置还设有自所述正棱柱的一侧底面延伸至所述卡槽用以供高斯计探头穿入的导向孔，所述导向孔与所述卡槽相连通，所述导向孔的长度方向与所述卡槽的长度方向相垂直，当对所述磁铁进行场强测量时，所述磁铁配合的设于所述卡槽中，所述第一侧面或所述第二侧面正对所述导向孔，所述导向孔位于所述第一侧面或所述第二侧面的中心。

进一步的，所述正棱柱具有位于两底面之间且与两所述底面均垂直的侧棱，所述卡槽的一端与其中的一根所述侧棱相交并形成所述卡槽的开口。

进一步的，所述卡槽的另一端设有便于人手伸入的圆弧状引导槽，所述引导槽与所述卡槽相连通，所述引导槽的深度小于所述卡槽的深度。

进一步的，所述正棱柱为正六棱柱。

进一步的，所述正六棱柱的六个所述侧面均分别设有一个所述卡槽，三个所述卡槽对应的所述导向孔与所述正六棱柱的其中一个所述底面相连通，其余的三个所述卡槽对应的所述导向孔与所述正六棱柱的另一个所述底面相连通。

进一步的，所述正棱柱为正四棱柱。

进一步的，所述正四棱柱的四个所述侧面均分别设有一个所述卡槽，四个所述卡槽对应的所述导向孔与所述正四棱柱的其中一个所述底面相连通。

进一步的，所述导向孔的深度不大于所述高斯计探头的长度。

进一步的，所述定位装置采用硬质尼龙材质。

采用以上技术方案后，本实用新型与现有技术相比具有如下优点：本实用新型的定位装置结构简单，可根据不同的磁铁尺寸定置定位设计卡槽，从而可以测量不同尺寸磁铁的场强；且每次测量时高斯计探头均与磁铁磁极面的中心相接触，定点测量，有便于统一测量标准，且在中心测量使测得的数据更精准可靠，可有效避免同一磁铁不同边幅位置测量所带来的场强不一致的问题；采用本申请的定位装置可以提高磁铁筛选的精度和效率，改善阴极靶材均匀性问题。

附图说明

附图1为采用本实用新型的定位装置对磁铁进行磁场测量时的结构示意图；

附图2为定位装置呈正六棱柱时的结构示意图；

附图3为附图2中A-A方向的结构示意图；

附图4为定位装置呈正四棱柱时的结构示意图。

其中，

10、磁铁；

20、定位装置；20a、卡槽；20b、导向孔；20c、开口；20d、引导槽；

30、高斯计；

40、探头。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1至图4所示，一种适用于平面靶磁铁场强测量的定位装置20，其中，磁铁10为长条状，磁铁10具有相对的第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面为磁铁10的磁极面。定位装置20呈正棱柱状，定位装置20的侧面设有多个与磁铁10尺寸相配合的卡槽20a，卡槽20a的长度延伸方向平行正棱柱的底面。定位装置20还设有自正棱柱的一侧底面延伸至卡槽20a的导向孔20b，导向孔20b用以供高斯计30的探头40穿入，导向孔20b与卡槽20a相连通，导向孔20b的长度方向与卡槽20a的长度方向相垂直。导向孔20b的深度不大于探头40的长度。

正棱柱具有位于两底面之间且与两底面均垂直的侧棱，卡槽20a的一端与其中的一根侧棱相交并形成卡槽20a的开口20c。卡槽20a的另一端设有圆弧状引导槽20d，引导槽20d与卡槽20a相连通，引导槽20d的深度小于卡槽20a的深度，引导槽20d与卡槽20a之间形成台阶。磁铁10可经过开口20c插入卡槽20a。通过设置引导槽20d可便于人手伸入从而将磁铁10从卡槽20a中取出。

卡槽20a的尺寸与磁铁10的尺寸相匹配，卡槽20a与磁铁10间隙配合。当对磁铁10进行场强测量时，磁铁10配合的设于卡槽20a中，磁铁10的前端面与台阶相接触，磁铁10的第一侧面或第二侧面正对导向孔20b，且导向孔20b位于第一侧面或第二侧面的中心。

每个定位装置20上可以设置多个卡槽20a，当磁铁10具有多种尺寸时，同一定位装置20上的多个卡槽20a也可以设置多个规格，从而使卡槽20a与磁铁10能一一相配合。

为避免定位装置20自身的磁性影响磁铁10场强，定位装置20采用非磁性的硬质尼龙材料。

定位装置20可以呈正三棱柱、正四棱柱、正五棱柱或正六棱柱等。优选为正六棱柱和正四棱柱。

当定位装置20呈正六棱柱时，参见附图1至附图3所示，在正六棱柱的六个侧面均分别设有一个卡槽20a，三个卡槽20a对应的导向孔20b与正六棱柱的其中一个底面相连通，其余的三个卡槽20a对应的导向孔20b与正六棱柱的另一个底面相连通。并且，相邻两侧面上的卡槽20a所对应的导向孔20b与不同的底面相连通。这样可以合理分布卡槽位置并充分利用正六棱柱的空间。

当定位装置20呈正四棱柱时，参见附图4所示，正四棱柱的四个侧面均分别设有一个卡槽20a，四个卡槽20a对应的导向孔20b与正四棱柱的其中一个底面相连通。

当平面靶具有不同尺寸规格的磁铁10不多于四种时，优选上述呈正四棱柱时的定位装置20。当平面靶具有不同尺寸规格的磁铁10为五种或六种时，优选上述呈正六棱柱时的定位装置20。

本实用新型的定位装置20结构简单，可根据具有不同尺寸的磁铁10定置定位设计卡槽20a，从而可以测量不同尺寸磁铁10的场强。并且每次测量时高斯计30的探头40均与磁铁10磁极面的中心相接触，定点测量，有便于统一测量标准，使测得的数据更精准可靠。采用本申请的定位装置20可以提高磁铁10筛选的精度和效率，改善阴极靶材均匀性问题。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。